APT45GP120BG

製造商: Microchip
產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO: 1.2 kV
集電極-發(fā)射極飽和電壓: 3.3 V
柵極發(fā)射機(jī)最大電壓: - 20 V, 20 V
連續(xù)集電極電流在25 C: 100 A
Pd - 功率消耗 : 625 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
品牌: Microchip Technology
連續(xù)集電極電流: 100 A
集電極最大連續(xù)電流Ic : 100 A
柵射極漏電電流: 100 nA
高度: 5.31 mm
長(zhǎng)度: 21.46 mm
工作溫度範(fàn)圍: - 55 C to + 150 C
產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Transistors
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子類(lèi)別: IGBTs