TL062CDR 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TL062CDR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1420631052
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
針數(shù)
8
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Mexico
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.33.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級
0.63
Samacsys Description
Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
放大器類型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架構(gòu)
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB)
0.01 µA
25C 時(shí)的最大偏置電流 (IIB)
0.0002 µA
最小共模抑制比
70 dB
標(biāo)稱共模抑制比
86 dB
頻率補(bǔ)償
YES
最大輸入失調(diào)電流 (IIO)
0.0002 µA
最大輸入失調(diào)電壓
15000 µV
JESD-30 代碼
R-PDSO-G8
JESD-609代碼
e4
長度
4.9 mm
低-偏置
YES
低-失調(diào)
NO
微功率
YES
濕度敏感等級
1
負(fù)供電電壓上限
-18 V
標(biāo)稱負(fù)供電電壓 (Vsup)
-15 V
功能數(shù)量
2
端子數(shù)量
8
最高工作溫度
70 °C
最低工作溫度
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP8,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
可編程功率
NO
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
篩選級別
MIL-PRF-38535
座面最大高度
1.75 mm
最小擺率
1.5 V/us
標(biāo)稱壓擺率
3.5 V/us
子類別
Operational Amplifier
最大壓擺率
0.5 mA
供電電壓上限
18 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
15 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
BIPOLAR
溫度等級
COMMERCIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
標(biāo)稱均一增益帶寬
1000 kHz
最小電壓增益
3000
寬帶
NO
寬度
3.9 mm
TL062CDR 輸入運(yùn)放器的特點(diǎn)與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，運(yùn)算放大器（Operational Amplifier, Op-Amp）是關(guān)鍵元件之一，其廣泛應(yīng)用于信號處理、濾波、增益放大等多個(gè)領(lǐng)域。TL062CDR作為一款低噪聲、高增益、“J-FET輸入”的運(yùn)算放大器，在工業(yè)電子、儀器儀表和音頻設(shè)備等許多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)探討TL062CDR的技術(shù)特性、工作原理及其在不同應(yīng)用場合中的具體表現(xiàn)。
TL062CDR的基本特性
TL062CDR是一款采用NPN和PNP技術(shù)的集成電路，具有四個(gè)運(yùn)算放大器，每個(gè)放大器具有高輸入阻抗和低噪聲特性。這種特性使得TL062CDR在前置放大器及其他對輸入阻抗要求較高的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。TL062CDR的典型特征如下：
1. 輸入阻抗：TL062CDR具有極高的輸入阻抗，通常達(dá)到10^12歐姆。這使得其能夠與高阻抗信號源完美匹配，避免了信號源電流的影響。
2. 低噪聲：在電路設(shè)計(jì)中，噪聲是一個(gè)重要的指標(biāo)。TL062CDR的輸入噪聲電壓通常約為0.1毫伏，在信號處理和高靈敏度儀器中尤為重要。
3. 寬頻帶：TL062CDR的增益帶寬積在標(biāo)準(zhǔn)條件下可達(dá)到3 MHz，適用于多種頻率范圍的信號處理，確保了其在音頻和視頻應(yīng)用中的有效性。
4. 供電電壓范圍：TL062CDR的供電電壓范圍廣泛，通常在±5V到±15V之間運(yùn)行，這使得其能夠適應(yīng)多種電源配置，增強(qiáng)了其適用性。
工作原理
