REF3020AIDBZR的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
REF3020AIDBZR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1936405892
零件包裝代碼
SOT-23
包裝說明
GREEN, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China, Malaysia, Philippines, Thailand
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級
1.32
Samacsys Description
2.048V 50ppm/Degrees C, 50uA in SOT23-3 Series (Bandgap) Voltage Reference
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-08-02 10:06:50
YTEOL
15
模擬集成電路 - 其他類型
THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
最大輸入電壓
5.5 V
最小輸入電壓
2.049 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e4
長度
2.92 mm
濕度敏感等級
1
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
1
端子數(shù)量
3
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電壓
2.052 V
最小輸出電壓
2.044 V
標(biāo)稱輸出電壓
2.048 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSSOP
封裝等效代碼
TO-236
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.12 mm
最大供電電壓 (Vsup)
5.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
2.098 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
最大電壓溫度系數(shù)
75 ppm/°C
溫度等級
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.95 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
微調(diào)/可調(diào)輸出
NO
最大電壓容差
0.2%
寬度
1.3 mm
REF3020AIDBZR電壓基準(zhǔn)芯片的特性與應(yīng)用研究
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，電壓基準(zhǔn)芯片在提供穩(wěn)定和精確的參考電壓方面扮演著重要角色。REF3020AIDBZR是一款廣泛應(yīng)用的高精度電壓基準(zhǔn)芯片，具有低噪聲、低漂移和高溫穩(wěn)定性，其核心特性使其在多種應(yīng)用場合中表現(xiàn)卓越。
REF3020AIDBZR芯片由德州儀器（Texas Instruments）設(shè)計(jì)制造，專為高精度測量和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等要求嚴(yán)格的應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。該芯片的輸出電壓可設(shè)置為2.5V，并且具有優(yōu)良的線性和溫度特性，這使得其適合用于精密傳感器、數(shù)據(jù)采集卡和模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）等設(shè)備。
首先，REF3020AIDBZR的輸出電壓穩(wěn)定性是評估其性能的一個(gè)重要指標(biāo)。在變化的工作條件下，輸出電壓的穩(wěn)定性確保了下游電路的正常工作。REF3020AIDBZR的溫度系數(shù)僅為±5ppm/°C，這意味著在溫度變化的情況下，其輸出電壓仍能保持相對穩(wěn)定，這對于對溫度敏感的應(yīng)用極為重要。此外，該芯片的參考電壓精度達(dá)到0.1%，無論是在嚴(yán)格的工業(yè)條件下還是在低功耗消費(fèi)電子中，其性能均沒有明顯的損失。
此外，REF3020AIDBZR還具備極低的噪聲特性，其噪聲密度在0.1Hz至10Hz的頻率范圍內(nèi)非常有限，有助于提高系統(tǒng)的信噪比。噪聲性能的改善使得REF3020AIDBZR可以廣泛應(yīng)用于音頻設(shè)備、傳感器信號調(diào)理及高靈敏度測量系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用中，基準(zhǔn)電壓的噪聲性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和可靠性。
REF3020AIDBZR的輸出電流能力是其另一個(gè)重要指標(biāo)。芯片能夠提供高達(dá)10mA的輸出電流，滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。然而，在處理高輸出電流時(shí)，設(shè)計(jì)者需要考慮電源的選型以及電源對參考電壓的影響。由于其較高的輸出電流能力，REF3020AIDBZR可以輕松驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載，而不會(huì)影響其輸出電壓的精度。
