BZW50-33B的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
BZW50-33B
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1433663611
包裝說明
PLASTIC, R6, 2 PIN
針數(shù)
2
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.50
Factory Lead Time
25 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.49
Samacsys Description
Peak pulse power:\r\n– 5000 W (10/1000 μs)\r\n– up to 60 kW (8/20 μs)\r\n• Stand-off voltage range from 12 V to 180 V\r\n• Unidirectional and bidirectional types\r\n• Operating Tj\r\n max: 175 °C\r\n• High power capability at Tj\r\n max.: up to 3700 W (10/1000 µs)\r\n• Lead finishing: matte tin plating
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2024-07-13 05:18:35
YTEOL
6.78
其他特性
UL RECOGNIZED
最小擊穿電壓
36.6 V
擊穿電壓標(biāo)稱值
41 V
外殼連接
ISOLATED
最大鉗位電壓
76 V
配置
SINGLE
最小二極管電容
2875 pF
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代碼
O-PALF-W2
JESD-609代碼
e3
最大非重復(fù)峰值反向功率耗散
5000 W
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
ROUND
封裝形式
LONG FORM
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
6.5 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
參考標(biāo)準(zhǔn)
UL RECOGNIZED
最大重復(fù)峰值反向電壓
33 V
最大反向電流
5 µA
表面貼裝
NO
技術(shù)
AVALANCHE
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
NOT SPECIFIED
BZW50-33B浪涌保護(hù)器的特性與應(yīng)用
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備和電力系統(tǒng)中，浪涌保護(hù)器作為防止瞬態(tài)過電壓效應(yīng)的一種重要設(shè)備，受到了越來越多的關(guān)注。特別是在高能量設(shè)備和敏感電子設(shè)備中，浪涌保護(hù)器的作用顯得尤為重要。其中，BZW50-33B是一種常見的壓敏電阻型浪涌保護(hù)器，其設(shè)計(jì)和性能特點(diǎn)使其在眾多應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出優(yōu)秀的浪涌保護(hù)能力。本文旨在探討BZW50-33B浪涌保護(hù)器的工作原理、特性、應(yīng)用及其在電力系統(tǒng)中的重要性。
BZW50-33B浪涌保護(hù)器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
BZW50-33B浪涌保護(hù)器是一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），其主要由壓敏電阻和陶瓷材料構(gòu)成。這種器件通常包括兩個(gè)對(duì)稱的PN結(jié)，利用它們的擊穿特性在瞬態(tài)過電壓出現(xiàn)時(shí)快速響應(yīng)，從而將過電壓抑制到安全范圍內(nèi)。BZW50-33B的額定電壓為33V，可以在瞬間承受高達(dá)50A的浪涌電流。這種強(qiáng)大的瞬態(tài)抑制能力使其在保護(hù)電路方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
當(dāng)浪涌電壓出現(xiàn)時(shí)，BZW50-33B迅速導(dǎo)通，形成短路通路，將過電壓引導(dǎo)至地，從而保護(hù)連接在其上的敏感設(shè)備不受損害。其反向擊穿特性使得它能夠承受大部分的電壓尖峰并將負(fù)載的損壞降到最低。此外，由于其相對(duì)較低的引線電感，它在抑制高頻噪聲方面也顯示出良好的能力。
性能特征分析
BZW50-33B浪涌保護(hù)器的性能特征可以從多個(gè)方面進(jìn)行分析。首先，其優(yōu)良的電壓限制特性是其重要的性能指標(biāo)之一。在浪涌電壓到達(dá)保護(hù)器時(shí)，能迅速將尖峰電壓限制在規(guī)定的安全水平內(nèi)。這種快速響應(yīng)的特性對(duì)于避免設(shè)備損壞至關(guān)重要。
其次，BZW50-33B的重復(fù)使用能力也是其顯著特點(diǎn)。在多次浪涌沖擊后，仍能保持其性能，確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。這種重復(fù)老化能力使得該器件非常適合應(yīng)用于電力供應(yīng)系統(tǒng)和工業(yè)控制系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可能頻繁遭受浪涌干擾。
再者，其高浪涌電流承受能力，使得BZW50-33B能夠在短時(shí)間內(nèi)處理高達(dá)50A的瞬態(tài)電流。這意味著它可以有效保護(hù)如變壓器、發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等大功率設(shè)備，降低過電壓對(duì)設(shè)備造成的潛在威脅。同時(shí)，該器件在極端條件下依舊能夠工作，顯示出良好的環(huán)境適應(yīng)性。
應(yīng)用領(lǐng)域
BZW50-33B浪涌保護(hù)器在眾多領(lǐng)域中均有廣泛應(yīng)用。首先是消費(fèi)電子領(lǐng)域。在家庭電器中，如電視、音響設(shè)備以及電腦等，它可以有效防止因雷電或電力網(wǎng)絡(luò)波動(dòng)而造成的損壞。此外，在子系統(tǒng)中，采用BZW50-33B作為電源前級(jí)保護(hù)，能夠極大提升設(shè)備可靠性。
其次，在工業(yè)領(lǐng)域，BZW50-33B的應(yīng)用尤為重要。在電力設(shè)備、自動(dòng)化控制系統(tǒng)及大型機(jī)械設(shè)備中，由于電機(jī)啟動(dòng)、運(yùn)行及停機(jī)過程中可能引發(fā)的浪涌現(xiàn)象，采用浪涌保護(hù)器可以顯著降低設(shè)備故障率。這不僅延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命，還減少了維修成本。
此外，BZW50-33B也廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。在這些設(shè)備中，浪涌可能會(huì)對(duì)信號(hào)處理和數(shù)據(jù)傳輸造成干擾，影響其穩(wěn)定性和可靠性。通過在電源線和信號(hào)線引入BZW50-33B浪涌保護(hù)器，可以有效抑制這些干擾，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?
