IXFN230N20T

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司

IXFN230N20T

產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: 分立半導體模塊
RoHS: 詳細信息
產(chǎn)品: Power MOSFET Modules
類型: GigaMOS Power MOSFET
技術(shù): Si
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
安裝風格: Screw Mount
封裝 / 箱體: SOT-227-4
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: IXFN230N20
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 17 ns
高度: 12.22 mm
Id-連續(xù)漏極電流: 220 A
長度: 38.23 mm
通道數(shù)量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 1.09 mW
產(chǎn)品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻: 7.5 mOhms
上升時間: 38 ns
工廠包裝數(shù)量: 10
子類別: Discrete Semiconductor Modules
商標名: HiPerFET
晶體管極性: N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 58 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
寬度: 25.42 mm
單位重量: 30 g
IXFN230N20T

IXFN230N20T

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IXFN400N15X3
IXFN100N50P
IXFN100N65X2
IXFN150N65X2
IXFN230N10
IXFN280N085
IXFN38N100Q2
IXFN420N10T
IXFN44N60
IXFN48N60P
IXFN50N80Q2
IXFN80N50
MCO150-12IO1
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DSEI2X101-06A
DSEI2X101-12A
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IXFN32N120P
IXFN32N60
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IXFN340N06
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