AD7686BRMZ的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
AD7686BRMZ
Brand Name
Analog Devices Inc
是否無(wú)鉛
含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
2085647779
零件包裝代碼
TSSOP
包裝說(shuō)明
LEAD FREE, MO-187BA, MSOP-10
針數(shù)
10
制造商包裝代碼
RM-10
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.66
Samacsys Description
AD7686BRMZ, 16 bit ADC Differential, Serial, 10-Pin MSOP
Samacsys Manufacturer
Analog Devices
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
8.5
最大模擬輸入電壓
5.5 V
最小模擬輸入電壓
最長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)間
1.6 µs
轉(zhuǎn)換器類型
ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION
JESD-30 代碼
S-PDSO-G10
JESD-609代碼
e4
長(zhǎng)度
3 mm
最大線性誤差 (EL)
0.0046%
濕度敏感等級(jí)
1
模擬輸入通道數(shù)量
1
位數(shù)
16
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
10
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
輸出位碼
BINARY
輸出格式
SERIAL
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSSOP
封裝等效代碼
TSSOP10,.19,20
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
采樣速率
0.5 MHz
采樣并保持/跟蹤并保持
TRACK
座面最大高度
1.1 mm
標(biāo)稱供電電壓
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
溫度等級(jí)
INDUSTRIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
DUAL
寬度
3 mm
AD7686BRMZ 模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的特性與應(yīng)用探討
引言
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）作為實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)之間轉(zhuǎn)換的重要組件，發(fā)揮著不可或缺的作用。AD7686BRMZ是一款高性能的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化、醫(yī)療儀器、數(shù)據(jù)采集以及工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。本文將對(duì)AD7686BRMZ的特性、架構(gòu)以及在各種應(yīng)用場(chǎng)景中的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行深入探討。
AD7686BRMZ架構(gòu)
AD7686BRMZ是一款16位、逐次逼近式模數(shù)轉(zhuǎn)換器（SAR ADC），其工作速度可達(dá)到1MSPS（每秒百萬(wàn)次采樣）。該芯片采用了單電源供電，輸入范圍支持從0V到VREF（參考電壓），可用于多種信號(hào)采集場(chǎng)合。AD7686的架構(gòu)設(shè)計(jì)提供了高精度的輸出，適合于高要求的測(cè)量應(yīng)用。
AD7686的內(nèi)部架構(gòu)主要由輸入采樣電路、逐次逼近電路、參考電壓生成電路以及數(shù)字輸出電路組成。經(jīng)過(guò)輸入采樣電路，模擬信號(hào)首先被采樣并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，而逐次逼近電路則在每個(gè)采樣周期內(nèi)通過(guò)一系列的比較操作來(lái)確定該電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的數(shù)字值。此過(guò)程效率高、精確度高，最終輸出的數(shù)字信號(hào)通過(guò)數(shù)字輸出電路傳遞至后續(xù)處理單元。
性能指標(biāo)
AD7686BRMZ在許多關(guān)鍵的性能參數(shù)上表現(xiàn)出色。首先，其非線性失真（INL）和誤差（DNL）均在高精度范圍內(nèi)，使其在高增益和寬動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。其次，該芯片的噪聲性能良好，具有低噪聲特性，使其在環(huán)境變化較大的應(yīng)用中能保持穩(wěn)定的性能。此外，AD7686的功耗相對(duì)較低，適合于移動(dòng)設(shè)備和功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
AD7686BRMZ支持SPI（串行外圍接口）進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，可以方便地與微控制器或數(shù)字信號(hào)處理器連接。這種靈活的接口設(shè)計(jì)使得其在不同的電子系統(tǒng)中具備了廣泛的兼容性，便于系統(tǒng)開發(fā)和應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
模數(shù)轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用可謂無(wú)處不在，而AD7686BRMZ更是因其卓越的性能而被引入多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。在醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備中，AD7686能夠以高精度負(fù)責(zé)心電圖（ECG）、體溫儀和血糖監(jiān)測(cè)等設(shè)備的數(shù)據(jù)采集，確保監(jiān)測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，AD7686則可以用于傳感器數(shù)據(jù)采集、過(guò)程控制和監(jiān)測(cè)，幫助優(yōu)化生產(chǎn)流程與提升生產(chǎn)率。
