標(biāo)準(zhǔn)包裝 4,000
類別 光電元件
類別： 紅外發(fā)射器，UV 發(fā)射器 TSAL6200
系列 -
包裝 散裝
電流 - DC 正向 (If) 100mA
不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度 (Ie)（最小值） 40mW/sr @ 100mA
波長(zhǎng) 940nm
電壓 - 正向 (Vf)（典型值） 1.35V
視角 34°
方向 頂視圖
安裝類型 通孔
封裝/外殼 徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）
中科院微電子研究所劉忠立研究員詳細(xì)講解了FDSOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)應(yīng)用及其在中國(guó)的機(jī)遇。劉研究員提到FDSOI相對(duì)于體硅及PDSOI具有明顯的優(yōu)勢(shì)：不存在翹曲效應(yīng)、沒有閂鎖效應(yīng)通道、能夠反向柵極偏壓控制以及抗SEE能力。FDSOI可以廣泛應(yīng)用在超低功耗要求領(lǐng)域，移動(dòng)通訊、CPU、ADC、RFIC及超低電壓數(shù)字電路等。對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)發(fā)展FDSOI機(jī)遇在于手機(jī)等移動(dòng)終端市場(chǎng)應(yīng)用，中國(guó)需要強(qiáng)有力的合作伙伴一起發(fā)展FDSOI技術(shù)。
IBM首席技術(shù)專家Rama pakaruni探討了20nm以下半導(dǎo)體技術(shù)走向問題，包括14nm、10nm及7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的CMOS技術(shù)。Rama提到在過(guò)去的30年中Si工藝每隔10年便會(huì)飽和而出現(xiàn)新的技術(shù)，未來(lái)10年哪種技術(shù)會(huì)成為主流？納米線器件、3D芯片堆疊技術(shù)還是光子技術(shù)？TSAL6200
SOI是候選技術(shù)之一，IBM一直從事SOI技術(shù)的研發(fā)工作，從最初的130/180nm節(jié)點(diǎn)到即將進(jìn)行的7nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，SOI已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了DRAM及Logic的集成。當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)入14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，F(xiàn)inFET成為選擇，但卻不得不面對(duì)“Fin-Effect”，IBM的看法是基于SOI的FinFET解決方案，即FinFET on SOI。
本次SOI技術(shù)高峰論壇上，全球領(lǐng)先的SOI襯底廠商也帶來(lái)精彩的演講。包括SunEdison、Soitec及SEH公司。SunEdison公司的SOI晶圓襯底所面向領(lǐng)域包括光電應(yīng)用、模擬/功率分立器件/MEMS、MPU/GPU/邏輯器件等所需要的光子SOI、CMOS圖像感應(yīng)SOI、高阻SOI、先進(jìn)HR SOI、LTSOI、BGSOI、ETSOI、CMOS SOI等。Soitec在智能手機(jī)RF襯底供應(yīng)方面占有超過(guò)50%的市場(chǎng)份額，Soitec可以提供一致性非常優(yōu)異的高質(zhì)量的FD SOI襯底，而且其FD 2D技術(shù)能夠支持FD SOI平面技術(shù)路線，F(xiàn)D 3D技術(shù)能夠支持FinFET技術(shù)路線，為將來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展提供了必要的支持。SEH是一家從長(zhǎng)晶到SOI襯底全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的公司，占有SOI襯底市場(chǎng)約80%的市場(chǎng)份額，擁有Smart Cut技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)10~50nm薄型SOI晶圓，其300mm SOI晶圓廠也正在進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)中。
在最后圓桌論壇環(huán)節(jié)，各位與會(huì)專家就未來(lái)技術(shù)走向又進(jìn)行了精彩的討論。大家都十分看好未來(lái)SOI技術(shù)的發(fā)展，中國(guó)廠商也將會(huì)扮演十分重要的角色
