ISO1410BDWR 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid
ISO1410BDWR
Brand Name
Texas Instruments
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
7214517944
包裝說(shuō)明
SOIC-16
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Taiwan
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
7.18
Samacsys Description
RS-422/RS-485 Interface IC EMC protected, 500-Kbps, half-duplex, 5-kVrms isolated RS-485 & RS-422 transceiver 16-SOIC -40 to 125
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
差分輸出
YES
驅(qū)動(dòng)器位數(shù)
1
輸入特性
DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成電路類(lèi)型
LINE TRANSCEIVER
接口標(biāo)準(zhǔn)
EIA-485-A; TIA-485-A; EIA-422
JESD-30 代碼
R-PDSO-G16
JESD-609代碼
e4
長(zhǎng)度
10.3 mm
濕度敏感等級(jí)
2
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
16
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
最大接收延遲
135 ns
接收器位數(shù)
1
座面最大高度
2.65 mm
最大供電電壓
5.5 V
最小供電電壓
1.71 V
標(biāo)稱(chēng)供電電壓
3.3 V
電源電壓1-最大
5.5 V
電源電壓1-分鐘
3 V
電源電壓1-Nom
5 V
表面貼裝
YES
溫度等級(jí)
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
最大傳輸延遲
570 ns
寬度
7.5 mm
ISO1410BDWR 隔離式收發(fā)器的技術(shù)分析與應(yīng)用
引言
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,電子設(shè)備在各個(gè)行業(yè)中的應(yīng)用愈加廣泛,尤其是在工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備和通信領(lǐng)域。隔離式收發(fā)器作為一種重要的電子元器件,在確保信號(hào)準(zhǔn)確傳輸?shù)耐瑫r(shí),也提供了必要的電氣隔離,以保護(hù)設(shè)備和數(shù)據(jù)的安全。ISO1410BDWR是一款典型的隔離式收發(fā)器,其設(shè)計(jì)理念與技術(shù)性能在很多應(yīng)用中展現(xiàn)出較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。
ISO1410BDWR的基本參數(shù)
ISO1410BDWR是一款高性能的數(shù)字隔離式收發(fā)器,其主要特點(diǎn)包括高數(shù)據(jù)速率、低功耗以及良好的電磁兼容性。該器件具有雙向數(shù)據(jù)傳輸能力,數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到200 kbps,適用于多種通信協(xié)議。它采用了專(zhuān)利的隔離技術(shù),能夠提供高達(dá)5000Vrms的電氣隔離,這一特性使其在高電壓環(huán)境下工作時(shí),能夠有效地防止電氣干擾和過(guò)電壓對(duì)下游設(shè)備的影響。
在工作溫度范圍內(nèi),ISO1410BDWR能夠在-40℃到+125℃的環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)了多種嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)合。此外,該器件的封裝形式小巧,并且具備良好的散熱性能,使其能夠在高密度的電路板上實(shí)現(xiàn)集成化設(shè)計(jì),滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間和性能的雙重需求。
工作原理
ISO1410BDWR采用了數(shù)字隔離技術(shù),其核心原理在于通過(guò)光耦合器或磁耦合器進(jìn)行信號(hào)隔離和傳輸。在信號(hào)的發(fā)射端,輸入信號(hào)會(huì)被轉(zhuǎn)換為光信號(hào)或電磁波,通過(guò)隔離介質(zhì)進(jìn)行傳輸,最終在接收端被轉(zhuǎn)換回原始信號(hào)。這樣的設(shè)計(jì)不僅可以有效阻隔高壓干擾,還能夠抑制信號(hào)噪聲,提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?