設(shè)計(jì)考量
在設(shè)計(jì)使用BZW50-33B浪涌保護(hù)器的電路時(shí)，需要考慮多個(gè)因素。首先，保護(hù)器的接入方式對(duì)其工作效果有著顯著影響。通常推薦將其盡可能靠近被保護(hù)設(shè)備接入電路，以降低線路上的阻抗和感抗，從而保證浪涌電流能夠盡快被引導(dǎo)至地。
其次，選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路也是至關(guān)重要的。這不僅涉及到電路的設(shè)計(jì)，還包括元器件的選用及布局。確保電源回路和信號(hào)反饋回路的絕緣以及屏蔽，可以進(jìn)一步提高BZW50-33B在此電路中的保護(hù)效果。
此外，環(huán)境因素同樣需要考慮。在惡劣環(huán)境下（如高溫、高濕或高污染環(huán)境），可能會(huì)影響BZW50-33B的工作穩(wěn)定性。因此，針對(duì)特定應(yīng)用場(chǎng)景，要評(píng)估環(huán)境對(duì)BZW50-33B的影響，并做出相應(yīng)的防護(hù)措施。
未來發(fā)展方向
隨著科技的不斷進(jìn)步，浪涌保護(hù)器的性能要求也日益提高。未來BZW50-33B及其他類似產(chǎn)品的發(fā)展可能會(huì)更加側(cè)重于小型化、高能效以及智能化。隨著智能電網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，浪涌保護(hù)器的集成度和智能化水平將成為重要的發(fā)展方向。設(shè)計(jì)者需要在確保高保護(hù)性能的同時(shí)，也要注重器件的智能管理與通訊能力，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的更高效運(yùn)作和維護(hù)。
同樣，環(huán)保因素也將在未來的浪涌保護(hù)器設(shè)計(jì)中扮演越來越重要的角色。新材料的運(yùn)用和制造工藝的改進(jìn)將使得浪涌保護(hù)器的環(huán)境友好性顯著提高，這將推動(dòng)行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
總的來說，BZW50-33B浪涌保護(hù)器在眾多領(lǐng)域的應(yīng)用證明了其在保護(hù)電子設(shè)備方面的重要性。通過對(duì)其特性、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用的深入分析，可以看出其在未來的發(fā)展?jié)摿褪袌?chǎng)價(jià)值。
STM32F207VET6
ST(意法)
AT90CAN128-16AU
Atmel(愛特梅爾)
KSZ9031RNXIC
Microchip(微芯)
LSM6DSLTR
ST(意法)
SN74HC14DR
TI(德州儀器)
K4A8G165WC-BCTD
SAMSUNG(三星)
STM8S005C6T6
ST(意法)
ADUM1201BRZ
ADI(亞德諾)
PIC32MX795F512L-80I/PT
PIC Wire & Cable
NE555DR
Philips(飛利浦)
TJA1040T/CM
Philips(飛利浦)
TMS320F28035PNT
TI(德州儀器)
STM32F205RET6
ST(意法)
ADM2587EBRWZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADS1220IPWR
TI(德州儀器)
IRLML6401TRPBF
Infineon(英飛凌)
LPC2368FBD100
Philips(飛利浦)
LM393DR2G
ON(安森美)
K4F6E3S4HM-MGCJ
SAMSUNG(三星)
AD9363BBCZ
ADI(亞德諾)
PIC12F675-I/SN
MIC(昌福)
MAX485ESA+T
ADI(亞德諾)
MP2359DJ-LF-Z
TI(德州儀器)
MURS320T3G
ON(安森美)
MT41K128M16JT-125:K
micron(鎂光)
AT24C16C-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
PIC18F25K80-I/SS
Microchip(微芯)
TLV1117LV33DCYR
TI(德州儀器)
LSM6DSOTR
ST(意法)
TPS54620RGYR
Burr-Brown(TI)
MURS360T3G
ON(安森美)
ATXMEGA128A4U-MH
Microchip(微芯)
LM2675MX-5.0
NS(國(guó)半)
MAX232ESE
TI(德州儀器)
AO3401A
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
W25Q16JVSSIQ
WINBOND(華邦)
W25Q128FVSIG
WINBOND(華邦)
2N6718
SAMSUNG(三星)
2N7002LT1G
NXP(恩智浦)
ADXL357BEZ
ADI(亞德諾)
FS32K144HFT0VLHT
NXP(恩智浦)
IRLML6402TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
TPS54231DR
TI(德州儀器)
EN6347QI
TI(德州儀器)
AT89S52-24AU
Atmel(愛特梅爾)
VNI4140KTR
ST(意法)
XC6SLX4-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
LM1117MPX-3.3
TI(德州儀器)
STM32H743XIH6
ST(意法)
SN65LBC184DR
TI(德州儀器)
IPT60R028G7
