SI4151DY-T1-GE3

SI4151DY-T1-GE3制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 28 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.6 W
通道模式: Enhancement
系列: Si4151DY
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 20 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 37 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 67 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 26 ns