TPS63020DSJT 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TPS63020DSJT
Brand Name
Texas Instruments
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
2140980812
零件包裝代碼
SON
包裝說(shuō)明
3 X 4 MM, GREEN, PLASTIC, VSON-14
針數(shù)
14
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.34
Samacsys Description
High Efficiency Single Inductor Buck-Boost Converter with 4A Switch
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
其他特性
ALSO OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 1.2 V TO 5.5 V
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHING REGULATOR
控制模式
CURRENT-MODE
控制技術(shù)
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
5.5 V
最小輸入電壓
1.8 V
標(biāo)稱輸入電壓
3.6 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-N14
JESD-609代碼
e4
長(zhǎng)度
4 mm
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
14
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電流
2 A
最大輸出電壓
5.5 V
最小輸出電壓
1.2 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HVSON
封裝等效代碼
SOLCC14,.12,20
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
BUCK-BOOST
最大切換頻率
2600 kHz
溫度等級(jí)
INDUSTRIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.5 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
寬度
3 mm
TPS63020DSJT電源芯片的應(yīng)用與特性分析
在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域，電源管理芯片的選擇與應(yīng)用顯得尤為重要。而TPS63020DSJT作為一款高效率的降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，因其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，受到許多工程師與研究人員的青睞。該芯片不僅在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等低功耗場(chǎng)景表現(xiàn)突出，也在更為復(fù)雜的工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)了其強(qiáng)大的電能管理能力。
1. TPS63020DSJT的基本介紹
TPS63020DSJT是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款集成型DC-DC轉(zhuǎn)換器，具有升壓和降壓功能。其工作電壓范圍廣泛，輸入電壓可在1.8V至5.5V之間變動(dòng)，輸出電壓可調(diào)節(jié)至1.2V至5.5V。這種廣泛的電壓范圍使得它能適應(yīng)多種應(yīng)用需求，并能高效地轉(zhuǎn)換不同電壓級(jí)別的電源。
1.1 主要特性
TPS63020DSJT的主要特點(diǎn)包括：
- 高效率： 本芯片的轉(zhuǎn)換效率通常高達(dá)96%以上，這在降低功耗和延長(zhǎng)設(shè)備電池壽命方面具有重要意義。 - 動(dòng)態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)： 該片能快速響應(yīng)負(fù)載變化，確保在不同負(fù)載條件下依然能夠保持穩(wěn)定的輸出電壓。 - 小型封裝： TPS63020DSJT采用小型的QFN封裝，有助于在有限的PCB空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高集成度設(shè)計(jì)。
- 軟啟動(dòng)功能： 此功能有效防止在接通電源時(shí)出現(xiàn)的突發(fā)電流，保護(hù)整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
2. 應(yīng)用領(lǐng)域
TPS63020DSJT因其性能穩(wěn)定和高效率，廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。
2.1 便攜式設(shè)備
隨著消費(fèi)者對(duì)便攜式電子產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，TPS63020DSJT作為電源管理解決方案得到了極大的關(guān)注。其高效能的特點(diǎn)使得設(shè)備在充電和運(yùn)行過程中，能有效延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間。
2.2 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）
在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中，設(shè)備通常需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，同時(shí)又要保持低功耗特性。TPS63020DSJT的高效轉(zhuǎn)換能力使得它成為各種傳感器和物聯(lián)網(wǎng)模塊的理想選擇，能夠滿足這些設(shè)備對(duì)電源的嚴(yán)格要求。
2.3 工業(yè)系統(tǒng)
除了消費(fèi)者電子產(chǎn)品，TPS63020DSJT在工業(yè)領(lǐng)域同樣發(fā)揮了不可或缺的作用。用于各種自動(dòng)化設(shè)備、監(jiān)控系統(tǒng)等，能夠確保在嚴(yán)苛環(huán)境下仍然提供可靠的電源解決方案。
3. 工作原理
TPS63020DSJT的工作原理涉及升壓與降壓功能的結(jié)合。該芯片內(nèi)部集成了高效率的功率開關(guān)，通過控制開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入電壓的轉(zhuǎn)換。不同的操控策略使之在升壓和降壓模式之間靈活切換，從而保證輸出電壓的穩(wěn)定。
3.1 控制機(jī)制
TPS63020DSJT采用的是閉環(huán)控制機(jī)制，通過反饋環(huán)路實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出電壓，并在必要時(shí)對(duì)開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行調(diào)整，以保證輸出電壓的穩(wěn)定性。這種反饋機(jī)制大大提高了系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。
4. 設(shè)計(jì)考慮
在使用TPS63020DSJT進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，需要注意一些關(guān)鍵參數(shù)。
4.1 輸入輸出電容選擇
選擇合適的輸入和輸出電容對(duì)于系統(tǒng)的穩(wěn)定性至關(guān)重要。輸入電容應(yīng)能夠提供所需的脈沖電流，而輸出電容則需要低等效串聯(lián)電阻（ESR），以確保良好的Transient Response性能。
4.2 PCB布局
由于TPS63020DSJT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的電磁干擾，合理的PCB布局設(shè)計(jì)顯得尤為重要。應(yīng)盡可能縮短高頻開關(guān)路徑，采用良好的接地設(shè)計(jì)，以降低對(duì)其他電路部分的干擾。
5. 未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，電源管理芯片面臨著更高的性能要求。未來(lái)，TPS63020DSJT及其后繼產(chǎn)品將可能在效率、功耗、尺寸等方面進(jìn)一步優(yōu)化，以滿足更復(fù)雜的應(yīng)用需求。
在此背景下，集成度的提升、智能化的控制策略以及對(duì)環(huán)保材料的使用將成為未來(lái)電源芯片發(fā)展的重要趨勢(shì)。此外，隨著無(wú)處不在的物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境的興起，電源管理芯片將在支持持續(xù)、安全的無(wú)線連通性方面發(fā)揮愈加重要的作用。
TPS63020DSJT在電源管理領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用與其高效的性能密不可分，持續(xù)關(guān)注市場(chǎng)需求變化和技術(shù)進(jìn)步，定能夠在多樣化的需求場(chǎng)景中繼續(xù)發(fā)揮其重要價(jià)值。
TPS63020DSJR
TI(德州儀器)
NTF2955T1G
ON(安森美)
IRF4905PBF
Vishay(威世)
LM393DR
TI(德州儀器)
OP07CDR
TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA
TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT
NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG
REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6
ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G
