S2M0120120K/D 是單個(gè) SiC 功率 MOSFET，采用 TO-247-4（S2M0120120K）或 TO-247-3 外殼（S2M0120120D）封裝。它是一種高壓 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，具有非常低的總導(dǎo)通損耗和極端溫度下非常穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性。S2M0120120K/D 非常適合具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中的能量敏感、高頻應(yīng)用。
特性 正溫度特性易于并聯(lián) 低導(dǎo)通電阻：典型值 RDS(ON)= 133 mΩ 快速開(kāi)關(guān)和低開(kāi)關(guān)損耗 堅(jiān)固耐用的超快型本征體二極管 非光亮鍍錫工藝 應(yīng)用 電動(dòng)汽車快速充電模塊 電動(dòng)車外接充電器 太陽(yáng)能逆變器 在線式和工業(yè)用 UPS 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 直流/直流轉(zhuǎn)換器 蓄能系統(tǒng) (ESS)S2M0120120K碳化硅功率 MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024/8/23 18:18:00 訪問(wèn)次數(shù):52 發(fā)布企業(yè):深圳市鑫遠(yuǎn)鵬科技有限公司
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