FDD5614P 的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FDD5614P
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
End Of Life
Objectid
4001117273
零件包裝代碼
DPAK-3 / TO-252-3
包裝說明
TO-252, 3 PIN
制造商包裝代碼
369AS
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
2 days
風險等級
6.92
Samacsys Description
Last Shipments - 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 52A, 15mΩ
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
雪崩能效等級（Eas）
90 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
60 V
最大漏極電流 (ID)
15 A
最大漏源導通電阻
0.1 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
42 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
45 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FDD5614P 場效應晶體管的特性與應用
引言
場效應晶體管（FET）作為一種重要的電子元件，其在現(xiàn)代電子設備中扮演著不可或缺的角色。FDD5614P是其中一種廣泛應用的場效應晶體管，其獨特的性能和優(yōu)勢使其在眾多電子應用中被廣泛采用。本文將探討FDD5614P的基本特性、工作原理、應用領域以及其在技術發(fā)展中的地位。
FDD5614P的基本特性
FDD5614P是一個N溝道增強型場效應晶體管。其主要特點包括低導通電阻、較高的電流處理能力和較大的柵源電壓范圍。具體參數(shù)上，FDD5614P通常具有30V的最大漏源電壓（V_DS）和50A的最大漏極電流（I_D）。此外，其柵源電壓（V_GS）通常在-20V到+20V之間，適合多數(shù)低壓應用場合。
FDD5614P使用標準的TO-220封裝，適應于散熱管理并可便于在電路板上的布置。其內(nèi)部結構由多層半導體材料構成，晶體管的通斷由柵極電壓的施加來控制。這種結構設計使得其對溫度變化非常敏感，能夠準確響應信號的變化。
工作原理
FDD5614P的工作原理基于電場效應。通過在柵極施加電壓，能夠在源極與漏極之間形成一個潛在的導電通道。當柵源電壓達到一定閾值時，通道中的載流子開始流動，從而使漏極電流增大。由于其工作依賴于電場的控制，FDD5614P在整個工作過程中具備較高的輸入阻抗，且在信號處理時不會對輸入信號造成明顯的負載影響。
在增強型FET中，柵極電壓的變化直接影響通道的導電性。通過控制柵源電壓，可以調(diào)節(jié)漏極電流的大小，實現(xiàn)不同的電流導通狀態(tài)。這一特性使得FDD5614P在開關電源、放大器和各種信號處理電路中得到了廣泛應用。
應用領域
FDD5614P廣泛應用于多個領域，其中包括開關電源、直流電動機驅(qū)動、電信設備和消費電子。開關電源是現(xiàn)代電力管理系統(tǒng)的重要組成部分，FDD5614P在此類應用中的高效能，如低導通損耗和高電流處理能力，使其成為非常理想的選擇。其在高頻開關電源中，保證了轉換效率和穩(wěn)壓性能，得到了廣泛的關注。
在電動機驅(qū)動方面，FDD5614P可實現(xiàn)高性能的控制系統(tǒng)。由于其能夠穩(wěn)定有效地提供高電流，該晶體管完成電機調(diào)速和驅(qū)動控制的性能大幅提升。同時，其低熱量生成和高靈活性的特性，為電動機的高效運轉提供了良好的基礎。尤其是在需要頻繁切換的應用中，FDD5614P的可靠性和穩(wěn)定性能夠確保電機的平穩(wěn)運行。
在消費電子領域，FDD5614P同樣具有廣泛的應用前景�，F(xiàn)代消費電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦和個人計算機中，FDD5614P可以用于電源管理、電壓調(diào)節(jié)以及信號放大等多種功能。這些功能的實現(xiàn)依賴于FDD5614P的高效能和穩(wěn)定性，使得電子產(chǎn)品在使用過程中能夠提供更好的用戶體驗。
性能優(yōu)化與設計考慮