此外，在一些綠色能源相關(guān)領(lǐng)域，如太陽(yáng)能和風(fēng)能的發(fā)電系統(tǒng)中，AD7686可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池電壓、環(huán)境溫度等參數(shù)，為系統(tǒng)的安全與高效運(yùn)行提供保障。又如在汽車電子領(lǐng)域，AD7686也可用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）中對(duì)各類傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行采集及處理，從而提高車輛安全性與性能。
環(huán)境適應(yīng)性與可靠性
AD7686BRMZ的設(shè)計(jì)不僅僅體現(xiàn)在性能指標(biāo)上，其環(huán)境適應(yīng)性和可靠性也是其受到廣泛青睞的重要原因。該芯片具備寬工作溫度范圍，能夠在-40°C到+125°C的環(huán)境條件下正常工作，使其適用于極端溫度變化的場(chǎng)合。同時(shí)，其抗干擾能力強(qiáng)，在高電磁干擾環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定工作，這對(duì)許多工業(yè)應(yīng)用尤其重要。
在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面，為提高AD7686的使用可靠性，設(shè)計(jì)者需要充分考慮電源的設(shè)計(jì)、布局的優(yōu)化以及接地措施等。經(jīng)過(guò)合理設(shè)計(jì)，可以在實(shí)際應(yīng)用中最大程度地發(fā)揮其性能，同時(shí)降低潛在的故障風(fēng)險(xiǎn)。
未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的進(jìn)步與需求的不斷提升，模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)也在不斷演進(jìn)。未來(lái)的ADC將更向高集成度、高速度與低功耗發(fā)展，以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。在這種趨勢(shì)下，像AD7686BRMZ這樣的高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器將繼續(xù)受到研發(fā)人員的關(guān)注，尤其是在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)和智能制造等新興領(lǐng)域，AD7686的應(yīng)用潛力也將進(jìn)一步釋放。
模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換不僅僅是技術(shù)上的挑戰(zhàn)，更是推動(dòng)智能技術(shù)進(jìn)步的重要基石。AD7686BRMZ的廣泛應(yīng)用與優(yōu)越性能，代表了當(dāng)前模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)的一個(gè)高峰，預(yù)示著未來(lái)電子系統(tǒng)中的更多可能性。在接下來(lái)的技術(shù)發(fā)展中，我們期待AD7686以及類似芯片在應(yīng)用領(lǐng)域不斷創(chuàng)新，為更多智能設(shè)備的實(shí)現(xiàn)提供支持與保障。
AD7686BRMZ
ADI(亞德諾)
ATMEGA128-16AI
Microchip(微芯)
ATMEGA328PB-AN
Microchip(微芯)
DS2Y-S-DC24V
Panasonic(松下)
HSMF-C155
Broadcom(博通)
ISO7310CDR
TI(德州儀器)
M25P10-AVMN6P
ST(意法)
SN74LVC827APWR
TI(德州儀器)
STM32L051C8T6TR
ST(意法)
TEMT1020
Vishay(威世)
ADS1240E
TI(德州儀器)
AT25256B-MAHL-T
Atmel(愛特梅爾)
AT89C51CC03UAT-RLTUM
Microchip(微芯)
AT89S51-24JU
Microchip(微芯)
ATSAMD51J20A-AUT
Microchip(微芯)
AZC099-04S.R7G
AMAZING(晶焱)
BCM5720A0KFBG
Broadcom(博通)
CMV4000-3E12M1PP
AMS(艾邁斯)
CY62167DV30LL-55ZXIT
Cypress(賽普拉斯)
ISO7841DWW
TI(德州儀器)
L9788TR
ST(意法)
LM4951ASDX/NOPB
TI(德州儀器)
LTV-847S
LITEON(臺(tái)灣光寶)
M25P80-VMW6G
ST(意法)
PAM8610TR
PAM(龍鼎微)
PIC18F4680-I/PT
Microchip(微芯)
STC12C5A60S2-35I-PDIP40
STC(宏晶)
STM8S208S6T6C
ST(意法)
AD9513BCPZ-REEL7
ADI(亞德諾)
AOD2610E
AOS(萬(wàn)代)
C8051F040-GQ
SILICON LABS(芯科)
IS61WV204816BLL-10BLI
ISSI(美國(guó)芯成)
LM43601AQPWPRQ1
TI(德州儀器)
LTC2943IDD#PBF
LINEAR(凌特)
MT25QU01GBBB8E12-0AAT
micron(鎂光)
OPA171AIDR
TI(德州儀器)
TPS76833QDR
TI(德州儀器)
XL2596S-ADJE1
XLSEMI(芯龍)
AMS1117-1.5
AMS(艾邁斯)
IRLZ34NPBF
IR(國(guó)際整流器)
LPC1758FBD80K
NXP(恩智浦)
MC34673AEPR2
ON(安森美)
MC9S12NE64CPVE
Freescale(飛思卡爾)
MC9S12XDP512CAL
NXP(恩智浦)
OPA111AM
TI(德州儀器)
P89C668HFA
NXP(恩智浦)
PZT2907AT1G
ON(安森美)
SMAJ5.0CA-E3/61
Vishay(威世)
TPS75533KTTR
TI(德州儀器)
XC2V1000-5FG456I
XILINX(賽靈思)
AD4020BRMZ
ADI(亞德諾)
ATMEGA64M1-15AZ
Microchip(微芯)
FQPF7N80C
Freescale(飛思卡爾)
HI-8454PSIF
Holt Integrated Circuits Inc.