在電源管理方面，REF3020AIDBZR也表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能。其紋波抑制比（PSRR）高達(dá)80dB，這意味著芯片能夠有效地抑制電源引入的噪聲，確保輸出電壓的純凈性。在多個(gè)電源共用的系統(tǒng)中，如ADC或數(shù)字電路，電源噪聲對系統(tǒng)性能的影響顯著，REF3020AIDBZR的高PSRR特性能夠幫助改善系統(tǒng)的整體性能。
REF3020AIDBZR的封裝設(shè)計(jì)亦是其一大特點(diǎn)。該芯片提供多種封裝形式，包括SOIC-8和VSSOP-8，便于在不同的電路設(shè)計(jì)中靈活使用。此外，芯片的低功耗特性使其適合在電池供電的便攜設(shè)備中應(yīng)用，這在當(dāng)前日益增長的移動(dòng)電子市場中顯得尤為重要。對于要求極低功耗的設(shè)計(jì)，REF3020AIDBZR具備的超低靜態(tài)電流（僅需幾微安級別）可顯著延長電池的使用壽命。
在實(shí)際應(yīng)用中，REF3020AIDBZR被廣泛應(yīng)用于精密測量、數(shù)據(jù)采集、儀器儀表、醫(yī)學(xué)設(shè)備及無線通信等多個(gè)領(lǐng)域。例如，在醫(yī)學(xué)成像設(shè)備中，如超聲波或MRI設(shè)備，REF3020AIDBZR的高精度和穩(wěn)定性能夠提供利于提高成像質(zhì)量的參考電壓。此外，其在傳感器和ADC的信號處理應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)精確測量提供了必要的基準(zhǔn)電壓來源。
在數(shù)字信號轉(zhuǎn)換（如ADC和DAC）設(shè)計(jì)中，REF3020AIDBZR的性能表現(xiàn)尤為突出。數(shù)字信號的準(zhǔn)確性依賴于精確的模擬信號，而REF3020AIDBZR正是為此提供了穩(wěn)定和低噪聲的參考電壓。這對于圖像處理、音頻信號處理等領(lǐng)域的高動(dòng)態(tài)范圍和高線性度應(yīng)用尤為關(guān)鍵。
最后，隨著技術(shù)的發(fā)展，REF3020AIDBZR在未來的應(yīng)用將不斷擴(kuò)展，隨著更多高精度應(yīng)用需求的涌現(xiàn)，其在汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化和智能穿戴設(shè)備等領(lǐng)域也將展現(xiàn)出更為重要的作用。信號測量與數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域中對基準(zhǔn)電壓的嚴(yán)格要求，將促進(jìn)REF3020AIDBZR技術(shù)的不斷創(chuàng)新與改進(jìn)，其高性能的電壓基準(zhǔn)特性無疑將為未來的電子設(shè)備提供更為堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
REF3020AIDBZR
TI(德州儀器)
SN74LVC16T245DGGR
TI(德州儀器)
SN74LVC2G04DBVR
TI(德州儀器)
TL082CDR
Burr-Brown(TI)
MC14051BDR2G
ON(安森美)
OP07CP
TI(德州儀器)
PIC16F628A-I/SO
Microchip(微芯)
AT90CAN128-16MU
Atmel(愛特梅爾)
LPC1758FBD80
NXP(恩智浦)
STM32F103RDT6
ST(意法)
STM32F745VET6
ST(意法)
SN74HC14N
TI(德州儀器)
PGA204AU
TI(德州儀器)
ULN2803A
ALLEGRO(美國埃戈羅)
1SMB5924BT3G
ON(安森美)
XCZU47DR-2FFVG1517I
XILINX(賽靈思)
MC9S12C64MFAE
Freescale(飛思卡爾)
DS90UB941ASRTDRQ1
TI(德州儀器)
TLF35584QVVS1
TI(德州儀器)
S29GL512P10TFIR10
SPANSION(飛索)
MT41K512M16HA-125IT:A
micron(鎂光)
FQB34P10TM
ON(安森美)
RT9013-33GB
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
ADF4350BCPZ
ADI(亞德諾)
AD620BRZ
ADI(亞德諾)
MCIMX6L2EVN10AB
Freescale(飛思卡爾)
TPS1H100AQPWPRQ1
TI(德州儀器)
PCA9306DCTR
TI(德州儀器)
ATMEGA128A-MU
Atmel(愛特梅爾)
S912ZVC12F0VLF
NXP(恩智浦)
FDS6680A
Fairchild(飛兆/仙童)
MC34VR500V1ES
NXP(恩智浦)
TXB0104RUTR
TI(德州儀器)
PTN04050AAH
TI(德州儀器)
TFP401APZP
TI(德州儀器)
BMI055
Bosch(博世)
GD32F450ZIT6
GD(兆易創(chuàng)新)
STM32F042F6P6
ST(意法)
PIC16F1508-I/SS
Microchip(微芯)
NVB110N65S3F
ON(安森美)
NLVHC4851ADTR2G
ON(安森美)
LMR14203XMK
TI(德州儀器)
HTS221TR
ST(意法)
MCIMX287CVM4B
NXP(恩智浦)
SIR873DP-T1-GE3
Vishay(威世)
ADS1232IPWR
Burr-Brown(TI)
BSS123
Infineon(英飛凌)
STM32H7B0VBT6
ST(意法)
STM32F767ZGT6
ST(意法)
ATSAMA5D35A-CU
Atmel(愛特梅爾)
STM32F777ZIT6
ST(意法)
PCA9548APW
Philips(飛利浦)
HI-8588PSI
Holt Integrated Circuits Inc.
