IDD04SG60CXTMA2 碳化硅二極管

IDD04SG60CXTMA2 的詳細參數(shù)

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8268175412
包裝說明 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.80
Factory Lead Time 17 weeks
風(fēng)險等級 1.3
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2024-12-04 11:17:06
YTEOL 6.52
其他特性 PD-CASE
應(yīng)用 FAST RECOVERY
外殼連接 CATHODE
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON CARBIDE
二極管類型 RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF) 2.3 V
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
最大非重復(fù)峰值正向電流 13.5 A
元件數(shù)量 1
相數(shù) 1
端子數(shù)量 2
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
最大輸出電流 4 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
最大功率耗散 43 W
最大重復(fù)峰值反向電壓 600 V
最大反向電流 25 µA
表面貼裝 YES
技術(shù) SCHOTTKY
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE

碳化硅二極管(IDD04SG60CXTMA2)的特性與應(yīng)用

引言

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，尤其是在電源電路與功率器件領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料的應(yīng)用愈發(fā)普及。碳化硅二極管因其優(yōu)越的電氣性能、熱導(dǎo)率和環(huán)境適應(yīng)性備受關(guān)注。IDD04SG60CXTMA2作為一種典型的碳化硅二極管，其在高頻、高溫和高電壓等惡劣條件下的應(yīng)用顯示出了良好的性能。本文將對IDD04SG60CXTMA2的工作原理、特性、工藝及應(yīng)用進行詳細分析。

工作原理

碳化硅二極管的工作原理與傳統(tǒng)的硅二極管相似，均為二極管的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)：PN結(jié)。在IDD04SG60CXTMA2中，采用了高質(zhì)量的SiC材料，這使得其在結(jié)電壓和反向恢復(fù)時間等參數(shù)上具備顯著優(yōu)勢。SiC的帶隙寬度較大（約3.3 eV），使得該二極管在高溫和高電壓環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

在正向偏置下，PN結(jié)導(dǎo)通，電流流過，產(chǎn)生一定的正向電壓降；而在反向偏置時，偵測到的電壓將使二極管停止導(dǎo)通。值得注意的是，SiC二極管在反向恢復(fù)時表現(xiàn)出較短的恢復(fù)時間，這是由于其載流子復(fù)合速度快的特性，令開關(guān)性能得以提升。

關(guān)鍵特性

1. 高耐壓性：IDD04SG60CXTMA2的最大反向工作電壓（VR）可達600V，這使得其在高壓環(huán)境下依然能夠穩(wěn)定工作，適用于電力電子設(shè)備中直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）和逆變器等高壓應(yīng)用。

2. 低正向電壓降：相較于硅二極管，IDD04SG60CXTMA2在導(dǎo)通狀態(tài)下的正向電壓降較低，這將降低在電源轉(zhuǎn)換過程中損耗的功率，提高系統(tǒng)的整體效率。

3. 杰出的熱性能：SiC材料具有出色的熱導(dǎo)率，這在高功率應(yīng)用中尤為重要。IDD04SG60CXTMA2能夠在更高的溫度下運行，而不容易受到熱失控的影響，適應(yīng)高溫工作環(huán)境。

4. 快速開關(guān)性能：由于具有較短的反向恢復(fù)時間，IDD04SG60CXTMA2能夠在高頻應(yīng)用場合中有效降低開關(guān)損耗，例如在開關(guān)電源和逆變器中，極大地提升系統(tǒng)的運行效率。

5. 高耐輻射性能：SiC材料在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出色，這使其在航空航天和核能等高輻射場合的應(yīng)用成為可能，具有很大的優(yōu)勢。

制造工藝

IDD04SG60CXTMA2的制造工藝相較于傳統(tǒng)硅器件更為復(fù)雜。SiC材料的生長通常采用物理氣相沉積（PVD）或化學(xué)氣相沉積（CVD）等方法，這些方法雖然成本較高，但能夠生產(chǎn)出高純度、高質(zhì)量的SiC晶體。在此基礎(chǔ)上，后續(xù)的光刻、蝕刻、離子注入等工藝同樣需要精密控制，以保證最終器件的性能與可靠性。

在制造過程中，PN結(jié)的形成與控制是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。對摻雜濃度、擴散深度等參數(shù)的準(zhǔn)確控制，直接影響二極管的導(dǎo)通特性和反向電流泄漏等重要指標(biāo)。此外，SiC晶片的劃片與封裝技術(shù)也相對較為復(fù)雜，要求材料的選擇與電路設(shè)計緊密結(jié)合，以確保其在實際應(yīng)用中的良好表現(xiàn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

IDD04SG60CXTMA2以其獨特的性能，廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。首先，在電力電子領(lǐng)域，尤其是高效率電源轉(zhuǎn)換器中，其低損耗和高耐壓特性使其成為理想選擇。在電動汽車的充電器和逆變器中，SiC二極管的高溫和高頻性能，確保了電動汽車在快速充電和高效能量轉(zhuǎn)換中的需求。

其次，在可再生能源系統(tǒng)中，尤其是太陽能逆變器中，IDD04SG60CXTMA2的快速開關(guān)性能和高效率幫助提升了能源轉(zhuǎn)換效率，讓更多的太陽能得以利用。在工業(yè)領(lǐng)域，如伺服電機驅(qū)動與 UPS 系統(tǒng)，SiC二極管的應(yīng)用幫助提升設(shè)備的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性。