KSZ8041TL
Micrel(麥瑞)
LP2981-33DBVR
TI(德州儀器)
LTC2484CDD#TRPBF
LINEAR(凌特)
MBRB41H100CTT4G
ON(安森美)
MC74VHC1G07DFT1G
ON(安森美)
OPA827AIDR
TI(德州儀器)
PI7C9X110BNBE
Diodes(美臺(tái))
S1ZB60
SHINDENGEN(新電元)
STSPIN32G4
ST(意法)
STW20NM60
ST(意法)
TLE4964-2M
Infineon(英飛凌)
TLV1117-50CDCYR
TI(德州儀器)
TLV320AIC23BIPWRQ1
TI(德州儀器)
TNY284DG-TL
Raspberry Pi
XC7Z045-3FFG900E
XILINX(賽靈思)
24AA512-I/SN
Microchip(微芯)
88E6122-B2-LKJ1C000
Marvell(美滿)
ECLAMP2357NQTCT
Semtech(商升特)
HD06-T
Diodes(美臺(tái))
MAX1644EAE
Maxim(美信)
MSP430FR2422IRHLR
TI(德州儀器)
NCP59800BMNADJTBG
ON(安森美)
PIC32MZ1024EFE100-I/PT
Microchip(微芯)
TME0505S
TRACO Power
TPS71550QDCKRQ1
TI(德州儀器)
TPS7B8601QDDARQ1
TI(德州儀器)
BQ25892RTWR
TI(德州儀器)
C8051F311-GMR
SILICON LABS(芯科)
CH438Q
WCH(南京沁恒)
EECF5R5H105
PanJit(強(qiáng)茂)
LTC2271CUKG#PBF
LINEAR(凌特)
MOC3041SR2M
ON(安森美)
MPM38222GR-Z
MPS(美國(guó)芯源)
SI4431-B1-FMR
SILICON LABS(芯科)
SI53154-A01AGM
SILICON LABS(芯科)
TC4069UBF
TOSHIBA(東芝)
TM1628
TM(天微)
UA9637ACDR
TI(德州儀器)
UC2844BD1013TR
ST(意法)
ASSR-1411-301E
Avago(安華高)
AT89LP6440-20AU
Atmel(愛特梅爾)
ATMEGA649V-8AU
Microchip(微芯)
FM17580
FM(復(fù)旦微)
IMX415-AAQR-C
SONY(索尼)
IRM-H638T/TR2
Everlight(億光)
KLMBG2JENB-B041
SAMSUNG(三星)
LAN9512-JZX
MIC(昌福)
LMH1218RTWR
TI(德州儀器)
MCIMX6U5EVM10AB
NXP(恩智浦)
MUX508IPWR
TI(德州儀器)
N25Q128A13ESE40E
micron(鎂光)
OPA2211AIDRGR
TI(德州儀器)
PCA9539DBR
TI(德州儀器)
PIC16F1503-I/P
Microchip(微芯)
PIC24FJ128GA704-I/PT
Microchip(微芯)
SN65LVDS93AIDGGRQ1
TI(德州儀器)
SN74AUP1G97DCKR
TI(德州儀器)
VS-40TPS12-M3
Vishay(威世)
ZRB500F01TA
Zetex Semiconductors
ASP-134603-01
Samtec
BCP53T1G
ON(安森美)
BCX53
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
CN3791
CONSONANCE(上海如韻)
FDC6301N
ON(安森美)
HD6412240FA20V
Renesas(瑞薩)
L6598D013TR
ST(意法)
MSP430F2121IPWR
TI(德州儀器)
N79E8132AS16
Nuvoton(新唐)
NVMFS5C450NWFAFT3G
ON(安森美)
OPA172IDCKR
TI(德州儀器)
PCF8574AP
Philips(飛利浦)
PE42582A-X
Peregrine Semiconductor
REF5040IDR
TI(德州儀器)
STP45N65M5
ST(意法)
TLE8250G
Infineon(英飛凌)
TMS320C32PCMA50
TI(德州儀器)
TMS320F2812GHHS
TI(德州儀器)
XC3S1200E-4FTG256C
XILINX(賽靈思)
74HC1G66GW
Nexperia(安世)
AD9238BSTZ-65
ADI(亞德諾)
ADG5412BRUZ
ADI(亞德諾)
AM29F040B-70JI
SPANSION(飛索)
BTN7970B
Infineon(英飛凌)
BZV55-C9V1
NXP(恩智浦)
FSGM0565RWDTU
ON(安森美)
GD32F407IGH6
GD(兆易創(chuàng)新)