Infineon(英飛凌)
TXS0104EPWR
TI(德州儀器)
XC7Z045-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
S9S12G128AMLF
Freescale(飛思卡爾)
TMS320C6657CZH
TI(德州儀器)
TMS320LF2407APGEA
TI(德州儀器)
STM32F205VET6
ST(意法)
GD32F103RET6
GD(兆易創(chuàng)新)
GD32F303CCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
XC7Z020-1CLG484I
XILINX(賽靈思)
PCF7953XTTC1AC2000
NXP(恩智浦)
TPS54260DGQR
TI(德州儀器)
TPS563201DDCR
TI(德州儀器)
TPS61040DBVR
Burr-Brown(TI)
EPM1270T144I5N
ALTERA(阿爾特拉)
ADS1248IPW
TI(德州儀器)
AT32F421K8U7
TPS54360DDAR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3
NXP(恩智浦)
TPS61030PWPR
TI(德州儀器)
BAT54C
Diodes(美臺(tái))
HCPL-0631-500E
Avago(安華高)
TPS82130SILR
TI(德州儀器)
EPCS64SI16N
TAIWAN(臺(tái)產(chǎn))
EP5388QI
ALTERA(阿爾特拉)
TPS74401RGWR
TI(德州儀器)
REF3033AIDBZR
TI(德州儀器)
LM324DR2G
ON(安森美)
XCF01SVOG20C
XILINX(賽靈思)
XC7K160T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
TJA1042T
NXP(恩智浦)
MP9943GQ-Z
MPS(美國(guó)芯源)
LM2903DR2G
TI(德州儀器)
LM3481QMM/NOPB
TI(德州儀器)
STM32F100C8T6B
ST(意法)
TPS54560DDAR
TI(德州儀器)
XC6SLX9-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
MKL15Z128VLH4
Freescale(飛思卡爾)
INA226AIDGSR
TI(德州儀器)
STM32H735RGV6
ST(意法)
TMS320LF2406APZA
TI(德州儀器)
XC6SLX16-2FTG256C
XILINX(賽靈思)
AT24C512C-SSHD-T
Atmel(愛特梅爾)
STM32F103VGT6
ST(意法)
RTL8211F-CG
REALTEK(瑞昱)
EP4CE10E22I7N
INTEL(英特爾)
LPC2148FBD64
NXP(恩智浦)
OPA2277UA
TI(德州儀器)
W25Q256JVEIQ
WINBOND(華邦)
TDA7388
ST(意法)
74HC04D
Philips(飛利浦)
NE5532DR
TI(德州儀器)
CSR8670C-IBBH-R
CSR PLC
ISO1540DR
TI(德州儀器)
MMBT5551LT1G
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
NCV8402ASTT1G
ON(安森美)
TPS3823-33DBVR
TI(德州儀器)
TPS92692QPWPRQ1
TI(德州儀器)
XC7A200T-2FBG484I
XILINX(賽靈思)
TMS320F2808PZA
TI(德州儀器)
MCP2551T-I/SN
Microchip(微芯)
SS26-0B00-02
Broadcom(博通)
ADM3485EARZ
ADI(亞德諾)
MC33816AER2
NXP(恩智浦)
FT232RQ-REEL
SILICON LABS(芯科)
LM2904DR2G
MOT(仁懋)
MPU-9250
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
MK60FN1M0VMD15
Freescale(飛思卡爾)
AM3352BZCZD80
TI(德州儀器)
SN74LVC1G07DBVR
TI(德州儀器)
MBRA160T3G
ON(安森美)
EPM570T100I5N
ALTERA(阿爾特拉)
DSPIC33EP512MU814-I/PH
Microchip(微芯)
MIMXRT1052CVL5B
NXP(恩智浦)
TLE9842-2QX
Infineon(英飛凌)
BCM84758AKFSBLG
O3853AQDCARQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA1280-16AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS2065DDBVR
TI(德州儀器)
ATXMEGA128A3U-AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRM140T1G
ON(安森美)
CDSOT23-SM712
Semtech(商升特)
E-L9823013TR
ST(意法)
BSS138
Infineon(英飛凌)
88E1512-A0-NNP2C000
Marvell(美滿)
TJA1042T/1
NXP(恩智浦)
TLV62565DBVR
TI(德州儀器)
PIC18F67K22-I/PT
MIC(昌福)
VN5016AJTR-E
ST(意法)
SN74LVC1G04DBVR
ST(意法)
TXS0108ERGYR
TI(德州儀器)
STM32F207VCT6
ST(意法)
TLP127
TOSHIBA(東芝)
