制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
REACH - SVHC:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-268-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 64 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 225 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Depletion
系列: IXTT16N10
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 70 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 43 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 340 ns
典型接通延遲時(shí)間: 45 ns
單位重量: 6.500 g
IXFB60N80P
IXFB82N60P
IXFH100N25P
IXFH10N100P
IXFH10N80P
IXFH110N10P
IXFH120N15P
IXFH120N20P
IXFH12N100P
