TPS65131TRGERQ1的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TPS65131TRGERQ1
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1288047191
包裝說明
VQFN-24
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風險等級
0.76
Samacsys Description
Automotive Catalog Split-Rail Converter with Dual Positive and Negative Outputs (300mA typ)
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
其他特性
VOUT2 IS (-15 TO -2)V AVAILABLE WITH INVERTING CONVERTER
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHING REGULATOR
控制模式
VOLTAGE-MODE
控制技術(shù)
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
5.5 V
最小輸入電壓
2.7 V
標稱輸入電壓
3.6 V
JESD-30 代碼
S-PQCC-N24
JESD-609代碼
e4
長度
4 mm
濕度敏感等級
3
最大負輸入電壓
-2 V
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
24
最高工作溫度
105 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電流
0.75 A
最大輸出電壓
15 V
最小輸出電壓
3.2 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HVQCCN
封裝等效代碼
LCC24,.16SQ,20
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認證狀態(tài)
Not Qualified
篩選級別
AEC-Q100
座面最大高度
1 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
BOOST
最大切換頻率
1500 kHz
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
QUAD
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
4 mm
TPS65131TRGERQ1電源芯片是由德州儀器（Texas Instruments）公司推出的一款高性能電源管理解決方案，經(jīng)過專門設(shè)計，用于驅(qū)動各種顯示應(yīng)用，特別適用于液晶顯示器（LCD）和有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器。該芯片具有多通道輸出、寬輸入電壓范圍以及高效率等特點，使其在許多電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。本文將從產(chǎn)品特性、應(yīng)用場景、設(shè)計注意事項以及未來發(fā)展趨勢等多個方面對TPS65131TRGERQ1進行深入探討。
首先，TPS65131TRGERQ1的主要特性包括多通道輸出電壓、超高效率、集成電路設(shè)計等。該芯片通常具有多個輸出，可提供正電壓和負電壓，以滿足不同類型顯示器的供電要求。比如，為了驅(qū)動LCD背光模塊，TPS65131能夠提供高達25mA的輸出電流，確保在高亮度環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。同時，TPS65131TRGERQ1的轉(zhuǎn)換效率高達95%以上，這意味著在轉(zhuǎn)換過程中能量損失極小，使得該芯片在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)出色。由于集成了多種功能組件，這款芯片在減小PCB面積和降低設(shè)計復雜度方面具有顯著優(yōu)勢，從而提升了整體設(shè)計的便捷性與經(jīng)濟性。
在應(yīng)用場景方面，TPS65131TRGERQ1被廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、車載顯示器、便攜式設(shè)備以及多媒體播放設(shè)備中。隨著智能手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的普及，對電源管理芯片的需求也日益增加。TPS65131TRGERQ1的高效率和高集成度使其適合在這些空間受限和功耗敏感的設(shè)備中使用。例如，在便攜式設(shè)備中，長時間待機和快速充電是用戶的基本需求，而TPS65131TRGERQ1能夠通過高效電源轉(zhuǎn)換來延長設(shè)備使用時間，從而提升用戶體驗。
設(shè)計TPS65131TRGERQ1時，工程師需要關(guān)注多個關(guān)鍵設(shè)計參數(shù)，包括輸入電壓范圍、輸出電壓精度、負載響應(yīng)時間等。TPS65131TRGERQ1的輸入電壓范圍通常在1.8V至16V之間，這使其能夠兼容各種電源和電池配置。輸出電壓的精度在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，通常要求在±2%的范圍內(nèi)波動，以確保顯示效果的穩(wěn)定。同時，負載響應(yīng)時間也是設(shè)計中的一個重要參數(shù)，它影響設(shè)備在不同負載條件下的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。在快速變動的負載條件下，TPS65131TRGERQ1能夠迅速調(diào)整輸出，保持電壓的穩(wěn)定，保證設(shè)備正常運行。
此外，在設(shè)計過程中，散熱管理也是一個不可忽視的重要因素。高效率雖然可以減少功耗，但在大負載情況下，芯片的發(fā)熱仍然可能會影響其性能。因此，設(shè)計工程師可以通過合理選擇PCB布局和散熱材料來降低局部溫度，提高芯片的長期穩(wěn)定性。通過有效的熱管理方案，不僅可以提高TPS65131TRGERQ1的可靠性，還能延長系統(tǒng)的使用壽命。
隨著科技的不斷發(fā)展，對電源管理芯片的要求也在不斷提升。未來的TPS65131TRGERQ1可能會在集成度和智能化管理方面進行進一步的創(chuàng)新。例如，未來的版本可能會集成更多的功能，減少外部元件的需求，從而降低成本和設(shè)計復雜度。此外，隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和智能家居的興起，對電源管理的需求也在不斷提升。設(shè)計者將需要考慮如何在低功耗和高性能之間找到平衡，以滿足不斷變化的市場需求。
