NTJD4001NT1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NTJD4001NT1G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1982034179
零件包裝代碼
SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD
針數(shù)
6
制造商包裝代碼
419B-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
2 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.67
Samacsys Description
Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.25 A, 30 V, 6-pin SOT-363
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.5
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (ID)
0.25 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
2.5 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)
12 pF
JESD-30 代碼
R-PDSO-G6
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
2
端子數(shù)量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.272 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
NTJD4001NT1G 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與應(yīng)用
一、引言
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為一種重要的電子元件，在現(xiàn)代電子技術(shù)中占據(jù)了舉足輕重的地位。其中，NTJD4001NT1G是一種常見的場(chǎng)效應(yīng)管，其結(jié)構(gòu)和特性使其在多種應(yīng)用中得到了廣泛使用。本文將詳細(xì)探討NTJD4001NT1G的工作原理、主要特性、應(yīng)用領(lǐng)域以及其與其他類型場(chǎng)效應(yīng)管的比較。
二、NTJD4001NT1G的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
NTJD4001NT1G屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和柵極。源極（Source）是電子進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)管的地方，漏極（Drain）是電子流出的位置，而柵極（Gate）則用于控制電子流的通斷。
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理主要是通過電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流。當(dāng)在柵極施加一定的電壓時(shí)，柵極與襯底之間產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)影響襯底中自由載流子的數(shù)量。如果柵極電壓高于閾值電壓（Threshold Voltage），會(huì)在襯底上形成一個(gè)導(dǎo)電通道，允許電子從源極流向漏極，從而形成電流。而當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，導(dǎo)電通道會(huì)消失，從而切斷電流。
NTJD4001NT1G的柵極電壓控制了源極與漏極之間的導(dǎo)電性，使得它可以用于放大信號(hào)或作為開關(guān)。由于場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗較高，因此其在信號(hào)處理時(shí)不會(huì)顯著影響后端電路的性能。
三、NTJD4001NT1G的電氣特性
1. 導(dǎo)通電阻：NTJD4001NT1G具有較低的導(dǎo)通電阻，這使其在工作時(shí)能有效降低功耗，提升電路效率。
2. 閾值電壓：該場(chǎng)效應(yīng)管的典型閾值電壓范圍通常在1到2伏之間。這意味著在這個(gè)電壓范圍內(nèi)，管子會(huì)迅速從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
3. 飽和區(qū)和線性區(qū)：NTJD4001NT1G在不同工作條件下表現(xiàn)出優(yōu)良的線性特性，適合用于線性放大電路。此外，它的飽和區(qū)特性使其能夠在低電壓應(yīng)用中高效工作。
4. 頻率響應(yīng)：該器件的頻率響應(yīng)較寬，適用于高頻應(yīng)用，適合用于開關(guān)電源、RF放大器等領(lǐng)域。
四、NTJD4001NT1G的應(yīng)用領(lǐng)域
NTJD4001NT1G在各種電子設(shè)備中均有應(yīng)用，其具體應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于以下幾個(gè)方面：
1. 開關(guān)電源：由于其高效能與快速開關(guān)特性，NTJD4001NT1G被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率。其優(yōu)良的頻率響應(yīng)也使其成為高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的理想選擇。
2. 信號(hào)放大：在音頻放大器、無線通信設(shè)備等領(lǐng)域，NTJD4001NT1G作為小信號(hào)放大器使用，能夠提供高增益并保持良好的線性度，確保音質(zhì)和信號(hào)的穩(wěn)定性。
3. 數(shù)碼電路：在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，NTJD4001NT1G可以作為開關(guān)使用，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、低功耗的數(shù)據(jù)傳輸，符合現(xiàn)代數(shù)字電路對(duì)速度和功耗的雙重要求。
4. LED驅(qū)動(dòng)電路：由于其高輸入阻抗和低功耗特性，NTJD4001NT1G能夠有效驅(qū)動(dòng)LED，尤其是在電池供電的便攜式設(shè)備中，能夠延長(zhǎng)電池壽命。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在一些電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，NTJD4001NT1G可作為高側(cè)或低側(cè)開關(guān)，控制電機(jī)的啟停，同時(shí)保證良好的熱管理，避免過熱損壞。
五、NTJD4001NT1G的優(yōu)缺點(diǎn)
盡管NTJD4001NT1G在許多方面表現(xiàn)優(yōu)異，但也并非沒有缺點(diǎn)。其最大的優(yōu)點(diǎn)是高輸入阻抗和高頻率響應(yīng)，使其在低功耗和高效能的應(yīng)用中非常受歡迎。然而，NTJD4001NT1G的最大缺陷是對(duì)靜電放電（ESD）敏感，這要求設(shè)計(jì)者在應(yīng)用時(shí)采取相應(yīng)的防護(hù)措施。
