BSC110N15NS5的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
BSC110N15NS5
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
8201093933
包裝說明
SOP-8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險等級
7.57
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-11-16 08:22:24
YTEOL
6.12
雪崩能效等級（Eas）
100 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
150 V
最大漏極電流 (ID)
76 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.011 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)
23 pF
JESD-30 代碼
R-PDSO-F5
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
5
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
304 A
表面貼裝
YES
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
BSC110N15NS5 場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場來控制電流的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）不同，場效應(yīng)管的工作原理主要依賴于電場效應(yīng)，而不是電流。在各種場效應(yīng)管中，BSC110N15NS5是一種廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域的N溝道場效應(yīng)管，因其優(yōu)良的電氣性能和高效率而受到青睞。
一、BSC110N15NS5的基本特性
BSC110N15NS5是一種N溝道MOSFET，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的額定電壓，適用于需要高效率的應(yīng)用。其最大漏極源極電壓（V_DS）可達(dá)150V，最大漏極電流（I_D）為110A，典型導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）低于10毫歐，在高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)良。
該器件的封裝形式通常為TO-247，這種封裝設(shè)計有助于提升散熱性能，使其在高功率運行情況下保持穩(wěn)定的工作溫度。此外，BSC110N15NS5在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的開關(guān)特性，具備快速的上升與下降時間，使其適合于高頻開關(guān)電源（SMPS）等要求高效率快速響應(yīng)的設(shè)備。
二、工作原理
場效應(yīng)管的工作原理基于電場對載流子的控制。對于BSC110N15NS5來說，當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)恼妷簳r，N型半導(dǎo)體中會形成一個導(dǎo)電通道，從而實現(xiàn)從漏極到源極的電流流動。在此過程中，柵極電壓的變化會直接影響到通道的導(dǎo)電性，實現(xiàn)電流的調(diào)制。由于其結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)管能夠提供極高的輸入阻抗，減少了對驅(qū)動電路的負(fù)擔(dān)。
工作時，場效應(yīng)管的漏極電流與柵電壓的關(guān)系呈現(xiàn)出典型的閾值特性，當(dāng)柵電壓達(dá)到一定值時，漏極電流迅速增加。因此，在設(shè)計電路時，合理選定驅(qū)動電壓和信號波形對于場效應(yīng)管的性能至關(guān)重要。
三、散熱管理
在功率電子設(shè)備中，散熱管理是設(shè)計中極為重要的一環(huán)。對于BSC110N15NS5而言，雖然其低導(dǎo)通電阻使得在工作時產(chǎn)生的熱量相對較低，但在高負(fù)載狀態(tài)下依然會出現(xiàn)顯著的溫升。因此，合理的散熱設(shè)計是確保器件安全可靠運行的關(guān)鍵。通常會采用散熱片、風(fēng)扇或液冷等技術(shù)來降低工作溫度，提高器件的使用壽命和穩(wěn)定性。
在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)工作環(huán)境選擇合適的散熱方案，同時在設(shè)計板級散熱時，考慮布局和材料的選擇，以最大程度地提高散熱效率。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
