IRF7103TRPBF Infineon英飛凌雙NMOS 50V 3A 2W
IRF7103TRPBF特性
先進工藝技術超低導通電阻雙 N 溝道 MOSFET
表面貼裝
提供卷帶動態(tài) dv/dt 額定值
快速開關
無鉛
IRF7103TRPBF描述
IRF7103TRPBF SO-8 通過定制的引線框架進行了改進，增強了熱特性和雙芯片能力，使其成為各種電源應用的理想之選。有了這些改進，多器件應用中的電路板空間可大幅減少。該封裝專為氣相、紅外或波峰焊接技術而設計，在典型的 PCB 貼裝應用中，功率耗散可超過 0.8W。
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 50 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3 A
Rds On-漏源導通電阻: 130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
單位重量: 540 mg
IRF530NPBF
IRF530NSTRLPBF
IRF540NPBF
IRF540ZPBF
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
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IRF8788TRPBF
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