制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-268HV-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V
Id-連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 220 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 695 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: X-Class
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 14 ns
正向跨導 - 最小值: 11 S
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 70 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
單位重量: 4 g
IXFH120N25X3
IXFH120N30X3
IXFH130N15X3
IXFH140N20X3
IXFH150N25X3
IXFH150N30X3
IXFH170N15X3
IXFH170N25X3
IXFH180N20X3
IXFH220N20X3
IXFH240N15X3
