FQPF8N80C 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
FQPF8N80C
Brand Name
ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
4001117003
包裝說明
TO-220F, 3 PIN
制造商包裝代碼
221AT
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級
1.41
Samacsys Description
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin TO-220F
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.2
雪崩能效等級（Eas）
850 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
800 V
最大漏極電流 (ID)
8 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
1.55 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
59 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
32 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
FQPF8N80C 場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
引言
場效應(yīng)管作為一種重要的電子元器件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。FQPF8N80C是N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），其具有良好的電流控制特性和較高的開關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于各種功率電子設(shè)備中。本文將探討FQPF8N80C的工作原理、主要特性及其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
場效應(yīng)管的工作原理
場效應(yīng)管（FET）的基本工作原理是利用電場控制半導(dǎo)體內(nèi)的載流子分布，從而實(shí)現(xiàn)對電流的調(diào)節(jié)。FQPF8N80C作為一種MOSFET，是通過其柵極施加電壓來控制源極與漏極之間的電流。MOSFET的結(jié)構(gòu)主要包括源極、漏極和柵極。其工作過程可以分為三個區(qū)域：截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。
在截止區(qū)，柵極電壓低于閾值電壓，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，幾乎沒有電流流過。隨著柵極電壓的增大，MOSFET進(jìn)入線性區(qū)，此時源極與漏極之間的電流隨電壓的增加而線性增長。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時，MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)，電流達(dá)到最大值并保持相對恒定。
FQPF8N80C的主要特性
FQPF8N80C的主要電氣特性包括其額定電壓、電流和功耗等。這些特性使得它在高壓、大功率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
1. 額定電壓和電流
FQPF8N80C的額定漏源電壓為800V，漏極電流為8A。這使得它能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，在很多工業(yè)應(yīng)用中都是理想的選擇。例如，在電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中，能夠處理較大的電壓和電流。
2. 動態(tài)特性
FQPF8N80C具有較低的門極電荷（Qg），約為20nC，這使得其在開關(guān)過程中具有較快的響應(yīng)時間。當(dāng)柵極電壓變化時，MOSFET能夠迅速達(dá)到導(dǎo)通或者截止?fàn)顟B(tài)，從而減少開關(guān)損耗，提高工作效率。這一特性在開關(guān)電源及高頻應(yīng)用中顯得尤為重要。
3. 溫度特性
FQPF8N80C的工作溫度范圍廣泛，可在-55℃至+150℃之間工作。這意味著在惡劣環(huán)境下，MOSFET仍然可以穩(wěn)定工作，保證系統(tǒng)的可靠性。隨著溫度的升高，FQPF8N80C的導(dǎo)通電阻會增加，盡管如此，其溫度系數(shù)相比于其他類型的高壓管仍然較為優(yōu)越。
4. 導(dǎo)通電阻
FQPF8N80C的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為0.8Ω，這一參數(shù)直接影響著器件在工作狀態(tài)下的功耗。較低的導(dǎo)通電阻使其在導(dǎo)通時功耗下降，提升了電源的效率，也降低了熱量產(chǎn)生，有助于系統(tǒng)散熱。
FQPF8N80C的應(yīng)用領(lǐng)域
由于其優(yōu)良的電氣特性，FQPF8N80C在多個領(lǐng)域得到了應(yīng)用，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源
在開關(guān)電源中，FQPF8N80C被廣泛用于開關(guān)調(diào)節(jié)部分，其高壓特性使其能夠承受輸入電壓的波動。同時，較低的開關(guān)損耗提高了電源的整體效率，延長了設(shè)備的使用壽命。
2. 電機(jī)驅(qū)動
在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，FQPF8N80C能夠有效控制電機(jī)的啟動、停機(jī)和速度調(diào)節(jié)。MOSFET的快速開關(guān)特性使得電機(jī)的控制更加精確，提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。
