制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 52 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 107 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 780 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 12 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 40 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 50 ns
典型接通延遲時(shí)間: 37 ns
單位重量: 6 g
IXFT80N65X2HV
IXFX100N65X2
IXFX120N65X2
IXFY8N65X2
IXTA12N65X2
IXTA12N70X2
IXTA20N65X2
IXTA24N65X2
IXTA34N65X2
IXTA4N65X2
IXTA4N70X2
