型號(hào)：NSF040120L3A0Q、NSF080120L3A0Q
為滿足對(duì)大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，Nexperia碳化硅 (SiC) MOSFET 提供出色的 RDS(ON)溫度穩(wěn)定性、快速開(kāi)關(guān)速度和高短路耐受性，使其成為電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的首選產(chǎn)品。
這些 MOSFET 具有非�？焖�、穩(wěn)健的本征體二極管和低正向電壓。它們還具有優(yōu)異的柵極電荷和有利的柵極電荷比。
特性 超小閾值電壓容差 更低的漏電流：高達(dá) 1,200 V 極低的開(kāi)關(guān)損耗 與溫度無(wú)關(guān)的關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗 應(yīng)用 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施 光伏逆變器 開(kāi)關(guān)模式電源 不間斷電源 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
