制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 208 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 695 W
通道模式: Depletion
系列: IXTH16N20D2
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 135 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 130 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Depletion Mode MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 270 ns
典型接通延遲時(shí)間: 46 ns
寬度: 5.3 mm
單位重量: 6 g
IXFP12N65X2A
IXFP34N60X2A
IXTH48N60X2A
IXTA130N15X4A
IXTP100N15X4A
IXTP130N15X4A
IXTP150N15X4A
IXTA1N170DHV
IXTH10N100D
IXTH1N170DHV
IXTP01N100D
IXTP02N50D
IXTT10N100D
IXTU01N100D