在數(shù)據(jù)的編碼和解碼過(guò)程中,ISO1410BDWR能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)信號(hào)質(zhì)量,并對(duì)信號(hào)進(jìn)行校正。其內(nèi)置的自適應(yīng)均衡功能,可以根據(jù)實(shí)際環(huán)境的變化動(dòng)態(tài)調(diào)整所需的增益和相位,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性和準(zhǔn)確性。這樣的技術(shù)應(yīng)用極大提升了系統(tǒng)的抗干擾能力,尤其是在工業(yè)控制和醫(yī)療監(jiān)測(cè)領(lǐng)域,信號(hào)的可靠性至關(guān)重要。
應(yīng)用領(lǐng)域
ISO1410BDWR由于其優(yōu)秀的隔離特性和良好的傳輸性能,廣泛應(yīng)用于多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。具體應(yīng)用如下:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng),復(fù)雜的電氣環(huán)境容易產(chǎn)生較大的電磁干擾,ISO1410BDWR能夠有效地隔離控制系統(tǒng)與高壓設(shè)備,保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸。這在PLC(可編程邏輯控制器)和傳感器之間的通信中尤為重要。
2. 醫(yī)療設(shè)備:在醫(yī)療設(shè)備中,ISO1410BDWR的高隔離電壓能夠確;颊吆驮O(shè)備之間的電氣安全。應(yīng)用在患者監(jiān)護(hù)儀、醫(yī)療影像設(shè)備等中,確保敏感數(shù)據(jù)的傳輸不受干擾。
3. 通信系統(tǒng):在通信網(wǎng)絡(luò)中,ISO1410BDWR可用于信號(hào)傳輸和數(shù)據(jù)交換,通過(guò)隔離設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)的可靠性。例如,在光纖通信和無(wú)線通信中,信號(hào)的保真度和抗干擾能力至關(guān)重要。
4. 汽車(chē)電子:隨著汽車(chē)電子系統(tǒng)的日益復(fù)雜,ISO1410BDWR為車(chē)載系統(tǒng)提供了電氣隔離,防止車(chē)輛在行駛過(guò)程中外部電磁干擾對(duì)車(chē)載電子設(shè)備的影響。這在電動(dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的應(yīng)用中顯得尤為重要。
5. 消費(fèi)電子:在一些家用電器和個(gè)人電子設(shè)備中,ISO1410BDWR可用于實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的安全通信,通過(guò)隔離設(shè)計(jì)提升產(chǎn)品的安全性和可靠性。
技術(shù)前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,對(duì)電子設(shè)備性能和安全性的要求越來(lái)越高,ISO1410BDWR等隔離式收發(fā)器的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)。未來(lái),隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和智能制造等新興技術(shù)的發(fā)展,隔離式收發(fā)器將在更廣泛的領(lǐng)域中被應(yīng)用,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。
新材料和新技術(shù)的研發(fā),將為ISO1410BDWR帶來(lái)更高的性能與更低的成本。例如,應(yīng)用更先進(jìn)的半導(dǎo)體材料可能提高信號(hào)傳輸?shù)男屎推骷哪陀眯浴M瑫r(shí),結(jié)合智能算法的設(shè)計(jì)思路,使得未來(lái)的隔離式收發(fā)器能夠在更復(fù)雜的工作環(huán)境中,以更高的智能性自我調(diào)節(jié)和優(yōu)化。
在面臨電氣安全、信號(hào)完整性以及系統(tǒng)整合等多個(gè)挑戰(zhàn)的背景下,ISO1410BDWR無(wú)疑是一個(gè)強(qiáng)有力的解決方案,它的普遍應(yīng)用不僅將提升各類(lèi)電子產(chǎn)品的性能,也將推動(dòng)行業(yè)的技術(shù)革新。
ISO1410BDWR
TI(德州儀器)
SN74HC14NSR
TI(德州儀器)
RTL8019AS
REALTEK(瑞昱)
TPS26625DRCR
TI(德州儀器)
10M04SCU169I7G
ALTERA(阿爾特拉)
IRS21867STRPBF
Infineon(英飛凌)
TPS61020DRCR
TI(德州儀器)
XC95288XL-10TQG144C
XILINX(賽靈思)
EP1C6T144C8N
ALTERA(阿爾特拉)
IS61WV51216BLL-10TLI
ISSI(美國(guó)芯成)
IPD35N10S3L-26
Infineon(英飛凌)
BC847
NXP(恩智浦)
VN7050ASTR
ST(意法)
BAT60JFILM
ST(意法)
PIC18F26K20-I/SS
Microchip(微芯)
STPS3150U
ST(意法)
CSD95492QVM
TI(德州儀器)
TAJD107K016RNJ
AVX(京瓷)
TM1650
TM(天微)
FAN7631SJX
ON(安森美)
FIN1001M5X
ON(安森美)
AD9361BBCZ-REEL
