NTF2955T1G 是一款SOT-223 封裝中的 -60 V，P 溝道 MOSFET。 此器件非常堅(jiān)固，擁有很大的安全運(yùn)行區(qū)域。
品牌：ON（安森美） 封裝：TO-261 引腳數(shù)：4 PIN (1000個(gè)/圓盤)
NTF2955T1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NTF2955T1G
Brand Name
onsemi
是否無(wú)鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
2025417865
零件包裝代碼
SOT-223 (TO-261) 4 LEAD
包裝說(shuō)明
TO-261, 4 PIN
針數(shù)
4
制造商包裝代碼
0.0318
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.68
Samacsys Description
P-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, 60 V, 4-pin SOT-223
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-06-26 10:21:53
YTEOL
5.4
雪崩能效等級(jí)（Eas）
225 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
60 V
最大漏極電流 (ID)
1.7 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.185 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-261AA
JESD-30 代碼
R-PDSO-G4
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1.92 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
10.4 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
本公司主營(yíng)是二三極管，MOS管和邏輯芯片，這邊有原裝進(jìn)口品牌和國(guó)產(chǎn)品牌，如果你這邊有需要的話，可以添加上面的聯(lián)系方式
NTF2955T1G
ON(安森美)
IRF4905PBF
Vishay(威世)
LM393DR
TI(德州儀器)
OP07CDR
TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA
TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT
NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG
REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6
ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G
ST(意法)
ADM3251EARWZ
ADI(亞德諾)
TXB0108PWR
TI(德州儀器)
MK64FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0MLHT
NXP(恩智浦)
EP4CE6E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM358DT
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F030CCT6
TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR
Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T
Microchip(微芯)
STM32F429BIT6
ST(意法)
CC430F5137IRGZR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1
TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041
SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB
NS(國(guó)半)
MAX3485ESA
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
AMC1200BDWVR
TI(德州儀器)
LM324DR
ST(意法)
TMS320VC33PGE150
TI(德州儀器)
DS3231SN
Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR
Microchip(微芯)
STM32F407IGT6
ST(意法)
ATMEGA48PA-AU
Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12
Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C
XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ
ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N
ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6
ST(意法)
STM32L431RCT6
ST(意法)
PCF8563T/5
NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000
Marvell(美滿)
MPU-6050
TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I
XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G
NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6
ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU
Microchip(微芯)
TPS70933DBVR
TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP
Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ
ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ
ADI(亞德諾)
IRF3205PBF
IR(國(guó)際整流器)
MURA110T3G
ON(安森美)
MC7448THX1267ND
Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1
TI(德州儀器)
GD32F303RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
10M04DAF256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I
XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR
Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5
Burr-Brown(TI)
PGA204BU
TI(德州儀器)
MBR0540T1G
ON(安森美)
TJA1021T/20/CM
TI(德州儀器)
MC79M15BDTRKG
ON(安森美)
ADM2483BRWZ
TI(德州儀器)
XC7K410T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR
TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C
ST(意法)
INA114AP
Burr-Brown(TI)
MC9S12XDP512CAG
NXP(恩智浦)
PIC18F46K22-I/PT
Microchip(微芯)
STFW3N150
ST(意法)
STM32F072C8T6
ST(意法)
SN65HVD3082EDR
TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR
TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5
Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C
XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA
Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR
ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT
ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000
Marvell(美滿)
LM258DR
TI(德州儀器)
LM2904DR
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6
ST(意法)
STM32F105RCT6
ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU
TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G
ON(安森美)
STM32F767BIT6
ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10
Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+
XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
SZNUP2105LT1G
ON(安森美)
LMX2594RHAR
TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN
Microchip(微芯)
STM32F030R8T6
ST(意法)
STM32F103VBT6
ST(意法)
STM8S003F3U6TR
ST(意法)
IRFR5305TRPBF
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
L7805CV
ST(意法)
TJA1043T/1
NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E
ST(意法)
LMD18200T
TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR
TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB
NS(國(guó)半)