六、結(jié)尾
在了解了NTJD4001NT1G的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、電氣特性及其應(yīng)用之后，可以看出，NTJD4001NT1G不僅在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著重要作用，同時(shí)也展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。隨著科技的發(fā)展，人們對(duì)電子元件的要求越來越高，NTJD4001NT1G作為場(chǎng)效應(yīng)管的一種典型代表，其發(fā)展前景依然廣闊。
NTJD4001NT1G
ON(安森美)
VNI2140JTR
ST(意法)
R5S72030W200FP
Renesas(瑞薩)
VIPER12ASTR-E
ST(意法)
AR8031-AL1B
Qualcomm(高通)
HFBR-2521Z
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
MP4560DN-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
NEO-M8N-0-10
U-BLOX(優(yōu)北羅)
EP3C120F484I7N
ALTERA(阿爾特拉)
CY62157EV30LL-45BVXI
Cypress(賽普拉斯)
FDL100N50F
ON(安森美)
STP75NF75
ST(意法)
ATMEGA16A-PU
Microchip(微芯)
ICM-42688-P
TDK(東電化)
TLV9062IDR
TI(德州儀器)
TRF7970ARHBR
TI(德州儀器)
DS3234SN
Dallas (達(dá)拉斯)
STM8L101F3P6
ST(意法)
MPX2100DP
Freescale(飛思卡爾)
88E1510-A0-NNB2I000
Marvell(美滿)
STM32L051K8U6
ST(意法)
STW40N60M2
ST(意法)
ATXMEGA256A3U-MH
Atmel(愛特梅爾)
STM32F205ZET6
ST(意法)
PIC16F877A-I/PT
Microchip(微芯)
ADS7953SBRHBR
TI(德州儀器)
GD32F407VGT6
GD(兆易創(chuàng)新)
TL062CDR
TI(德州儀器)
GD32F130C8T6
ST(意法)
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
micron(鎂光)
CY7C68013A-56LTXC
Cypress(賽普拉斯)
EP4CE22E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM2596S-5.0
NS(國(guó)半)
CS4344-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
SN74ACT244PWR
TI(德州儀器)
CY7C53150-20AXI
Cypress(賽普拉斯)
MPX5100DP
NXP(恩智浦)
OPA4277UA
Burr-Brown(TI)
STM32L475VET6
ST(意法)
M25P64-VMF6TP
ST(意法)
K4A4G165WE-BCRC
SAMSUNG(三星)
AR8035-AL1A
Qualcomm(高通)
ADF4156BCPZ
ADI(亞德諾)
MC56F8322MFAE
NXP(恩智浦)
FOD3120SD
Freescale(飛思卡爾)
MCHC11F1CFNE3R
Freescale(飛思卡爾)
AD5421BREZ
ADI(亞德諾)
ADM483EARZ
ADI(亞德諾)
BFN-T10-032D-B0
SAK-TC1796-256F150E
Infineon(英飛凌)
TPS562200DDCR
TI(德州儀器)
TPS53353DQPR
TI(德州儀器)
INA282AIDR
TI(德州儀器)
VIPER22ADIP-E
ST(意法)
TLV2372IDR
TI(德州儀器)
ISOW7841DWER
TI(德州儀器)
LM2902DR2G
MOT(仁懋)
ADS1120IPWR
TI(德州儀器)
ENC28J60-I/SS
MIC(昌福)
6N137SDM
ON(安森美)
EP3C55F484I7N
ALTERA(阿爾特拉)
TNY266PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TPS57160QDGQRQ1
TI(德州儀器)
PIC16F716-I/SO
MIC(昌福)
MKL25Z128VLH4
NXP(恩智浦)
XC7S75-2FGGA484C
XILINX(賽靈思)
TMS320C6657CZHA
TI(德州儀器)
ADP123AUJZ-R7
ADI(亞德諾)
STM32F100RBT6B
ST(意法)
ADM3202ARNZ
ADI(亞德諾)
UDA1334ATS/N2
Philips(飛利浦)
MRFE6VP100HR5
Freescale(飛思卡爾)
HI3531ARBCV100
Hisilicon
PIC24EP256GU810-I/PF
Microchip(微芯)
DRV8313PWPR
TI(德州儀器)
LM2576T-ADJ
ON(安森美)
MCF52258AG80
Freescale(飛思卡爾)
TLP350
TOSHIBA(東芝)
LMR62014XMFX
TI(德州儀器)
VNH3SP30
ST(意法)
SN65HVD230D
TI(德州儀器)
DAC8814ICDB
TI(德州儀器)
ACPL-247-500E
Avago(安華高)
TL431AIDR
ON(安森美)
MAX232IDR
Maxim(美信)
IRF840PBF
Vishay(威世)
STM32F746ZGT6
ST(意法)
FM24CL16B-GTR
RAMTRON
LPC2378FBD144
NXP(恩智浦)
PIC16F684-I/SL
Microchip(微芯)
STM32L071RBT6
ST(意法)
HI-8597PSTF
Holt Integrated Circuits Inc.
S29AL008J70TFI020
Cypress(賽普拉斯)
XTR115U
Burr-Brown(TI)
S912XET256W1MAA
Freescale(飛思卡爾)
TJA1040T
NXP(恩智浦)
LMZ10503TZ-ADJ
NS(國(guó)半)
ADF4159CCPZ
ADI(亞德諾)
LM3445MM
NS(國(guó)半)
TPS5420DR
Burr-Brown(TI)
TPS73633DBVR
TI(德州儀器)
SN74AHC1G04DBVR
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-30A-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AR8033-AL1A
GENITOP(高通)
ISO1176TDWR
TI(德州儀器)
OPA2140AIDR
ADI(亞德諾)
TLV320AIC23BPWR
TI(德州儀器)
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
micron(鎂光)
IKW40N120T2
IR(國(guó)際整流器)
MIMXRT1052DVL6B
NXP(恩智浦)
OP177GSZ
ADI(亞德諾)
WGI210IT
INTEL(英特爾)
STM32G431CBU6
ST(意法)
MAX3490ESA
Maxim(美信)
XCVU3P-2FFVC1517I
XILINX(賽靈思)
SSM2166SZ
ADI(亞德諾)
FS32K144HFT0VLLR
NXP(恩智浦)
FT2232HL
FTDI(飛特帝亞)
MAX9276AGTN/V+T
Maxim(美信)
ADM3485EARZ-REEL7
TI(德州儀器)
