制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SuperSO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 85 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 4.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 3.2 ns
5000
ISC078N12NM6ATMA1
發(fā)布時(shí)間:2024/9/24 9:28:00 訪問次數(shù):59 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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