NVTFS4C08NTWG 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NVTFS4C08NTWG
Brand Name
onsemi
是否無(wú)鉛
不含鉛
生命周期
Not Recommended
Objectid
1481606571
零件包裝代碼
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P
包裝說明
WDFN-8
制造商包裝代碼
511AB
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
20 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
8.9
Samacsys Description
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mΩ
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
3
雪崩能效等級(jí)（Eas）
20 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (ID)
55 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.0059 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼
S-PDSO-F5
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
5
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
31 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
253 A
參考標(biāo)準(zhǔn)
AEC-Q101
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管元件材料
SILICON
NVTFS4C08NTWG場(chǎng)效應(yīng)管的特性及應(yīng)用研究
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種以電場(chǎng)控制導(dǎo)電通道的電子元件，廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。NVTFS4C08NTWG作為一種特定型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管，具有獨(dú)特的電氣特性和應(yīng)用價(jià)值。本文將詳細(xì)探討NVTFS4C08NTWG的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理、主要參數(shù)及其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。
一、NVTFS4C08NTWG的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
NVTFS4C08NTWG是一種N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管，通常采用TO-220封裝。這種封裝方式不僅便于散熱處理，也有利于集成其他元件。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）等組成。N溝道結(jié)構(gòu)意味著在控制電壓作用下，可以使得電子從源極流向漏極。
在NVTFS4C08NTWG中，源極和漏極分別由N型和P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，形成PN結(jié)。柵極則用絕緣材料隔離，施加在柵極的電壓能夠控制源極與漏極之間的導(dǎo)電狀態(tài)。通過調(diào)節(jié)柵極電壓，操作者可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的精確控制，這一特性使得FET在開關(guān)電路和放大電路中應(yīng)用廣泛。
二、NVTFS4C08NTWG的工作原理
NVTFS4C08NTWG的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)的基本理論。當(dāng)柵極施加正偏壓時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體材料中形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使得電子可以自由移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)。而當(dāng)柵極電壓降至閾值以下時(shí)，導(dǎo)電通道會(huì)被“關(guān)閉”，電子流動(dòng)受到限制。這一特性使得場(chǎng)效應(yīng)管能夠在開關(guān)電路中發(fā)揮作用。
具體來說，NVTFS4C08NTWG的工作過程可以分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。在截止區(qū)時(shí)，柵極電壓不足以形成導(dǎo)電通道，器件處于關(guān)閉狀態(tài)，漏極電流基本為零。在線性區(qū)，柵極電壓持續(xù)增加，導(dǎo)通通道逐漸形成，漏極電流隨著柵極電壓的增大而線性增加。而在飽和區(qū)，漏極電流達(dá)到最大值，此時(shí)柵極電壓的進(jìn)一步增加對(duì)漏極電流的影響變得微乎其微。
三、NVTFS4C08NTWG的主要參數(shù)
NVTFS4C08NTWG的主要參數(shù)有：最大漏極電壓（V_DS）、最大漏極電流（I_D）、柵極閾值電壓（V_GS(th)）、最大功耗（P_D）以及柵極電容（C_G）。這些參數(shù)是評(píng)估其性能和適用性的關(guān)鍵指標(biāo)。
1. 最大漏極電壓：NVTFS4C08NTWG的最大漏極電壓通常在幾十伏特范圍內(nèi)，這使得該器件適用于低壓大電流應(yīng)用。
2. 最大漏極電流：該型號(hào)的漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培，表明其具備出色的電流處理能力，適用于功率開關(guān)等場(chǎng)合。
3. 柵極閾值電壓：柵極閾值電壓的值對(duì)器件的開關(guān)狀態(tài)至關(guān)重要，NVTFS4C08NTWG的柵極閾值電壓通常較低，有利于在低電壓驅(qū)動(dòng)情況下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。
4. 最大功耗：功耗指的是器件在工作中產(chǎn)生的熱量，過高的功耗將導(dǎo)致器件損壞，因此在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，需要考慮其功耗在實(shí)際應(yīng)用中的承受能力。
5. 柵極電容：柵極電容的大小影響開關(guān)速度，較小的柵極電容有助于提高開關(guān)頻率，適合高頻應(yīng)用。
四、NVTFS4C08NTWG的應(yīng)用領(lǐng)域
NVTFS4C08NTWG在現(xiàn)代電子技術(shù)中有著廣泛的應(yīng)用。首先，在電源管理領(lǐng)域，該場(chǎng)效應(yīng)管被用作DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件，能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率。由于其低導(dǎo)通阻抗和高電流處理能力，NVTFS4C08NTWG可以用于高效的電源模塊，提供穩(wěn)定的輸出電壓并減少能量損耗。
其次，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，NVTFS4C08NTWG可以用于控制直流電機(jī)和無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，利用其快速切換特性實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。這種場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用可以提高電機(jī)的控制精度，并延長(zhǎng)電機(jī)的使用壽命。
此外，NVTFS4C08NTWG在音頻放大器和射頻功率放大器中也具有重要的應(yīng)用價(jià)值。在這些領(lǐng)域中，F(xiàn)ET的線性特性能夠保證信號(hào)的高保真?zhèn)鬏�，適應(yīng)不同的信號(hào)頻率和幅度要求，滿足音頻設(shè)備對(duì)質(zhì)量的嚴(yán)格要求。
在汽車電子產(chǎn)品中，NVTFS4C08NTWG也有所應(yīng)用，如電池管理系統(tǒng)（BMS）和燈光控制等。這些應(yīng)用對(duì)器件的可靠性和功耗有較高的要求，NVTFS4C08NTWG憑借其優(yōu)良的參數(shù)表現(xiàn)，能夠有效滿足這些要求。
通過以上分析，可以看出NVTFS4C08NTWG場(chǎng)效應(yīng)管憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性，已成為現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的重要組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，研究其特性與應(yīng)用將為未來電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)提供重要的參考依據(jù)。
NCP1252EDR2G
ON(安森美)
ATXMEGA128D4-MH
Atmel(愛特梅爾)
TPS54060DGQR
TI(德州儀器)
TPS54335ADDAR
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ST(意法)
MBRS3100T3G
ON(安森美)
MPC5554MVR132
Freescale(飛思卡爾)
EN5339QI
ALTERA(阿爾特拉)
TP4056
TAIWAN(臺(tái)產(chǎn))
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ON(安森美)
ISO7741FQDBQRQ1
TI(德州儀器)
TMP75AIDR
TI(德州儀器)
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IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI(美國(guó)芯成)
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LM2576HVT-ADJ
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Broadcom(博通)
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CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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TriQuint (超群)
