IRLI3705NPBF 的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IRLI3705NPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
8006017918
包裝說明
TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
4 weeks
風(fēng)險等級
6.96
Samacsys Description
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
0
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas）
340 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (ID)
52 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.012 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
310 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRLI3705NPBF 場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
一、引言
場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor, FET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，其工作原理基于電場效應(yīng)。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，場效應(yīng)管在輸入阻抗、功率消耗以及開關(guān)速度等方面具有顯著的優(yōu)勢。IRLI3705NPBF作為一種N溝道增強型場效應(yīng)管，廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源和電機驅(qū)動等領(lǐng)域。本文將詳細探討IRLI3705NPBF的基本特性、參數(shù)以及在不同應(yīng)用中的表現(xiàn)。
二、IRLI3705NPBF的基本特性
IRLI3705NPBF是一款N溝道MOSFET，具有較為典型的特性。其主要電氣參數(shù)包括最大持續(xù)漏電流、漏源擊穿電壓、門源閾值電壓、柵極電壓范圍等。這些參數(shù)決定了該器件在特定工作條件下的性能。其最大持續(xù)漏電流為62A，最大漏源擊穿電壓為30V，這使其在許多功率電路設(shè)計中能夠承受較高的電流和電壓。
此外，IRLI3705NPBF的開通電壓較低，典型的柵源閾值電壓僅為2至4V，意味著其在低電壓下即可有效工作。這一特性使得IRLI3705NPBF能夠與低電壓控制電路協(xié)同工作，例如微控制器或脈寬調(diào)制（PWM）信號源。
三、參數(shù)分析
1. 導(dǎo)通電阻 IRLI3705NPBF的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）為0.025Ω（在額定柵源電壓時），這表明其在導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻非常低，從而減少了功耗并提高了效率。在高電流應(yīng)用中，較低的導(dǎo)通電阻有助于減少熱量的產(chǎn)生，這對于高效能的電源管理系統(tǒng)至關(guān)重要。
2. 開關(guān)速度 基于其結(jié)構(gòu)和材料的選擇，IRLI3705NPBF展現(xiàn)出較快的開關(guān)速度。這一點在高頻開關(guān)電源設(shè)計中尤為重要�？焖俚拈_關(guān)能力確保在切換狀態(tài)時能夠減少開關(guān)損耗，提高總體效率。
3. 熱特性 該器件的熱特性也是應(yīng)用中必須考慮的因素。IRLI3705NPBF的最大結(jié)溫通常為150°C，設(shè)計時需考慮到散熱管理，以避免在高功率運行條件下超過這一溫度界限。有效的散熱解決方案將直接影響該器件的可靠性和工作壽命。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
1. 電源管理 在電源管理領(lǐng)域，IRLI3705NPBF常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器中。由于其杰出的電氣特性和低熱耗，設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。隨著電子設(shè)備對能效的要求不斷提高，IRLI3705NPBF成為了優(yōu)化電源設(shè)計的理想選擇。
2. 電機驅(qū)動 在電機驅(qū)動應(yīng)用中，IRLI3705NPBF常用于直流電機和步進電機的驅(qū)動控制中。其快速的開關(guān)特性能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電源調(diào)控，從而提高電機的運行效率和動態(tài)響應(yīng)能力。同時，低的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，減少了系能損耗。
3. 音頻放大器 IRLI3705NPBF還可用于音頻放大器的輸出階段。這是因為其能夠處理高電流，并且在開關(guān)狀態(tài)下保持較低的失真率，確保了音頻信號的清晰度和一致性。同時，MOSFET的高輸入阻抗使得其能夠與各種音頻信號源進行兼容，適用于多個應(yīng)用場合。
4. LED驅(qū)動 隨著LED技術(shù)的普及，IRLI3705NPBF在LED驅(qū)動電路中也得到了廣泛應(yīng)用。該器件能夠控制LED的開關(guān)和亮度調(diào)整，確保高效且可靠的LED工作，滿足現(xiàn)代照明需求。
五、設(shè)計注意事項
在使用IRLI3705NPBF進行電路設(shè)計時，設(shè)計人員需要關(guān)注幾個方面。首先是柵極驅(qū)動電壓，確保其在工作范圍內(nèi)，以便器件能正確導(dǎo)通和關(guān)斷。其次，考慮到熱管理，建議在電路中加入適當(dāng)?shù)纳崞鳎员３止ぷ鳒囟仍诎踩秶鷥?nèi)。此外，應(yīng)留意器件的最大額定值，防止過流或過壓導(dǎo)致的損傷。在PCB設(shè)計中，合理布局與走線能夠增強散熱與降低電感，這對高頻應(yīng)用尤為重要。
六、未來發(fā)展趨勢
隨著技術(shù)的不斷進步，場效應(yīng)管的性能和應(yīng)用領(lǐng)域也在持續(xù)擴大。未來，隨著高效能和小型化的需求不斷增加，IRLI3705NPBF等器件將在更細分的市場中展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。尤其是在新型能源、智能電網(wǎng)及電動車等新興領(lǐng)域，F(xiàn)ET的應(yīng)用潛力依然值得深入探討。
