制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 16 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
系列: IRFR
封裝: Tube
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 17 ns
高度: 2.38 mm
長(zhǎng)度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6.8 ns
寬度: 6.22 mm
零件號(hào)別名: IRFR120PBF-BE3
單位重量: 330 mg
MUR4100ERLG
MUR4100ERLG
IRFP344PBF
NTGS3443T1G
SM8S36AHE3/2D
UF5407-E3/54
UF5407-E3/54
P6KE150A-E3/73
P6KE15A-E3/54
SPB17N80C
SPB17N80C
MBRD360T4G
SPD15P10PLG
FDN337N
FDN337N
EGP50C-E3/54
EGP50C-E3/54
LVT16245A
IPD12CN10NG
MAX708TESA-TG
P6SMB47AT3G
P6SMB43CAT3G
P6SMB47CAHE3/52
MAX708TESA-TG
FAN53526UC88X
RGP10D-E3/73
SN74HC590AN
SN74HC244DBR
SN74HCT244QPWRQ1
SN74HCT244QPWRQ1
