型號(hào)：IMZC120R017M2HXKSA1IMZC120R022M2HXKSA1IMZC120R026M2HXKSA1IMZC120R034M2HXKSA1
IMZC120R040M2HXKSA1IMZC120R053M2HXKSA1IMZC120R078M2HXKSA1IMBG120R008M2HXTMA1
碳化硅 (SiC) CoolSiC MOSFET 采用最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝制造，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和最高的運(yùn)行可靠性。 分立式 CoolSiC MOSFET 產(chǎn)品組合包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從 7 mΩ 至 1000 mΩ。 CoolSiC 溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)集，以在各自的產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)特定于應(yīng)用的功能，例如柵極-源電壓、雪崩規(guī)范、短路能力或用于硬換向的內(nèi)部體二極管。
CoolSiC 1200 V 系列第二代采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封裝，適用于工業(yè)應(yīng)用。 它以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，顯著提高了硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)，適用于所有常見的 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 級(jí)組合。
REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 參考設(shè)計(jì)由兩塊 PCB 組成，包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路和一個(gè)用于伺服電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器。 其優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、無需冷卻風(fēng)扇的被動(dòng)冷卻，以及 PCB 直徑僅為 110 毫米的超小占用空間。
CoolSiC G2 與 G1 的比較
芯片性能提升：與典型負(fù)載使用情況相比，功率損耗降低 5% 至 20% 改進(jìn)的 . XT 封裝互連：熱阻 R千（jc）改善 12% 優(yōu)秀的 RDS（開）以及精細(xì)的產(chǎn)品組合：G2 為 8 mΩ，而 G1 為 30 mΩ，12 種產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)最佳產(chǎn)品選擇 過載工作可達(dá) TVJ= 200 和 G2 中的雪崩魯棒性 最大 RDS（開）G2 高溫下 穩(wěn)健的短路額定值：2 μs 擴(kuò)大最大柵源電壓：-10 V 至 +23 V 高可靠性：保持 G1 認(rèn)證水平，極低的 DPM 率 特性與優(yōu)勢(shì) 最高效率，減輕了冷卻需求 使用壽命更長(zhǎng)，可靠性更高 更高工作頻率 降低了系統(tǒng)成本 功率密度更高 降低系統(tǒng)復(fù)雜度 易于設(shè)計(jì)和實(shí)施 應(yīng)用 服務(wù)器 電信 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 板載充電器/PFC 輔助逆變器 不間斷電源 儲(chǔ)能系統(tǒng)/太陽能 電動(dòng)汽車快速充電 開關(guān)模式電源