ST(意法)
ADM3251EARWZ
ADI(亞德諾)
TXB0108PWR
TI(德州儀器)
MK64FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0MLHT
NXP(恩智浦)
EP4CE6E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM358DT
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F030CCT6
TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR
Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T
Microchip(微芯)
STM32F429BIT6
ST(意法)
CC430F5137IRGZR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1
TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041
SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB
NS(國(guó)半)
MAX3485ESA
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
AMC1200BDWVR
TI(德州儀器)
LM324DR
ST(意法)
TMS320VC33PGE150
TI(德州儀器)
DS3231SN
Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR
Microchip(微芯)
STM32F407IGT6
ST(意法)
ATMEGA48PA-AU
Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12
Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C
XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ
ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N
ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6
ST(意法)
STM32L431RCT6
ST(意法)
PCF8563T/5
NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000
Marvell(美滿)
MPU-6050
TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I
XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G
NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6
ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU
Microchip(微芯)
TPS70933DBVR
TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP
Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ
ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ
ADI(亞德諾)
IRF3205PBF
IR(國(guó)際整流器)
MURA110T3G
ON(安森美)
MC7448THX1267ND
Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1
TI(德州儀器)
GD32F303RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
10M04DAF256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I
XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR
Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5
Burr-Brown(TI)
PGA204BU
TI(德州儀器)
MBR0540T1G
ON(安森美)
TJA1021T/20/CM
TI(德州儀器)
MC79M15BDTRKG
ON(安森美)
ADM2483BRWZ
TI(德州儀器)
XC7K410T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR
TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C
ST(意法)
INA114AP
Burr-Brown(TI)
MC9S12XDP512CAG
NXP(恩智浦)
PIC18F46K22-I/PT
Microchip(微芯)
STFW3N150
ST(意法)
STM32F072C8T6
ST(意法)
SN65HVD3082EDR
TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR
TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T
Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5
Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C
XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA
Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR
ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT
ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000
Marvell(美滿)
LM258DR
TI(德州儀器)
LM2904DR
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6
ST(意法)
STM32F105RCT6
ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU
TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G
ON(安森美)
STM32F767BIT6
ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10
Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+
XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
SZNUP2105LT1G
ON(安森美)
LMX2594RHAR
TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN
Microchip(微芯)
STM32F030R8T6
ST(意法)
STM32F103VBT6
ST(意法)
STM8S003F3U6TR
ST(意法)
IRFR5305TRPBF
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
L7805CV
ST(意法)
TJA1043T/1
NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E
ST(意法)
LMD18200T
TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR
TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB
NS(國(guó)半)
OPA2277UA/2K5
TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N
XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG
GD(兆易創(chuàng)新)
TMS320F28377DPTPT
TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3
TI(德州儀器)
FS32K144HAT0MLLT
NXP(恩智浦)
VNB35N07TR-E
ST(意法)
MBRS140T3G
ON(安森美)
TPS54302DDCR
TI(德州儀器)
TPS74801DRCR
TI(德州儀器)
AD9914BCPZ
ADI(亞德諾)
MBRS1100T3G
ON(安森美)
STW11NK100Z
ST(意法)
88E1111-B2-BAB1I000
Marvell(美滿)
DSPB56367AG150
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F429ZGT6
ST(意法)
STM32G030F6P6
ST(意法)
ADS7924IRTER
TI(德州儀器)
ATTINY13A-SSU
Atmel(愛特梅爾)
XTR115UA
TI(德州儀器)
LSM6DS3TR-C
ST(意法)
MK24FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
MK60DN512VMD10
NXP(恩智浦)
XTR111AIDGQR
TI(德州儀器)
S9S12G128AMLFR
NXP(恩智浦)
LM3481MMX
TI(德州儀器)
XC7Z100-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MC33078DR2G
ON(安森美)
AD623ARZ
ADI(亞德諾)
XC7A35T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
ULN2803ADW
TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107IT:P
micron(鎂光)
2N7002
LRC(樂山無(wú)線電)
LP8867QPWPRQ1
TI(德州儀器)
REF3025AIDBZR
TI(德州儀器)
BAT54S
Diodes(美臺(tái))
DAC7612U
TI(德州儀器)
SSD2832G24
SOLOMON(晶門科技)
MBRS360T3G
Vishay(威世)
MS51FB9AE
Nuvoton(新唐)