3. 逆變器
FQPF8N80C在太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）中也有應(yīng)用。在這些設(shè)備中，MOSFET可以高效轉(zhuǎn)換直流電與交流電，同時承受高壓，使得整機(jī)系統(tǒng)更為可靠和高效。
4. 其他應(yīng)用
除了上述應(yīng)用外，FQPF8N80C還可用于焊接機(jī)、燈光控制裝置、汽車電子以及各種電池管理系統(tǒng)等。隨著功率電子技術(shù)的發(fā)展，對高壓、高效場效應(yīng)管的需求日益增加。
典型連接電路
在使用FQPF8N80C時，設(shè)計(jì)其驅(qū)動電路是實(shí)現(xiàn)最佳性能的關(guān)鍵。通常情況下，MOSFET的柵極需要通過一個電阻與控制信號相連，以限制柵極電流并確保MOSFET的穩(wěn)定導(dǎo)通。在一些高頻應(yīng)用中，還需要考慮柵極的驅(qū)動能力和響應(yīng)速度，以避免因開關(guān)延遲導(dǎo)致的效率損失。
電路中應(yīng)注意漏極、源極的連接方式，確保其接地良好，同時避免因散熱問題導(dǎo)致MOSFET過載。此外，為保護(hù)FQPF8N80C免受過壓和過流影響，常常在其上游或下游加入保護(hù)電路，以增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。
研發(fā)進(jìn)展與前景
近年來，MOSFET技術(shù)不斷涌現(xiàn)新材料與新結(jié)構(gòu)，以期提升其電氣特性和熱管理能力。關(guān)于FQPF8N80C的衍生產(chǎn)品也在不斷研發(fā)中，例如，采用更低導(dǎo)通電阻的材料，減小功耗與熱量的產(chǎn)生。同時，針對不同應(yīng)用需求的定制MOSFET也逐步進(jìn)入市場，以滿足多樣化的電源需求。
通過對FQPF8N80C及其相關(guān)技術(shù)的深入研究，期待能夠進(jìn)一步改進(jìn)其性能，降低開關(guān)損耗，使其更適用于新能源、智能電網(wǎng)等前沿領(lǐng)域的應(yīng)用。
FQPF8N80C
Fairchild(飛兆/仙童)
LM4562MAX/NOPB
TI(德州儀器)
PIC16F18326-I/SL
Microchip(微芯)
SN74AHCT32QPWRQ1
TI(德州儀器)
TC4427EOA713
MIC(昌福)
TLV62565DBVT
TI(德州儀器)
TS3USB30RSWR
TI(德州儀器)
XC3S200A-4VQG100I
XILINX(賽靈思)
7914J-1-000E
Bourns(伯恩斯)
ASMB-MTB1-0A3A2
Avago(安華高)
INA240A1EDRQ1
TI(德州儀器)
MCP2515-E/ST
Microchip(微芯)
MK26FN2M0VLQ18
NXP(恩智浦)
NVMFS5C604NLWFT1G
ON(安森美)
10CL055YU484I7G
INTEL(英特爾)
ADS42LB69IRGCT
TI(德州儀器)
ASL5115SHN
NXP(恩智浦)
ISO1042BDWR
TI(德州儀器)
LFXP2-8E-5TN144C
Lattice(萊迪斯)
NIS5232MN1TXG
ON(安森美)
SGM2054XTD10G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SGM2211-ADJXN5G/TR
SGMICRO(圣邦微)
STM32G071G8U6N
ST(意法)
XC6SLX75-3FGG484C
XILINX(賽靈思)
744222
Wurth(伍爾特)
DMP2160UW-7
Opto Diode Corporation
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay(威世)
VLS6045EX-150M
TDK(東電化)
10CL040YU484C8G
ALTERA(阿爾特拉)
ACM9070-701-2PL-TL01
TDK(東電化)
ADS1015IDGST
TI(德州儀器)
AON7401
AOS(萬代)
BSZ520N15NS3G
Infineon(英飛凌)
HT66F0021
HOLTEK(合泰)
LM317D2TG
ON(安森美)
MGA-86563-TR1G
Avago(安華高)
MSB92ASWT1G
ON(安森美)
SI8422BB-D-ISR
SILICON LABS(芯科)
SN7002NH6327
Infineon(英飛凌)
SN74LVC1G139DCUR
TI(德州儀器)
SN75452BP
TI(德州儀器)
1050170001
Molex(莫仕)
2N7002DW
ON(安森美)
AT24CM02-SSHM-B
Microchip(微芯)
ATA6614Q-PLQW-1
Atmel(愛特梅爾)
IRLR2905ZTRPBF
Infineon(英飛凌)
PIC16F1828-I/SO
Microchip(微芯)
TLP621-4GB
ISOCOM COMPONENTS
TOP234YN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ZXGD3004E6TA
Diodes(美臺)
ACPL-H342-500E
Avago(安華高)
ATMEGA324PB-MU
Microchip(微芯)
CS5368-CQZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
FM24V05-GTR
Cypress(賽普拉斯)
LT1513-2IT7#PBF
LINEAR(凌特)
LTM4624EY#PBF
LINEAR(凌特)
MADP-000907-14020P
MACOM
MC78M12ABDTRKG
ON(安森美)
TIP107
ON(安森美)
TS3A4741DCNR
TI(德州儀器)
AD7686BRMZ
ADI(亞德諾)
ATMEGA128-16AI
Microchip(微芯)
ATMEGA328PB-AN
Microchip(微芯)
DS2Y-S-DC24V
Panasonic(松下)
HSMF-C155
Broadcom(博通)
ISO7310CDR
TI(德州儀器)
M25P10-AVMN6P
