制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 54 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 180 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP90N075
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 20 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 28 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.66 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 28 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g、
IXFT26N100XHV
IXFT30N85XHV
IXFT32N100XHV
IXFT40N85XHV
IXFT50N60X
IXFT50N85XHV
IXFX52N100X
IXFX66N85X
IXFX90N60X
IXFY4N85X
IXTA20N65X
IXTH20N65X