BSC110N15NS5因其優(yōu)異的性能而廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，如開關(guān)電源、逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器等。尤其在高效率電源管理系統(tǒng)中，該器件以其高頻開關(guān)特點減少了能量損耗，提高了整個系統(tǒng)的效率。
在電動車、電池管理系統(tǒng)（BMS）中，該器件可以作為功率開關(guān)使用，幫助實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和控制。同時，BSC110N15NS5在工業(yè)自動化、消費電子等領(lǐng)域亦表現(xiàn)出色，其強大的負(fù)載驅(qū)動能力使其能夠滿足現(xiàn)代高性能設(shè)備的需求。
五、設(shè)計注意事項
在使用BSC110N15NS5進行電路設(shè)計時，工程師需要關(guān)注幾個關(guān)鍵因素。首先，柵極驅(qū)動設(shè)計至關(guān)重要。選擇合適的驅(qū)動電壓和驅(qū)動方式能夠提高開關(guān)速度和降低開關(guān)損耗。其次，布局設(shè)計需要充分考慮電流路徑和散熱性能，以減少電感和電阻引起的能量損失。最后，保護電路設(shè)計也不可或缺，例如過壓保護、過流保護等措施能夠提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。
在實際應(yīng)用中，推薦使用合適的旁路電容，以抑制開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓。此外，對于需要頻繁開關(guān)的場合，合理的開關(guān)頻率選擇能夠在確保系統(tǒng)性能的情況下，降低能量損耗。
六、結(jié)論
BSC110N15NS5作為一種高性能的場效應(yīng)管，以其卓越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用前景，成為設(shè)計師首選的器件之一。無論是在高頻開關(guān)電源、逆變器系統(tǒng)，還是在工業(yè)自動化領(lǐng)域，其性能優(yōu)勢都得到了充分驗證。對其深入理解與合理應(yīng)用，能夠推動功率電子技術(shù)向更高的效率和更強的穩(wěn)定性發(fā)展。
BSC110N15NS5
Infineon(英飛凌)
DS2411R+T&R
Maxim(美信)
FDC6324L
ON(安森美)
TPS7A1601DGNR
TI(德州儀器)
ADM7170ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
PDS5100H-13
Diodes(美臺)
TPS7B8233QDGNRQ1
TI(德州儀器)
LMR14006YDDCR
TI(德州儀器)
DS2E-SL2-DC12V
Panasonic(松下)
AU5411A-QMR
OP2177ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
TPS70445PWPR
TI(德州儀器)
PIC16F819-I/P
MIC(昌福)
STM32F439IGT6
ST(意法)
BSP171PH6327
Infineon(英飛凌)
CDCLVP1208RHDR
TI(德州儀器)
LM358ADGKR
TI(德州儀器)
MMSZ5267BT1G
ON(安森美)
GST5009LF
Pulse(YAGEO)
XC6SLX150-3FGG676I
XILINX(賽靈思)
NCP1529MUTBG
ON(安森美)
HCPL-7800A-000E
Avago(安華高)
IRF8707TRPBF
IR(國際整流器)
M24128-BRMN6TP
ST(意法)
AD8422ARZ-R7
ADI(亞德諾)
AD8616ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
M74VHC1GT08DFT2G
ON(安森美)
RTL8211FSI-VS-CG
REALTEK(瑞昱)
LPC4337JET100
NXP(恩智浦)
SN74HC86DR
TI(德州儀器)
TPS79933QDDCRQ1
TI(德州儀器)
XCR3128XL-10VQG100C
XILINX(賽靈思)
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas(瑞薩)
DFLS160-7
Diodes(美臺)
TMS320F28377DZWTQR
TI(德州儀器)
FAN4860UMP5X
Fairchild(飛兆/仙童)
FDC653N
ON(安森美)
FQB27P06TM
Fairchild(飛兆/仙童)
DS25BR110TSD/NOPB
NS(國半)
XC2S150-5PQG208C
XILINX(賽靈思)
FAN2002MPX
Freescale(飛思卡爾)
TPS61081DRCR
TI(德州儀器)
TPS61372YKBR
TI(德州儀器)