ST(意法)
SN74LVC827APWR
TI(德州儀器)
STM32L051C8T6TR
ST(意法)
TEMT1020
Vishay(威世)
ADS1240E
TI(德州儀器)
AT25256B-MAHL-T
Atmel(愛特梅爾)
AT89C51CC03UAT-RLTUM
Microchip(微芯)
AT89S51-24JU
Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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BCM5720A0KFBG
Broadcom(博通)
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CY62167DV30LL-55ZXIT
Cypress(賽普拉斯)
ISO7841DWW
TI(德州儀器)
L9788TR
ST(意法)
LM4951ASDX/NOPB
TI(德州儀器)
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M25P80-VMW6G
ST(意法)
PAM8610TR
PAM(龍鼎微)
PIC18F4680-I/PT
Microchip(微芯)
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STC(宏晶)
STM8S208S6T6C
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AD9513BCPZ-REEL7
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AOD2610E
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C8051F040-GQ
SILICON LABS(芯科)
IS61WV204816BLL-10BLI
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LM43601AQPWPRQ1
TI(德州儀器)
LTC2943IDD#PBF
LINEAR(凌特)
MT25QU01GBBB8E12-0AAT
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OPA171AIDR
TI(德州儀器)
TPS76833QDR
TI(德州儀器)
XL2596S-ADJE1
XLSEMI(芯龍)
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AMS(艾邁斯)
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IR(國際整流器)
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MC34673AEPR2
ON(安森美)
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TI(德州儀器)
P89C668HFA
NXP(恩智浦)
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ON(安森美)
SMAJ5.0CA-E3/61
Vishay(威世)
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TI(德州儀器)
XC2V1000-5FG456I
XILINX(賽靈思)
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ATMEGA64M1-15AZ
Microchip(微芯)
FQPF7N80C
Freescale(飛思卡爾)
HI-8454PSIF
Holt Integrated Circuits Inc.
KSZ8041TL
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LP2981-33DBVR
TI(德州儀器)
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LINEAR(凌特)
MBRB41H100CTT4G
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TI(德州儀器)
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SHINDENGEN(新電元)
STSPIN32G4
ST(意法)
STW20NM60
ST(意法)
TLE4964-2M
Infineon(英飛凌)
TLV1117-50CDCYR
TI(德州儀器)
TLV320AIC23BIPWRQ1
TI(德州儀器)
TNY284DG-TL
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XC7Z045-3FFG900E
XILINX(賽靈思)
24AA512-I/SN
Microchip(微芯)
88E6122-B2-LKJ1C000
Marvell(美滿)
ECLAMP2357NQTCT
Semtech(商升特)
HD06-T
Diodes(美臺)
MAX1644EAE
Maxim(美信)
MSP430FR2422IRHLR
TI(德州儀器)
NCP59800BMNADJTBG
ON(安森美)
PIC32MZ1024EFE100-I/PT
Microchip(微芯)
TME0505S
TRACO Power
TPS71550QDCKRQ1
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
BQ25892RTWR
TI(德州儀器)
C8051F311-GMR
SILICON LABS(芯科)
CH438Q
WCH(南京沁恒)
EECF5R5H105
PanJit(強(qiáng)茂)
LTC2271CUKG#PBF
LINEAR(凌特)
MOC3041SR2M
ON(安森美)
MPM38222GR-Z
MPS(美國芯源)
SI4431-B1-FMR
SILICON LABS(芯科)
SI53154-A01AGM
SILICON LABS(芯科)
TC4069UBF
TOSHIBA(東芝)
TM1628
TM(天微)
UA9637ACDR
TI(德州儀器)
