C3M0040120K
發(fā)布時間:2024/5/22 15:39:00 訪問次數(shù):104 發(fā)布企業(yè):深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
66A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
53.5 毫歐 @ 33.3A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 9.2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
99 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
326W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝
TO-247-4L
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