PBSS5540Z,115的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
PBSS5540Z,115
Brand Name
Nexperia
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
4002389916
零件包裝代碼
SC-73
包裝說明
PLASTIC, SC-73, 4 PIN
針數(shù)
4
制造商包裝代碼
SOT223
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Date Of Intro
1999-08-05
風(fēng)險等級
1.36
Samacsys Description
NXP PBSS5540Z,115 PNP Transistor, 5 A, 40 V, 4-Pin SC-73
Samacsys Manufacturer
Nexperia
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
4
外殼連接
COLLECTOR
最大集電極電流 (IC)
5 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
40 V
配置
SINGLE
最小直流電流增益 (hFE)
250
JESD-30 代碼
R-PDSO-G4
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
4
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
PNP
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
標(biāo)稱過渡頻率 (fT)
120 MHz
雙極性晶體管PBSS5540Z,115的特性與應(yīng)用研究
雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是一種重要的電子元件，其廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)及信號處理等多種電路中。PBSS5540Z,115是一種特定型號的雙極性晶體管，具有一定的電氣特性和應(yīng)用場景。本文將對PBSS5540Z,115進(jìn)行詳細(xì)探討，包括其構(gòu)造、工作原理、主要特性以及在現(xiàn)代電路中的應(yīng)用。
首先，雙極性晶體管分為NPN和PNP兩種類型。PBSS5540Z,115屬于NPN型晶體管，這種結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料組成，分別為發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。在PBSS5540Z,115的構(gòu)造中，發(fā)射極和集電極通常由摻雜較重的材料構(gòu)成，而基極則是摻雜較輕的材料。這種設(shè)計使得電子在發(fā)射極注入后能夠通過基極并迅速達(dá)到集電極，形成較大的電流放大效應(yīng)。
雙極性晶體管的工作原理基于電子和空穴的復(fù)合過程。在NPN型晶體管中，當(dāng)發(fā)射極注入電子到基極時，基極中的電子與空穴復(fù)合，導(dǎo)致一些電子被消耗。然而，由于基極的薄層結(jié)構(gòu)，大部分電子會繼續(xù)向集電極移動，從而實現(xiàn)電流的放大。公式Ic = β * Ib提示了集電極電流（Ic）與基極電流（Ib）之間的關(guān)系，其中β為電流增益。這一特性使得BJT可以在多種電路中作為放大器或開關(guān)元件使用。
就PBSS5540Z,115而言，它的技術(shù)特性值得關(guān)注。該晶體管的最大集電極電壓（V_ce）在30V左右，這使其適合于低壓應(yīng)用。它的最大集電極電流（I_c）可達(dá)到9A，適合用于功率放大和電源管理電路。PBSS5540Z,115的開關(guān)速度也相對較快，能夠滿足高速信號處理的需求。此外，PBSS5540Z,115具有較低的飽和壓降，意味著在開關(guān)狀態(tài)下能有效降低功耗，這對于高效電源設(shè)計至關(guān)重要。
PBSS5540Z,115的應(yīng)用范圍廣泛。在電源管理領(lǐng)域，尤其是在開關(guān)電源（SMPS）中，該晶體管可用作主開關(guān)元件。開關(guān)電源在現(xiàn)代電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛，具有高效率和小型化的優(yōu)點。PBSS5540Z,115能夠在高頻率下工作，提高了轉(zhuǎn)換效率，降低了熱損耗。在音頻放大器電路中，PBSS5540Z,115同樣表現(xiàn)出色，因其能夠提供高的電流增益，滿足音頻信號的放大需求。
此外，PBSS5540Z,115也可以用作功率放大器，廣泛應(yīng)用于無線通信、電視廣播等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，功率放大器的輸出功率至關(guān)重要，而PBSS5540Z,115憑借其能夠呈現(xiàn)高增益和高電流特性，使其成為理想的選擇。尤其是在頻率較高的情況下，PBSS5540Z,115能夠提供穩(wěn)定的增益，從而保證信號傳輸?shù)目煽啃浴?
