制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.04 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
3000
子類別: MOSFETs
寬度: 3.3 mm
零件號(hào)別名: SIS410DN-GE3
單位重量: 1 g