EN6360QI
ALTERA(阿爾特拉)
S9S08DZ60F2MLH
NXP(恩智浦)
STR712FR2T6
ST(意法)
BTA12-600BRG
ST(意法)
STM32F412VET6
ST(意法)
PTN04050AAD
TI(德州儀器)
AD7564BRZ
ADI(亞德諾)
AD8253ARMZ
ADI(亞德諾)
TPS3813K33QDBVRQ1
TI(德州儀器)
TL431BQDBZR
TI(德州儀器)
USBLC6-4SC6
ST(意法)
RTL8152B-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
W25X40CLSNIG
WINBOND(華邦)
KSZ8041NLI-TR
Micrel(麥瑞)
NCV8402ADDR2G
ON(安森美)
STM32G030K8T6
ST(意法)
BTA16-600BRG
ST(意法)
TQP3M9008
TriQuint (超群)
XC95144XL-10TQG100C
XILINX(賽靈思)
DAC7611U
TI(德州儀器)
MC14538BDR2G
ON(安森美)
MK26FN2M0VMI18
NXP(恩智浦)
ADM2687EBRIZ
ADI(亞德諾)
AD7689BCPZ
ADI(亞德諾)
OPA2134UA
Burr-Brown(TI)
S9S12GN48F1VLC
NXP(恩智浦)
SN65LVDT2DBV
TI(德州儀器)
SP3232EEY-L/TR
SIPEX(西伯斯)
OPA320AIDBVR
TI(德州儀器)
ADS124S08IPBSR
TI(德州儀器)
TPS7A4501DCQR
TI(德州儀器)
LM358ADR
Burr-Brown(TI)
NDS331N
Fairchild(飛兆/仙童)
RX8010SJ
EPSON(愛普生)
24LC64T-I/SN
Microchip(微芯)
TLV320AIC10IPFB
TI(德州儀器)
LAN9514-JZX
smsc
XC7K410T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
TMS320DM365ZCED30
TI(德州儀器)
EP1C3T144C8N
ALTERA(阿爾特拉)
MCHC11F1CFNE3
NXP(恩智浦)
LMH6642MF
TI(德州儀器)
MLX81325LLQ-BMA-103-RE
TPS54040DGQR
TI(德州儀器)
STM32F746IGT6
ST(意法)
PIC32MX575F512L-80I/PT
Microchip(微芯)
XCF16PVOG48C
XILINX(賽靈思)
MCP9700AT-E/TT
MIC(昌福)
LPC11C14FBD48/301
NXP(恩智浦)
AT24C04C-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
SPC5744PFK1AMLQ9
NXP(恩智浦)
SN65HVDA100QDRQ1
TI(德州儀器)
STM32F103RFT6
ST(意法)
ASSR-1611-301E
Avago(安華高)
KSZ8463FRLI
Microchip(微芯)
FT2232D
FTDI(飛特帝亞)