ADI(亞德諾)
PIC12F510-I/SN
Micro Commercial Components
BCM5221A4KPTG
Broadcom(博通)
LM317D2TR4G
ON(安森美)
EP2C35F672I8N
ALTERA(阿爾特拉)
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
Fujitsu(富士通)
ATXMEGA64D3-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
VOM1271T
Vishay(威世)
XC6SLX16-2CSG324I
XILINX(賽靈思)
NRVBA340T3G
ON(安森美)
STM32F100C6T6B
ST(意法)
TPS54678RTER
TI(德州儀器)
CP2108-B03-GMR
SILICON LABS(芯科)
SN74HC541NSR
TI(德州儀器)
TDA2822M
UTC(友順)
XCKU060-2FFVA1156E
XILINX(賽靈思)
FQP50N06
ON(安森美)
ST3232CDR
ST(意法)
VIPER12ADIP-E
ST(意法)
AP2127K-ADJTRG1
Diodes(美臺(tái))
INA217AIDWR
TI(德州儀器)
OPA551FAKTWT
TI(德州儀器)
MC68332ACEH20
NXP(恩智浦)
MX25L25635FZ2I-10G
MXIC(旺宏)
LTM4633IY#PBF
LINEAR(凌特)
VNH9013YTR
ST(意法)
FQD3P50TM
Fairchild(飛兆/仙童)
T30-P-A3
NVIDIA
TJA1051T/1
NXP(恩智浦)
W25Q512JVFIQ
WINBOND(華邦)
PIC16F723A-I/SS
Microchip(微芯)
VL53L1CBV0FY/1
ST(意法)
TPS65261RHBR
TI(德州儀器)
FXLS8962AFR1
NXP(恩智浦)
MX30LF1G18AC-TI
MXIC(旺宏)
TXS0102DQMR
TI(德州儀器)
MC908AZ60ACFUE
Freescale(飛思卡爾)
AGL250V5-FGG144I
Microsemi(美高森美)
APM32E103VET6
RTL8201FI-VC-CG
REALTEK(瑞昱)
PIC18F87K90-I/PT
Microchip(微芯)
BQ51050BRHLR
TI(德州儀器)
AD5554BRSZ
ADI(亞德諾)
AD9240ASZ
ADI(亞德諾)
TLE2141IDR
TI(德州儀器)
TPS51100DGQ
TI(德州儀器)
FUSB302MPX
Freescale(飛思卡爾)
MC78M15CDTRKG
ON(安森美)
GD32F330C8T6
GD(兆易創(chuàng)新)
F280049PZS
TI(德州儀器)
MCIMX6S5DVM10AD
NXP(恩智浦)
TL3472IDR
TI(德州儀器)
EPC1441PC8
ALTERA(阿爾特拉)
LSM303AHTR
ST(意法)
STM32F031F6P6
ST(意法)
S9KEAZ128AMLHR
NXP(恩智浦)
FDC638APZ
Freescale(飛思卡爾)
STF13N60M2
ST(意法)
AFBR-2521CZ
Avago(安華高)
AD7291BCPZ
ADI(亞德諾)
HX5120NL
Pulse(YAGEO)
OP279GSZ
ADI(亞德諾)
OPA189IDR
TI(德州儀器)
AD8629ARMZ
ADI(亞德諾)
ICM-40607-A
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
S912ZVCA19F0MLFR
NXP(恩智浦)
MP3426DL-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
STM32F427VIT7TR
ST(意法)
OP1177ARMZ
ADI(亞德諾)
TJA1043TK
NXP(恩智浦)
ULN2003AD
ST(意法)
MTFC8GAMALBH-IT
micron(鎂光)
STM32F427IIH7
ST(意法)
LM3940IMP-3.3
NS(國(guó)半)
88E6321-A0-NAZ2C000
Marvell(美滿(mǎn))
SY56011RMG
Microchip(微芯)
TJA1028T/5V0/10
NXP(恩智浦)
B88069X5433T203
EPF10K30RI208-4
ALTERA(阿爾特拉)
FIN1027AMX
ON(安森美)
LMC6482IMM
TI(德州儀器)
MCIMX6U8DVM10AC
Freescale(飛思卡爾)
EP2C20F256C7N
ALTERA(阿爾特拉)
NTMFS4C022NT1G
ON(安森美)
AX2000-1CGS624M
Microsemi(美高森美)
MCIMX6Q6AVT10ADR
NXP(恩智浦)
ADM3232EARWZ
ADI(亞德諾)
IRFH5301TRPBF
Infineon(英飛凌)
NT5CC256M16EP-EK
Nanya Technology
SPC5606BK0VLU6
NXP(恩智浦)
MAX3485ESA+
Maxim(美信)
SAK-XC2234L-20F66LR
Infineon(英飛凌)
LP2985IM5X-3.3
NS(國(guó)半)
MCF5281CVM80
NXP(恩智浦)
MAX3051ESA
Maxim(美信)
ADUM2401ARWZ
ADI(亞德諾)
SN74LVC373ADW
TI(德州儀器)
HMC213BMS8E
ADI(亞德諾)
TLS810B1EJV50
AD8606ARZ-REEL7
ADI(亞德諾)
TPS54140ADGQR
TI(德州儀器)
TPS2421-2DDAR
TI(德州儀器)
CC2640R2FRHBR
TI(德州儀器)
REF3425IDBVR
TI(德州儀器)
LM22675MRX-5.0/NOPB
TI(德州儀器)