IQE050N08NM5SCATMA1
發(fā)布時(shí)間:2023/12/11 10:50:00 訪問(wèn)次數(shù):100 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.8 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.6 ns
6000
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