NCV8501D50R2G
ON(安森美)
SMAJ58A
Diodes(美臺)
SN74LVC3G17DCTR
TI(德州儀器)
TPS62130RGTT
TI(德州儀器)
VN5E160ASTR-E
ST(意法)
DLW21HN900SQ2L
MURATA(村田)
MAX3221ECPWR
Maxim(美信)
MAX811REUS+T
Maxim(美信)
PIC32MX370F512H-I/PT
Microchip(微芯)
SGM2576YN5G/TR
SGMICRO(圣邦微)
BAS28
Philips(飛利浦)
FDMC8030
ON(安森美)
IRS44273LTRPBF
IR(國際整流器)
LM25118MHX/NOPB
TI(德州儀器)
STD1NK60T4
ST(意法)
LM25180NGUR
TI(德州儀器)
DVIULC6-4SC6
ST(意法)
LMV321LILT
ST(意法)
TMP411AQDGKRQ1
TI(德州儀器)
TPS74401RGRR
TI(德州儀器)
USB2514B-AEZG
smsc
CDCLVC1103PWR
TI(德州儀器)
DSPIC30F3011-30I/PT
Microchip(微芯)
ISL83202IBZ
Renesas(瑞薩)
88Q2110-A2-NYA2A000
Marvell(美滿)
AD9257BCPZ-40
ADI(亞德諾)
ADA4932-1YCPZ-R7
ADI(亞德諾)
HD64F2612FA20V
Renesas(瑞薩)
HFBR-1521ETZ
Broadcom(博通)
LTV-217-B-G
LITEON(臺灣光寶)
PIC16F883T-I/SS
Microchip(微芯)
BTT6030-2EKA
Infineon(英飛凌)
EP4CE6U14I7N
INTEL(英特爾)
RT9048GSP
RICHTEK(臺灣立锜)
W5100S-L
WIZnet
2ED020I12-FI
Infineon(英飛凌)
ADAR1000ACCZN
ADI(亞德諾)
ADSP-BF592KCPZ-2
ADI(亞德諾)
NC7WB66K8X
Fairchild(飛兆/仙童)
PIC16F616T-I/SL
Microchip(微芯)
PIC18F2420-I/SO
Microchip(微芯)
PL-2303HX
China(國產(chǎn))
L6384ED013TR
ST(意法)
AP2127K-3.3TRG1
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
AT86RF212B-ZU
Microchip(微芯)
IP101GA
IC PLUS(九陽電子)
FDC6326L
ON(安森美)
R5F1026AASP#55
Renesas(瑞薩)
TLE6208-3G
Infineon(英飛凌)
3296W-1-503LF
Bourns(伯恩斯)
DAC43401DSGR
TI(德州儀器)
EL817(C)-F
Everlight(億光)
TPS552882QRPMRQ1
TI(德州儀器)
INA214AQDCKRQ1
TI(德州儀器)
NE555N
TI(德州儀器)
STB30NF20
ST(意法)
TDA8029HL/C207
NXP(恩智浦)
TPD4E1U06DCKR
TI(德州儀器)
NB687GQ-Z
MPS(美國芯源)
NTA4151PT1G
ON(安森美)
OPA2314AIDR
TI(德州儀器)
SN74ABT125DR
TI(德州儀器)
SN74LVC3G04DCTR
TI(德州儀器)
TL431ILP
TI(德州儀器)
URB2405YMD-10WR3
MORNSUN(金升陽)
74LVC125APW
Nexperia(安世)
AD780BNZ
ADI(亞德諾)
LM4040AIM3-3.0+T
Maxim(美信)
MCP3424-E/SL
Microchip(微芯)
W25Q16BVSSIG
WINBOND(華邦)
BAS416
Nexperia(安世)
BTS5008-1EKB
Infineon(英飛凌)
ISO1432BDWR
TI(德州儀器)
MK10DX256VLH7R
Freescale(飛思卡爾)
OPA134UA
Burr-Brown(TI)
PEX8505-AA25BIG
PLX
PIC12F617-I/SN
Microchip(微芯)
SGM61220XTN6G/TR
SGMICRO(圣邦微)
TLP268J
TOSHIBA(東芝)
1B22AN
ADI(亞德諾)
PEX8725-CA80BCG
PLX
REF3020AIDBZT
Burr-Brown(TI)
SY7201ABC
SILERGY(矽力杰)
AT91R40008-66AU
Atmel(愛特梅爾)
LMR38020SDDAR
TI(德州儀器)
LMZ20501SILR
TI(德州儀器)
MAX6371KA+T
Maxim(美信)
OPA659IDBVR
TI(德州儀器)
SM15T100CA
ON(安森美)
AR0143ATSC00XUEA1-DPBR
ON(安森美)
AT25M02-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
LP5907MFX-3.0/NOPB
TI(德州儀器)
MSP430F2619SPM
TI(德州儀器)