TL062CDR的工作原理基于運(yùn)算放大器的基本特性，即通過差分輸入端（正向和負(fù)向）對輸入信號進(jìn)行放大。其輸入端的J-FET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）能夠賦予運(yùn)放輸入高阻抗的特性，并實(shí)現(xiàn)低輸入偏置電流。該運(yùn)算放大器的增益可以通過反饋網(wǎng)絡(luò)加以調(diào)節(jié)，反饋網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)直接影響到運(yùn)放的性能和特性。
運(yùn)算放大器的功能在于其能夠執(zhí)行加法、減法、積分和微分等數(shù)學(xué)運(yùn)算，其電路結(jié)構(gòu)允許通過連接多個(gè)運(yùn)放來實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的信號處理。TL062CDR的多通道設(shè)計(jì)使得其能在緊湊的空間內(nèi)集成多個(gè)功能，降低了電路復(fù)雜性并節(jié)省了布線空間。
應(yīng)用領(lǐng)域
TL062CDR憑借其多種優(yōu)越特性，在各個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。以下是一些典型的應(yīng)用場合：
1. 音頻設(shè)備：在音頻處理器中，TL062CDR被廣泛應(yīng)用于前置放大器階段。其低噪聲和高輸入阻抗特性確�？梢郧逦邮蘸头糯笪⑷醯囊纛l信號，有助于保持信號的純凈度。
2. 傳感器信號處理：在各種傳感器應(yīng)用中，輸入運(yùn)放的高阻抗特性能夠有效減小信號源的負(fù)載效應(yīng)。例如，在溫度傳感器或壓力傳感器的電路中，TL062CDR能準(zhǔn)確地放大傳感器信號，以便后續(xù)的數(shù)字處理。
3. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，TL062CDR可用作信號調(diào)理電路的關(guān)鍵組成部分。通過適當(dāng)?shù)脑鲆嬖O(shè)置，運(yùn)放可以有效提高信號的動(dòng)態(tài)范圍。
4. 濾波器設(shè)計(jì)：TL062CDR也常被用于構(gòu)建各種主動(dòng)濾波器，如低通、高通、帶通和帶阻濾波器。利用其線性放大特性，可以設(shè)計(jì)出頻率響應(yīng)平滑且具有良好選擇性的濾波器。
5. 反饋控制系統(tǒng)：在控制系統(tǒng)中，TL062CDR的增益可通過反饋環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)精確的控制策略，廣泛應(yīng)用于自動(dòng)輸出調(diào)節(jié)和精密測量儀器。
優(yōu)勢與局限性
TL062CDR的優(yōu)勢在于其高輸入阻抗、低噪聲以及寬工作范圍等特性，使得它在多個(gè)應(yīng)用中都能夠提供理想的性能。然而，在特定條件下，TL062CDR也存在一定的局限性。
首先，TL062CDR的增益帶寬積雖然滿足一般應(yīng)用需求，但在高頻應(yīng)用中，其增益可能會(huì)有所限制。此外，盡管其具有較好的線性特性，但在非常高的增益配置時(shí)，可能會(huì)影響輸出信號的線性度。
其次，TL062CDR對溫度變化較為敏感，這可能導(dǎo)致在極端環(huán)境下其性能下降。在一些高要求的應(yīng)用中，設(shè)計(jì)師可能需要為此進(jìn)行額外的校正。
最后，TL062CDR的封裝形式也限制了其在一些超小型設(shè)備中的應(yīng)用。在高集成度設(shè)備的設(shè)計(jì)中，開發(fā)人員可能需要尋找更適合的解決方案，以滿足空間和性能的雙重需求。
TL062CDR作為一種經(jīng)典的輸入運(yùn)放器，憑借其優(yōu)越的性能與多樣化的應(yīng)用，展示了運(yùn)算放大器在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的重要性。
TL062CDR
TI(德州儀器)
GD32F130C8T6
ST(意法)
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
micron(鎂光)
CY7C68013A-56LTXC
Cypress(賽普拉斯)
EP4CE22E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM2596S-5.0
NS(國半)
CS4344-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
SN74ACT244PWR
TI(德州儀器)
CY7C53150-20AXI
Cypress(賽普拉斯)
MPX5100DP
NXP(恩智浦)
OPA4277UA
Burr-Brown(TI)
STM32L475VET6
ST(意法)
M25P64-VMF6TP
ST(意法)
K4A4G165WE-BCRC
SAMSUNG(三星)
AR8035-AL1A
Qualcomm(高通)
ADF4156BCPZ
ADI(亞德諾)
MC56F8322MFAE
NXP(恩智浦)
FOD3120SD
Freescale(飛思卡爾)
MCHC11F1CFNE3R
Freescale(飛思卡爾)
AD5421BREZ
ADI(亞德諾)
ADM483EARZ
ADI(亞德諾)
BFN-T10-032D-B0
SAK-TC1796-256F150E
Infineon(英飛凌)
TPS562200DDCR
TI(德州儀器)
TPS53353DQPR
