RU6888R,全新原裝現(xiàn)貨0755-82732291當天發(fā)貨或門市自取.原廠直供代理銷售現(xiàn)貨供應RUICHIPS全系列產(chǎn)品.照片是我們的產(chǎn)品實拍，因產(chǎn)品過多 原因我們未對一一產(chǎn)品進行參數(shù)描述，如需了解更多產(chǎn)品信息和價格歡迎咨詢和購請聯(lián)系我們的 工作人員 電話：零七五五---八二七三二二九一/零七五五---八五二七四六六二 ,QQ:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六 QQ：1755232575 /QQ：1157611585 電話： 0755-82732291/0755-85274662.
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RUICHIPS專業(yè)從事功率集成電路、功率器件系列的設計及半導體微電子相關產(chǎn)品的研發(fā)；生產(chǎn)規(guī)模不斷擴大，產(chǎn)品涵蓋了MOSFET、IC、開關穩(wěn)壓管等。
我們的大電流，大功率，超低阻抗，超快速開關MOS ，擬填補國內空白，在其他產(chǎn)業(yè)也都有廣泛的應用（如：電源，UPS,SMPS,Battery,逆變器，功放，各類消費類電子）。
公司也積極的部署IGBT /CMOS產(chǎn)品的研發(fā)，在電源管理芯片方面已流片成功CMOS 工藝為制程的16路恒流源，最小線寬0.35UM，以及各類開關穩(wěn)壓管、各種低壓差線性穩(wěn)壓器。產(chǎn)品具備高驅動能力、集成度高、體積小而且環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點，主要應用于LED驅動，未來還將在AC-DC、DC-DC方面加大研發(fā)力，提供一個具有成本效益的新一代大功率大電流MOSFET，同時也為客戶提供定制的系統(tǒng)設計。依托于持之以恒的研發(fā)投入，RUICHIPS一直在穩(wěn)定、持續(xù)、快速的發(fā)展，為客戶提供優(yōu)質、創(chuàng)新、低成本的集成電路產(chǎn)品和應用系統(tǒng)。
Ruichips是一家專注從事功率半導體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高新技術企業(yè)，在適配器快充、移動快充、車充、電機控制、新能源、逆變、鋰電保護等應用領域均占有領先地位，RUICHIPS致力于新產(chǎn)品研發(fā)，持續(xù)更新/優(yōu)化新工藝、新技術，現(xiàn)有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產(chǎn)品線、數(shù)百種型號，累計獲得國家發(fā)明專利18項，尤其是RUICHIPS獨創(chuàng)的TO-220內絕緣封裝技術，徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術難點。
MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘�，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點和飽和區(qū)。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路 [1] 。
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