在設計使用FDD5614P的電路時，設計者需要考慮如何優(yōu)化其工作性能。熱管理是一個關鍵要素，FDD5614P在高電流下工作時會產(chǎn)生一定的熱量，因此合理的散熱設計是非常重要的。這通常涉及到良好的散熱器設計和散熱粘接材料的選擇，以確保晶體管在安全溫度范圍內(nèi)運行，從而延長其使用壽命。
在電路布局方面，盡量縮短FDD5614P與負載之間的連接距離可以降低電感和電阻，實現(xiàn)更為快速的開關響應。這一技巧在高頻應用中尤為重要，快速的電流切換能夠有效降低開關損失。此外，設計者還需要仔細選擇驅(qū)動電路，以確保FDD5614P在開關過程中，無論在上升或下降時間上都能獲得最佳性能。
另外，電源干擾及其抑制也是需要關注的一方面。在快速開啟和關閉的過程中，可能產(chǎn)生高頻噪聲，這會影響整個電路的工作性能。為此，合理的布局和屏蔽設計可以有效降低這種影響，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
技術發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步，FDD5614P及其類似產(chǎn)品的技術也在不斷升級。新材料和新工藝的應用，推動了晶體管性能的持續(xù)提升。例如，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料的出現(xiàn)，使得新一代的場效應晶體管在電壓承受能力和開關速度方面獲得了顯著的改善。這些新材料在高功率應用中展現(xiàn)出優(yōu)異的性能，有望在未來替代傳統(tǒng)的硅基器件。
此外，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和智能設備的發(fā)展進一步推動了對高效能低功耗電力管理設備的需求。這種趨勢促使FDD5614P及其后繼產(chǎn)品繼續(xù)向更低的導通電阻、更高的頻率和更小的體積方向發(fā)展，以滿足市場日益增長的需求。
尤為重要的是，智能化的趨勢將為場效應晶體管的應用提供新的機遇�；谌斯ぶ悄芎蜋C器學習的智能控制系統(tǒng)，將會依賴于高可靠性的電子元件，FDD5614P在這一領域可能會發(fā)揮更為關鍵的角色。
FDD5614P
ON(安森美)
TPS62040DGQR
TI(德州儀器)
DRV8301DCAR
TI(德州儀器)
MC7805CTG
ON(安森美)
MIC2026-1YM-TR
MIC(昌福)
TMS320F28377DPTPS
TI(德州儀器)
AT24CM01-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
PGA309AIPWR
TI(德州儀器)
TL074IDR
TI(德州儀器)
IPD50P04P4L-11
Infineon(英飛凌)
MP2303ADN-LF-Z
MPS(美國芯源)
TPS3803-01DCKR
TI(德州儀器)
FT232RNL-REEL
FTDI(飛特帝亞)
MCP1703T-3302E/MB
MIC(昌福)
SHT30-DIS-B2.5KS
Sensirion(瑞士盛思銳)
L78L05ACD13TR
ST(意法)
OPA1652AIDR
TI(德州儀器)
GD32F103TBU6
ST(意法)
88E6321-A0-NAZ2I000
Marvell(美滿)
MT41K512M16HA-125:A
micron(鎂光)
PN5120A0HN1/C2
NXP(恩智浦)
TPS79901DDCR
TI(德州儀器)
BM8563ESA
BELLING(上海貝嶺)
EP53A8HQI
ALTERA(阿爾特拉)
MX25L3233FM2I-08G
MXIC(旺宏)
GD32F450VIT6
GD(兆易創(chuàng)新)
NTD5867NLT4G
ON(安森美)
PIC18F4620-I/P
MIC(昌福)
LM2901DR2G
TI(德州儀器)
NRF52833-QDAA-R
NORDIC
FM24V10-GTR
Cypress(賽普拉斯)
NCV4274ADT50RKG
ON(安森美)
IPB107N20N3G
Infineon(英飛凌)
STD18N55M5
ST(意法)
INA121U
Burr-Brown(TI)
AZ1045-04F.R7G
AMAZING(晶焱)
TPS54561DPRR
TI(德州儀器)
MC9S12DP512MPVE
NXP(恩智浦)
SPL06-001
FAN2001MPX
ON(安森美)
BTS441RG
Infineon(英飛凌)
PI3740-00-LGIZ
Vicor Corporation
FDY3000NZ
ON(安森美)
M24C16-WMN6TP
ST(意法)
PCA9548APWR
NXP(恩智浦)
IPB015N08N5
Infineon(英飛凌)
NT5CC256M16ER-EKI
Nanya Technology
FSA2257L10X
ON(安森美)