TI(德州儀器)
INA282AIDR
TI(德州儀器)
VIPER22ADIP-E
ST(意法)
TLV2372IDR
TI(德州儀器)
ISOW7841DWER
TI(德州儀器)
LM2902DR2G
MOT(仁懋)
ADS1120IPWR
TI(德州儀器)
ENC28J60-I/SS
MIC(昌福)
6N137SDM
ON(安森美)
EP3C55F484I7N
ALTERA(阿爾特拉)
TNY266PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TPS57160QDGQRQ1
TI(德州儀器)
PIC16F716-I/SO
MIC(昌福)
MKL25Z128VLH4
NXP(恩智浦)
XC7S75-2FGGA484C
XILINX(賽靈思)
TMS320C6657CZHA
TI(德州儀器)
ADP123AUJZ-R7
ADI(亞德諾)
STM32F100RBT6B
ST(意法)
ADM3202ARNZ
ADI(亞德諾)
UDA1334ATS/N2
Philips(飛利浦)
MRFE6VP100HR5
Freescale(飛思卡爾)
HI3531ARBCV100
Hisilicon
PIC24EP256GU810-I/PF
Microchip(微芯)
DRV8313PWPR
TI(德州儀器)
LM2576T-ADJ
ON(安森美)
MCF52258AG80
Freescale(飛思卡爾)
TLP350
TOSHIBA(東芝)
LMR62014XMFX
TI(德州儀器)
VNH3SP30
ST(意法)
SN65HVD230D
TI(德州儀器)
DAC8814ICDB
TI(德州儀器)
ACPL-247-500E
Avago(安華高)
TL431AIDR
ON(安森美)
MAX232IDR
Maxim(美信)
IRF840PBF
Vishay(威世)
STM32F746ZGT6
ST(意法)
FM24CL16B-GTR
RAMTRON
LPC2378FBD144
NXP(恩智浦)
PIC16F684-I/SL
Microchip(微芯)
STM32L071RBT6
ST(意法)
HI-8597PSTF
Holt Integrated Circuits Inc.
S29AL008J70TFI020
Cypress(賽普拉斯)
XTR115U
Burr-Brown(TI)
S912XET256W1MAA
Freescale(飛思卡爾)
TJA1040T
NXP(恩智浦)
LMZ10503TZ-ADJ
NS(國半)
ADF4159CCPZ
ADI(亞德諾)
LM3445MM
NS(國半)
TPS5420DR
Burr-Brown(TI)
TPS73633DBVR
TI(德州儀器)
SN74AHC1G04DBVR
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-30A-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
AR8033-AL1A
GENITOP(高通)
ISO1176TDWR
TI(德州儀器)
OPA2140AIDR
ADI(亞德諾)
TLV320AIC23BPWR
TI(德州儀器)
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
micron(鎂光)
IKW40N120T2
IR(國際整流器)
MIMXRT1052DVL6B
NXP(恩智浦)
OP177GSZ
ADI(亞德諾)
WGI210IT
INTEL(英特爾)
STM32G431CBU6
ST(意法)
MAX3490ESA
Maxim(美信)
XCVU3P-2FFVC1517I
XILINX(賽靈思)
SSM2166SZ
ADI(亞德諾)
FS32K144HFT0VLLR
NXP(恩智浦)
FT2232HL
FTDI(飛特帝亞)
MAX9276AGTN/V+T
Maxim(美信)
ADM3485EARZ-REEL7
TI(德州儀器)
TPS2051CDBVR
TI(德州儀器)
INA118U/2K5
TI(德州儀器)
LM35DZ/NOPB
NS(國半)
H1102NLT
Pulse(YAGEO)
MBRS260T3G
ON(安森美)
SN74AHC1G14DBVR
TI(德州儀器)
NRVTSA4100ET3G
ON(安森美)
88E6352-A1-TFJ2C000
Marvell(美滿)
LM224DR
TI(德州儀器)
EP4CE115F29C8N
INTEL(英特爾)
88E6390-A0-TLA2I000
Marvell(美滿)
STPS5L60S
ST(意法)
LF347DR
TI(德州儀器)
CY8C27443-24PVXIT
Cypress(賽普拉斯)
STM8L151K4T6
ST(意法)
MC56F8013VFAE
Freescale(飛思卡爾)
HMC424ALP3E
ADI(亞德諾)
OPA2180IDR
TI(德州儀器)
LTM4622IY
ADI(亞德諾)
LMR33630APCQRNXRQ1
TI(德州儀器)
ICM-42627
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
LM5007MM
NS(國半)
PEX8112-AA66BIF
PLX
TPS62097RWKR
TI(德州儀器)
LM2676SX-5.0/NOPB
TI(德州儀器)
TPS53515RVER
TI(德州儀器)
CP2105-F01-GMR
SILICON LABS(芯科)
LM311DR
ON(安森美)