另外，隨著航空航天技術(shù)的不斷進步，對器件的性能要求日益提高。IDD04SG60CXTMA2在這些領(lǐng)域的應(yīng)用，能夠有效降低系統(tǒng)損耗，提高設(shè)備的可靠性，滿足高功率密度和高頻率的設(shè)計需求。

未來展望

隨著材料科學(xué)的進步，碳化硅技術(shù)將迎來更廣闊的前景。IDD04SG60CXTMA2作為關(guān)鍵器件之一，其研發(fā)與應(yīng)用將推動新一代電力電子器件的發(fā)展。隨著生產(chǎn)工藝的進步和規(guī)模化生產(chǎn)成本的降低，碳化硅二極管的應(yīng)用將更加普及，推動電力轉(zhuǎn)換效率的進一步提升。同時，在高溫、高壓環(huán)境下的可靠性研究也將成為未來的一個重要方向，進一步擴展其在極端條件下的應(yīng)用潛力。

IDD04SG60CXTMA2 INFINEON（英飛凌）
REF3030AIDBZR Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T Microchip(微芯)
STM32F429BIT6 ST(意法)
CC430F5137IRGZR TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1 TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB NS(國半)
MAX3485ESA UMW(友臺半導(dǎo)體)
AMC1200BDWVR TI(德州儀器)
LM324DR ST(意法)
TMS320VC33PGE150 TI(德州儀器)
DS3231SN Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR Microchip(微芯)
STM32F407IGT6 ST(意法)
ATMEGA48PA-AU Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12 Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6 ST(意法)
STM32L431RCT6 ST(意法)
PCF8563T/5 NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000 Marvell(美滿)
MPU-6050 TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6 ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU Microchip(微芯)
TPS70933DBVR TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ ADI(亞德諾)
IRF3205PBF IR(國際整流器)
MURA110T3G ON(安森美)
MC7448THX1267ND Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1 TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1 TI(德州儀器)
GD32F303RCT6 GD(兆易創(chuàng)新)
10M04DAF256C8G ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5 Burr-Brown(TI)
PGA204BU TI(德州儀器)
MBR0540T1G ON(安森美)
TJA1021T/20/CM TI(德州儀器)
MC79M15BDTRKG ON(安森美)
ADM2483BRWZ TI(德州儀器)
XC7K410T-2FFG900I XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C ST(意法)
INA114AP Burr-Brown(TI)
MC9S12XDP512CAG NXP(恩智浦)
PIC18F46K22-I/PT Microchip(微芯)
STFW3N150 ST(意法)
STM32F072C8T6 ST(意法)
SN65HVD3082EDR TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5 Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000 Marvell(美滿)
LM258DR TI(德州儀器)
LM2904DR XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6 ST(意法)
STM32F105RCT6 ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G ON(安森美)
STM32F767BIT6 ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10 Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+ XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G CJ(江蘇長電/長晶)
SZNUP2105LT1G ON(安森美)
LMX2594RHAR TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN Microchip(微芯)
STM32F030R8T6 ST(意法)
STM32F103VBT6 ST(意法)
STM8S003F3U6TR ST(意法)
IRFR5305TRPBF VBsemi(臺灣微碧)
L7805CV ST(意法)
TJA1043T/1 NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E ST(意法)
LMD18200T TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB NS(國半)
OPA2277UA/2K5 TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG GD(兆易創(chuàng)新)
TMS320F28377DPTPT TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3 TI(德州儀器)
FS32K144HAT0MLLT NXP(恩智浦)
VNB35N07TR-E ST(意法)
MBRS140T3G ON(安森美)
TPS54302DDCR TI(德州儀器)
TPS74801DRCR TI(德州儀器)
AD9914BCPZ ADI(亞德諾)
MBRS1100T3G ON(安森美)
STW11NK100Z ST(意法)
88E1111-B2-BAB1I000 Marvell(美滿)
DSPB56367AG150 MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F429ZGT6 ST(意法)
STM32G030F6P6 ST(意法)
ADS7924IRTER TI(德州儀器)
ATTINY13A-SSU Atmel(愛特梅爾)
XTR115UA TI(德州儀器)
LSM6DS3TR-C ST(意法)
MK24FN1M0VLQ12 NXP(恩智浦)
MK60DN512VMD10 NXP(恩智浦)
XTR111AIDGQR TI(德州儀器)
S9S12G128AMLFR NXP(恩智浦)
LM3481MMX TI(德州儀器)
XC7Z100-2FFG900I XILINX(賽靈思)
MC33078DR2G ON(安森美)
AD623ARZ ADI(亞德諾)
XC7A35T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
ULN2803ADW TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107IT:P micron(鎂光)
2N7002 LRC(樂山無線電)
LP8867QPWPRQ1 TI(德州儀器)
REF3025AIDBZR TI(德州儀器)
BAT54S Diodes(美臺)
DAC7612U TI(德州儀器)
SSD2832G24 SOLOMON(晶門科技)
MBRS360T3G Vishay(威世)
MS51FB9AE Nuvoton(新唐)
LMR33620CQRNXRQ1 TI(德州儀器)