在兼顧成本和性能的同時，TPS65131TRGERQ1還可能會隨著新材料的應(yīng)用而實現(xiàn)更高的能效比。新型半導體材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在未來的電源管理方案中可能會得到更廣泛的應(yīng)用，它們能夠在更高的頻率下工作，并減少能量損耗。因此，TPS65131TRGERQ1的產(chǎn)品線有可能隨著新技術(shù)的發(fā)展而進行升級，以保持在競爭激烈的市場中的領(lǐng)先地位。
總體而言，TPS65131TRGERQ1電源芯片憑借其高性能、多通道輸出及高效率特性，在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著越來越重要的角色。隨著顯示技術(shù)和移動計算設(shè)備的不斷進步，其在電源管理領(lǐng)域的貢獻將不可小覷，為各類應(yīng)用提供更加可靠、高效的電源解決方案。同時，在日益復雜的市場需求和技術(shù)挑戰(zhàn)下，TPS65131TRGERQ1及其后續(xù)產(chǎn)品將不斷適應(yīng)變化，推動電源管理技術(shù)的進一步發(fā)展。
TPS65131TRGERQ1
TI(德州儀器)
LPC2136FBD64/01
NXP(恩智浦)
REF3325AIDCKR
TI(德州儀器)
HSMG-C170
Avago(安華高)
STM32F217ZGT6
ST(意法)
LTC4366HTS8-2#TRPBF
LINEAR(凌特)
IRLR7843TRPBF
Infineon(英飛凌)
MIC28515T-E/PHA
Microchip(微芯)
RT9293BGJ6
RICHTEK(臺灣立锜)
TPS61161DRVR
TI(德州儀器)
AFBR-2624Z
Avago(安華高)
MT28GU01GAAA1EGC-0SIT
micron(鎂光)
IRLR120NTRPBF
IR(國際整流器)
STM32H730VBT6
ST(意法)
MCIMX536AVV8C
Freescale(飛思卡爾)
TLE8366EV50
Infineon(英飛凌)
ESP32-WROOM-32U
ESPRESSIF 樂鑫
MC20901
PIC16F18323-I/SL
Microchip(微芯)
SN74LVTH16245ADGGR
TI(德州儀器)
MT25QU128ABA1ESE-0SIT
micron(鎂光)
STTH2003CG-TR
ST(意法)
LPC1766FBD100
NXP(恩智浦)
TPA2005D1DRBR
TI(德州儀器)
FQP47P06
Fairchild(飛兆/仙童)
IRF3710STRLPBF
Infineon(英飛凌)
STM32F401CEU6
ST(意法)
HMC347ALP3E
ADI(亞德諾)
MAX40200AUK+T
Maxim(美信)
BQ28Z610DRZR-R1
TI(德州儀器)
SI4432-B1-FMR
SILICON LABS(芯科)
MCIMX6QP6AVT1AB
NXP(恩智浦)
ME6211C33M5G-N
MICRONE(南京微盟)
TPS561208DDCR
TI(德州儀器)
AD7685CRMZ
ADI(亞德諾)
ADS1251U
TI(德州儀器)
LM78L05ACMX
NS(國半)
CSD16301Q2
TI(德州儀器)
STP26NM60N
ST(意法)
AT24C04D-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
MK10DN512VMC10
NXP(恩智浦)
NSI45015WT1G
ON(安森美)
25LC1024T-E/SM
Microchip(微芯)
IS42S16160G-7TLI
ISSI(美國芯成)
NAND256W3A2BN6E
micron(鎂光)
XC3S200A-4FTG256I
XILINX(賽靈思)
MPM3810GQB-Z
MPS(美國芯源)
XC7A200T-1FBG484C
XILINX(賽靈思)
STL140N6F7
ST(意法)
HT7038
ACTIONS
PIC18F2520T-I/SO
Microchip(微芯)
MK10DN512VMD10
NXP(恩智浦)
STM32F411CEY6TR
ST(意法)
AD8055ARZ
ADI(亞德諾)
AO4459
AOS(萬代)
BCM54210SB0KMLG
Broadcom(博通)
CY62256NLL-70SNXC
Cypress(賽普拉斯)
LM1117IMP-3.3
NS(國半)
NVMFD5C466NLT1G
ON(安森美)
VND5E004A30TR-E
ST(意法)
AD8397ARDZ
ADI(亞德諾)
VIPER22A
ST(意法)
ADV7180BST48Z
ADI(亞德諾)
SPC584C70E5QM00X
ST(意法)
TS5A23166DCUR
TI(德州儀器)
AD8221BRZ
ADI(亞德諾)
STB15810
ST(意法)
CDCV304PW
TI(德州儀器)
LMV551QDCKRQ1
TI(德州儀器)
LPC2478FBD208K
NXP(恩智浦)
OP284FSZ
ADI(亞德諾)
STM32L431RBT6
ST(意法)
MK22FN128VLL10
NXP(恩智浦)
MPC7410HX450LE
Freescale(飛思卡爾)
PD55015TR-E
ST(意法)
LPC2136FBD64
NXP(恩智浦)
5M160ZM68C5N
INTEL(英特爾)
HMC832LP6GE
ADI(亞德諾)
CBTU02043HEJ
NXP(恩智浦)
LP3983SAB5F-08
LOWPOWER(微源半導體)
ATA6625C-GAQW
Atmel(愛特梅爾)
EPM7256SRI208-10
ALTERA(阿爾特拉)
FQB1P50TM
ON(安森美)
MC7448HX1400ND
Freescale(飛思卡爾)
STM32F429BGT6
ST(意法)
MCF51JM128VLK
Freescale(飛思卡爾)
MLX81113KDC-BBB-000-RE
Melexis(邁來芯)
MP2639AGR-Z
MPS(美國芯源)
OPA1611AIDR
TI(德州儀器)
FM25W256-G
Cypress(賽普拉斯)
LT1964ES5-SD
ADI(亞德諾)
ANT8110
OP296GSZ
ADI(亞德諾)
SIM7600G
SIMCOM(芯訊通無線)
SN74LVC2T45DCU
TI(德州儀器)
STM32L011G4U6
ST(意法)
LM4040BIM3-2.5
TI(德州儀器)
SAK-TC222S-16F133F
Infineon(英飛凌)
SP3485EN-L
SIPEX(西伯斯)
TJA1100HN
NXP(恩智浦)
AD7927BRUZ
ADI(亞德諾)
LM5085MY
TI(德州儀器)
ADM7150ACPZ-3.3
ADI(亞德諾)
AT24CM01-SHD
Atmel(愛特梅爾)
LT3094EMSE
ADI(亞德諾)
