數(shù)據(jù)列表 MTY100N10E
產(chǎn)品相片 TO-264-3
PCN Obsolescence Multiple Devices 30/Jun/2004
標(biāo)準(zhǔn)包裝 25
類別 分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 -
包裝 管件
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 100A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 11 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 378nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 10640pF @ 25V
功率 - 最大值 300W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝 TO-264
其它名稱 MTY100N10EOS