同時，材料科學(xué)的發(fā)展，諸如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等新型半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，為場效應(yīng)管的性能提升提供了新的機遇。這些新材料具備更高的耐壓和更快的開關(guān)速度，有可能在未來逐步取代傳統(tǒng)的硅基MOSFET器件。IRLI3705NPBF將在這樣的背景下，繼續(xù)發(fā)揮其本身的優(yōu)良特性，同時也面臨著更新替代的挑戰(zhàn)。
IRLI3705NPBF
IR(國際整流器)
TPS54231DR
TI(德州儀器)
EN6347QI
TI(德州儀器)
AT89S52-24AU
Atmel(愛特梅爾)
VNI4140KTR
ST(意法)
XC6SLX4-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
LM1117MPX-3.3
TI(德州儀器)
STM32H743XIH6
ST(意法)
SN65LBC184DR
TI(德州儀器)
IPT60R028G7
Infineon(英飛凌)
TXS0104EPWR
TI(德州儀器)
XC7Z045-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
S9S12G128AMLF
Freescale(飛思卡爾)
TMS320C6657CZH
TI(德州儀器)
TMS320LF2407APGEA
TI(德州儀器)
STM32F205VET6
ST(意法)
GD32F103RET6
GD(兆易創(chuàng)新)
GD32F303CCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
XC7Z020-1CLG484I
XILINX(賽靈思)
PCF7953XTTC1AC2000
NXP(恩智浦)
TPS54260DGQR
TI(德州儀器)
TPS563201DDCR
TI(德州儀器)
TPS61040DBVR
Burr-Brown(TI)
EPM1270T144I5N
ALTERA(阿爾特拉)
ADS1248IPW
TI(德州儀器)
AT32F421K8U7
TPS54360DDAR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3
NXP(恩智浦)
TPS61030PWPR
TI(德州儀器)
BAT54C
Diodes(美臺)
HCPL-0631-500E
Avago(安華高)
TPS82130SILR
TI(德州儀器)
EPCS64SI16N
TAIWAN(臺產(chǎn))
EP5388QI
ALTERA(阿爾特拉)
TPS74401RGWR
TI(德州儀器)
REF3033AIDBZR
TI(德州儀器)
LM324DR2G
ON(安森美)
XCF01SVOG20C
XILINX(賽靈思)
XC7K160T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
TJA1042T
NXP(恩智浦)
MP9943GQ-Z
MPS(美國芯源)
LM2903DR2G
TI(德州儀器)
LM3481QMM/NOPB
TI(德州儀器)
STM32F100C8T6B
ST(意法)
TPS54560DDAR
TI(德州儀器)
XC6SLX9-2TQG144C
XILINX(賽靈思)
MKL15Z128VLH4
Freescale(飛思卡爾)
INA226AIDGSR
TI(德州儀器)
STM32H735RGV6
ST(意法)
TMS320LF2406APZA
TI(德州儀器)
XC6SLX16-2FTG256C
XILINX(賽靈思)
AT24C512C-SSHD-T
Atmel(愛特梅爾)
STM32F103VGT6
ST(意法)
RTL8211F-CG
REALTEK(瑞昱)
EP4CE10E22I7N
INTEL(英特爾)
LPC2148FBD64
NXP(恩智浦)
OPA2277UA
TI(德州儀器)
W25Q256JVEIQ
WINBOND(華邦)
TDA7388
ST(意法)
74HC04D
Philips(飛利浦)
NE5532DR
TI(德州儀器)
CSR8670C-IBBH-R
CSR PLC
ISO1540DR
TI(德州儀器)
MMBT5551LT1G
CJ(江蘇長電/長晶)
NCV8402ASTT1G
ON(安森美)
TPS3823-33DBVR
TI(德州儀器)
TPS92692QPWPRQ1
TI(德州儀器)
XC7A200T-2FBG484I
XILINX(賽靈思)
TMS320F2808PZA
TI(德州儀器)
MCP2551T-I/SN
Microchip(微芯)
SS26-0B00-02
Broadcom(博通)
ADM3485EARZ
ADI(亞德諾)
MC33816AER2
NXP(恩智浦)
FT232RQ-REEL
SILICON LABS(芯科)
LM2904DR2G
MOT(仁懋)
MPU-9250
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
MK60FN1M0VMD15
Freescale(飛思卡爾)
AM3352BZCZD80
TI(德州儀器)
SN74LVC1G07DBVR
TI(德州儀器)
MBRA160T3G
ON(安森美)
EPM570T100I5N
ALTERA(阿爾特拉)
DSPIC33EP512MU814-I/PH
Microchip(微芯)
MIMXRT1052CVL5B
NXP(恩智浦)
TLE9842-2QX
Infineon(英飛凌)
BCM84758AKFSBLG
O3853AQDCARQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA1280-16AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS2065DDBVR
TI(德州儀器)
ATXMEGA128A3U-AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRM140T1G
ON(安森美)
CDSOT23-SM712
Semtech(商升特)
E-L9823013TR
ST(意法)
BSS138
Infineon(英飛凌)
88E1512-A0-NNP2C000
Marvell(美滿)
TJA1042T/1
NXP(恩智浦)
TLV62565DBVR
TI(德州儀器)
PIC18F67K22-I/PT
MIC(昌福)
VN5016AJTR-E
ST(意法)
SN74LVC1G04DBVR
ST(意法)
TXS0108ERGYR
TI(德州儀器)
STM32F207VCT6
ST(意法)
TLP127
TOSHIBA(東芝)
BQ7693003DBTR
TI(德州儀器)
MAX3485EESA
Maxim(美信)
XC7Z035-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
EP4CE6F17I7N
ALTERA(阿爾特拉)
IRF640NPBF
Infineon(英飛凌)
STM32H743VIH6
ST(意法)
NRF52832-QFAA
NORDIC
VNQ500PEPTR-E
ST(意法)
SN74AHC1G08DBVR
TI(德州儀器)
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ST(意法)
EP4CE22F17I7N
INTEL(英特爾)
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ADI(亞德諾)
MCF5282CVM80
Freescale(飛思卡爾)
