IRLR2905TRPBF INFINEON英飛凌55V 42A 110W NMOS
IRLR2905TRPBF特性
邏輯級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)
超低導(dǎo)通電阻
表面貼裝 (IRLR2905)
先進(jìn)工藝技術(shù)
快速開關(guān)
完全雪崩額定值
無(wú)鉛
IRLR2905TRPBF說(shuō)明
International Rectifier 的第五代 HEXFET 采用先進(jìn)的加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了單位硅面積上最低的導(dǎo)通電阻。IRLR2905TRPBF這一優(yōu)勢(shì)與 HEXFET 功率 MOSFET 眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了可用于各種應(yīng)用的極為高效的器件。
PAK 設(shè)計(jì)用于使用氣相、紅外或波峰焊技術(shù)進(jìn)行表面貼裝。在典型的表面貼裝應(yīng)用中，功率耗散水平可高達(dá) 1.5 瓦。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 15 ns
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 84 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
IRFR024NTRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR1205TRPBF
IRFR3410TRPBF
IRFR3607TRPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRFR3910TRPBF
IRFR4510TRPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR4620TRLPBF
IRFR5305TRLPBF
IRFR5305TRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR5505TRPBF
IRFR6215TRPBF
IRFR7540TRPBF
IRFR9024NTRPBF
IRFR9120NTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRLR024NTRPBF
IRLR120NTRPBF
IRLR2905TRPBF
IRLR3410TRPBF
IRLR7843TRPBF
IRLR8726TRPBF
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