在電動機(jī)控制和驅(qū)動電路中，PBSS5540Z,115可用作驅(qū)動器件，實現(xiàn)對直流電動機(jī)的調(diào)速控制。由于其能夠處理較大的電流，因此在驅(qū)動電動機(jī)時可實現(xiàn)高效的控制能力。此外，利用PBSS5540Z,115可以搭建H橋電路，從而實現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制，極大地方便了電動機(jī)的應(yīng)用。
值得一提的是，隨著電子設(shè)備向更加高效和小型化發(fā)展，PBSS5540Z,115所代表的雙極性晶體管技術(shù)依然面臨新的挑戰(zhàn)。市場上，MOSFET和IGBT等其他類型的功率半導(dǎo)體逐漸嶄露頭角，這些器件在某些特定應(yīng)用中展現(xiàn)出更好的性能。然而，PBSS5540Z,115憑借其在成本和性能之間的良好運作，依然保持重要的市場地位。
在設(shè)計電路時，要充分考慮PBSS5540Z,115的特性，以確保其在特定應(yīng)用中的最佳性能。例如，在高頻電路設(shè)計中，需要注意PCB布局和走線，以減少寄生參數(shù)的影響。在高電流應(yīng)用中，散熱設(shè)計也是至關(guān)重要的，確保晶體管在工作中保持在安全溫度范圍內(nèi)，以免發(fā)生性能下降或損壞。
此外，對于PBSS5540Z,115的驅(qū)動電路設(shè)計，晶體管的輸入和輸出特性應(yīng)予以重視，以確保信號的完整性和可靠性。在實際應(yīng)用中，可能還需要配合其他元件，如電阻和電容，來優(yōu)化電路性能。
綜上所述，PBSS5540Z,115作為一種廣泛應(yīng)用的雙極性晶體管，其電氣特性和應(yīng)用潛力引起了電子工程師的廣泛關(guān)注。通過對其結(jié)構(gòu)、工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域的深入研究，為實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計提供了有價值的參考。
PBSS5540Z
Nexperia(安世)
LM2736YMKX
TI(德州儀器)
LPC1788FBD144
NXP(恩智浦)
SX1280IMLTRT
Semtech(商升特)
TDA5211
Infineon(英飛凌)
MK63FN1M0VLQ12
Freescale(飛思卡爾)
MKL26Z128VFT4
Freescale(飛思卡爾)
ZTS1R52405
COSEL
HMC833LP6GE
ADI(亞德諾)
SI4730-D60-GUR
SILICON LABS(芯科)
SIA446DJ-T1-GE3
Vishay(威世)
TLP292-4
TOSHIBA(東芝)
UCC28089D
TI(德州儀器)
ATA663454-GDQW
Microchip(微芯)
MK60DN512ZVLQ10R
NXP(恩智浦)
OP249GSZ
ADI(亞德諾)
10AX066H3F34E2SG
ALTERA(阿爾特拉)
MT47H128M16RT-25E
micron(鎂光)
ADR441ARMZ
ADI(亞德諾)
XC7A35T-2CSG325C
XILINX(賽靈思)
5CGXFC5C6F23C7N
ALTERA(阿爾特拉)
MT47H128M8SH-25E:M
micron(鎂光)
STM32L412RBI6
ST(意法)
AD8304ARUZ
ADI(亞德諾)
L6201PS
ST(意法)
MC9S12XDT256MAA
Freescale(飛思卡爾)
PCA9634PW
NXP(恩智浦)
LM385Z-1.2
TI(德州儀器)
SD2931-10W
ST(意法)
WGI210ITSLJXT
INTEL(英特爾)
ADP3050ARZ
ADI(亞德諾)
PCA9515AD
Philips(飛利浦)
SRC4190IDBR
TI(德州儀器)
BQ24192RGER
TI(德州儀器)
MC33887APVW
Freescale(飛思卡爾)
BCM54810C0KMLG
Broadcom(博通)
MT51J256M32HF-70:B
micron(鎂光)
LT1965EMS8E
LINEAR(凌特)
MC33665ATF4AE
CY7C4142KV13-106FCXC
Cypress(賽普拉斯)
LM3401MM
TI(德州儀器)
88Q5072-B2-BYZ2A000
Marvell(美滿)
DAC312HS
PMI
NV6134A
TPS25942ARVCR
TI(德州儀器)
TPS62743YFPR
TI(德州儀器)
TPS54225PWPR
TI(德州儀器)
MAX3051ESA+T
Maxim(美信)
TPS56637RPAR
TI(德州儀器)
SQM120P06-07L_GE3
Vishay(威世)
TPS53015DGSR
TI(德州儀器)
SUD50P04-08-GE3
Vishay(威世)
OPA657NB/250
TI(德州儀器)
TJA1057GT/3J
NXP(恩智浦)
AD8606ARMZ-R7
ADI(亞德諾)
TPS54328DDAR
TI(德州儀器)
FDB075N15A
ON(安森美)
SMBJ5.0A
ST(意法)
LM324MX/NOPB
NS(國半)
MMSZ5232BT1G
ON(安森美)
TPS51218DSCR
TI(德州儀器)
F280049PZSR
TI(德州儀器)
LMK04832NKDT
TI(德州儀器)
1N4148WT-7
Diodes(美臺)
LTC6820HMS#3ZZTRPBF
ADI(亞德諾)
MAX3845UCQ+D
Maxim(美信)
TPS2115APWR
TI(德州儀器)
ADXL357BEZ-RL7
ADI(亞德諾)
PCA9575PW2
NXP(恩智浦)
LFCN-3000+
Mini-Circuits
IRFB4127PBF
Infineon(英飛凌)
MIC5205YM5-TR
Micrel(麥瑞)
CAVC16T245QDGVRQ1
TI(德州儀器)
MBRA2H100T3G
ON(安森美)
PCA9554APW
Philips(飛利浦)
TPS7A6950QDRQ1
TI(德州儀器)
EP1C6Q240I7N
ALTERA(阿爾特拉)
AD5700-1BCPZ-RL7
ADI(亞德諾)
ADA4807-2ARMZ-R7
ADI(亞德諾)
TLE4207G
Infineon(英飛凌)
IR2181STRPBF
Infineon(英飛凌)
AT24C64D-XHM-T
Microchip(微芯)
HD64F7145F50V
HIT(日立)
AD5060BRJZ-1500RL7
ADI(亞德諾)
ADS8588SIPMR
TI(德州儀器)
TLMG1100-GS08
TI(德州儀器)
LT3042EMSE#TRPBF
LINEAR(凌特)
AT32F403ARCT7
MP1601GTF-Z
MPS(美國芯源)
CSD95372BQ5M
TI(德州儀器)
LFCN-3800+
Mini-Circuits
LM321MF/NOPB
TI(德州儀器)
MOCD213R2M
ON(安森美)
OPA842IDBVR
TI(德州儀器)
AT90PWM316-16MU
Atmel(愛特梅爾)
FDMC8327L
Fairchild(飛兆/仙童)
TCCH-80+
Mini-Circuits