GBPC3512A
IR(國際整流器)
VN7050AJTR
ST(意法)
NVMFD5C446NWFT1G
ON(安森美)
IRFS4115TRLPBF
Infineon(英飛凌)
OPA228U
Burr-Brown(TI)
EPM3256ATI144-10N
ALTERA(阿爾特拉)
AD7683ARMZ
ADI(亞德諾)
IWR6843ARQGALPR
TI(德州儀器)
MIMX8ML8DVNLZAB
NXP(恩智浦)
LP2985AIM5-3.3
TI(德州儀器)
DSP56321VF275
Freescale(飛思卡爾)
FDS8958A
Fairchild(飛兆/仙童)
IRF540N
ST(意法)
LMZ31707RVQ
TI(德州儀器)
LT1764AEQ
LINEAR(凌特)
IRF4905S
Infineon(英飛凌)
ADAU1979WBCPZ
ADI(亞德諾)
LTM4644EY
LINEAR(凌特)
PS219A4-RW
Mitsubishi Electric (三菱)
MAX31865ATP
Maxim(美信)
DRV8835DSSR
TI(德州儀器)
MAX485CSA+T
Maxim(美信)
TPS65251RHAR
TI(德州儀器)
TPS70933DRVR
TI(德州儀器)
MBR230LSFT1G
ON(安森美)
INA240A2PWR
TOSHIBA(東芝)
PIC18F67K40-I/PT
Microchip(微芯)
ATMEGA32L-8AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRM120LT1G
ON(安森美)
LM63615DQPWPRQ1
TI(德州儀器)
FT232BL-REEL
FTDI(飛特帝亞)
BSP752T
Infineon(英飛凌)
AO3407A
Alpha (Taiwan)
10M02SCE144C8G
ALTERA(阿爾特拉)
PI3106-00-HVMZ
Vicor Corporation
MCP2562T-E/SN
Microchip(微芯)
MOC3021M
ON(安森美)
ICL7107CPLZ
Intersil(英特矽爾)
XCF02SVO20C
XILINX(賽靈思)
ESDA6V1L
ST(意法)
LNK364PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
UPD720202K8-701-BAA-A
NEC
DSPIC30F6010A-30I/PT
MIC(昌福)
AW9523BTQR
AW(艾為)
SN74LVC3G17DCUR
TI(德州儀器)
VNQ660SPTR-E
ST(意法)
ATM90E32AS-AU-R
Atmel(愛特梅爾)
STM8S007C8T6
ST(意法)
TLV2333IDR
TI(德州儀器)
STM32H757XIH6
ST(意法)
TL074CDT
TI(德州儀器)
AD9650BCPZ-105
ADI(亞德諾)
FDMS86101
ON(安森美)
MCIMX6D6AVT08AD
Freescale(飛思卡爾)
XC3S250E-4TQG144C
XILINX(賽靈思)
XCKU15P-2FFVA1156E
XILINX(賽靈思)
QPA9501TR13
Qorvo(威訊聯(lián)合)
ADM2486BRWZ
ADI(亞德諾)
SY8008BAAC
SILERGY(矽力杰)
AD8210YRZ
ADI(亞德諾)
ADM1485ARZ
ADI(亞德諾)
AD8032ARZ
ADI(亞德諾)
MSP430F5418AIPN
TI(德州儀器)
MK10DN32VFM5
NXP(恩智浦)
AD5780ACPZ
ADI(亞德諾)
MK60FN1M0VMD12
NXP(恩智浦)
BCM3390ZKFSBG
Broadcom(博通)
LM317AMDT
TI(德州儀器)
MKL17Z64VFM4
NXP(恩智浦)
LM5575MHX
TI(德州儀器)
SAK-TC233L-32F200NAC
Infineon(英飛凌)
MAX3471EUA+
Maxim(美信)
VNH5180A
ST(意法)
MCZ33905CS5EK
NXP(恩智浦)
LM2675M-5.0/NOPB
NS(國半)
TLV320AIC3106IRGZR
TI(德州儀器)
OPA2170AIDR
TI(德州儀器)
LM2576HVT-ADJ/NOPB
TI(德州儀器)
SN74AVC8T245RHLR
TI(德州儀器)
AD9833BRMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
DM3AT-SF-PEJM5
Hirose(廣瀨電機)
LFCN-80+
Mini-Circuits
BQ27421YZFR-G1A
TI(德州儀器)
STPMIC1APQR
ST(意法)
