制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 17.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 16 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.6 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 24 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 52 ns
典型接通延遲時(shí)間: 23 ns
單位重量: 2 g
IXFA44N25X3
IXFA50N20X3
IXFA56N30X3
IXFA60N25X3
IXFA72N20X3
IXFA72N30X3
IXFA80N25X3
IXFA90N20X3
IXFH100N30X3
IXFH120N25X3
IXFH120N30X3
