制造商: Transphorm
產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管
RoHS: 詳細信息
商標(biāo): Transphorm
通道模式: Enhancement
下降時間: 7.2 ns
Id-連續(xù)漏極電流: 29 A
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 55 C
安裝風(fēng)格: Through Hole
通道數(shù)量: 1 Channel
封裝 / 箱體: TO-220-3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
Pd-功率耗散: 96 W
產(chǎn)品類型: GaN FETs
Qg-柵極電荷: 9 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 85 mOhms
上升時間: 6.2 ns
系列: Gen IV SuperGaN
50
子類別: Transistors
技術(shù): GaN
商標(biāo)名: SuperGaN
晶體管極性: N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 56 ns
典型接通延遲時間: 43.4 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V
DS1086HU-C02+T
LM2596S-3.3
DS1825U+T&R
LM2576SX-ADJ
LM2576S-ADJ
LM20343MHX/NOPB
OPA549T
DG411DY-T1-E3
MAX5442AEUB+T
MAX11202AEUB
LM2596T-5.0/NOPB
ATA6836C-PXQW
DS3902U-515+T
IP00C812A
DS1731U+T&R
LM3424MHX/NOPB
LM3424MH/NOPB
DS28CN01U-A00+T
LM2596SX-3.3
OPA541AP
