FQP4N90C ON安森美功率 MOSFET，N 溝道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220
FQP4N90C說明
FQP4N90C此N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋和 DMOS 專屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進(jìn)MOSFET技術(shù)特別適用于降低導(dǎo)通電阻，提供出色的開關(guān)性能以及高雪崩能量強(qiáng)度。FQP4N90C適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。
FQP4N90C應(yīng)用
照明
FQP4N90C特性
4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A柵極電荷低（典型值：17nC)
低 Crss（典型值5.6pF)
100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試"
100% avalanche tested
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: QFET
系列: FQP4N90C
封裝: Tube
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 35 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5 S
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.7 mm
單位重量: 2 g
NCP81296MNTXG
NCV4275ADT50RKG
NCV4276BDT50RKG
NCV8401ADTRKG
NCV8505D2T50R4G
NCV8675DS50R4G
MC34074DR2G
NCV8184DTRKG
FQP4N90C
