制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.066 A, 845 mA
Rds On-漏源導通電阻: 450 mOhms, 750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V, + 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 500 mV
Qg-柵極電荷: 736.6 nC, 622.4 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 330 mW
通道模式: Enhancement
系列: DMG1016
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 12.3 ns, 20.72 ns
產品: MOSFET Small Signals
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.4 ns, 8.1 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延遲時間: 5.1 ns, 5.1 ns
單位重量: 7.500 mg