TPS60111PWP 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TPS60111PWP
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1490619376
零件包裝代碼
TSSOP
包裝說明
GREEN, PLASTIC, HTSSOP-20
針數(shù)
20
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Taiwan
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級
0.88
Samacsys Description
Regulated 5-V High-Power Low-Noise Charge Pump DC/DC Converter
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHED CAPACITOR REGULATOR
最大輸入電壓
5.4 V
最小輸入電壓
2.7 V
標(biāo)稱輸入電壓
3 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G20
JESD-609代碼
e4
長度
6.5 mm
濕度敏感等級
2
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
1
端子數(shù)量
20
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電流
0.15 A
最大輸出電壓
5 V
最小輸出電壓
5 V
標(biāo)稱輸出電壓
5 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HTSSOP
封裝等效代碼
TSSOP20,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
DOUBLER INVERTER
最大切換頻率
400 kHz
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.65 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
30
寬度
4.4 mm
TPS60111PWP 低噪聲電荷泵的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，低噪聲電源變得愈發(fā)重要，尤其是在通信設(shè)備、醫(yī)療儀器以及精密儀器等領(lǐng)域。其中，電荷泵作為一種重要的電源管理方案，以其結(jié)構(gòu)簡單、效率高和體積小等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。TPS60111PWP是一款高性能的低噪聲電荷泵，本文將重點(diǎn)探討其工作原理、關(guān)鍵特性以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
一、工作原理
電荷泵的基本工作原理是利用電容器的充放電過程，將輸入電壓轉(zhuǎn)換為更高或更低的輸出電壓。在TPS60111PWP中，通過一系列的開關(guān)控制電容進(jìn)行充電和放電，將輸入電壓轉(zhuǎn)換成所需的輸出電壓。這種轉(zhuǎn)換過程通常涉及到交替地連接電容與輸入電源和輸出負(fù)載，從而實(shí)現(xiàn)電壓的升高或降低。
TPS60111PWP集成了內(nèi)部的開關(guān)和電容器的控制邏輯，用戶只需要外接幾顆電容和電阻即可使用。其工作模式包括升壓和降壓模式，能夠根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行自動切換。該器件的內(nèi)部電路設(shè)計(jì)經(jīng)過精心優(yōu)化，可以在較寬的工作頻率范圍內(nèi)高效運(yùn)行。
二、關(guān)鍵特性
1. 低噪聲性能：TPS60111PWP在設(shè)計(jì)上考慮了低噪聲需求，采用了特殊的電路架構(gòu)和優(yōu)化的開關(guān)控制技術(shù)，使得在轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）和電源噪聲大幅降低。這一特性使其在要求嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異，特別是在音頻和高頻通信系統(tǒng)中。
2. 高效率：TPS60111PWP能夠在多種負(fù)載條件下保持較高的轉(zhuǎn)換效率，通常可達(dá)到85%以上。這意味著在轉(zhuǎn)換過程中，只有少量的能量損耗，從而延長了電池的使用壽命，減小了散熱問題。
3. 寬輸入電壓范圍：該器件支持寬范圍的輸入電壓（通常在2.7V到5.5V之間），使得它能夠與多種電源兼容。無論是鋰電池供電還是其他類型的直流電源，TPS60111PWP都能滿足使用要求。
4. 小型化設(shè)計(jì)：TPS60111PWP具有相對較小的封裝尺寸，適合于空間受限的應(yīng)用場合。集成度的提高減少了外部元件的數(shù)量，從而簡化了電路設(shè)計(jì)，提高了整體的可靠性。
5. 過流和過熱保護(hù)：在實(shí)際應(yīng)用中，TPS60111PWP還內(nèi)置了過流和過熱保護(hù)機(jī)制，確保在異常情況下器件不會損壞。這對于提高設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。
三、應(yīng)用場合
TPS60111PWP因其低噪聲、高效率以及小型化的優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于多種場合。其中包括但不限于：
1. 手持設(shè)備：在移動電話、數(shù)字相機(jī)和便攜式音頻設(shè)備中，TPS60111PWP因其優(yōu)越的電源管理功能被采納。其低噪聲特性確保音頻輸出的清晰。
2. 醫(yī)療設(shè)備：許多醫(yī)療儀器要求低噪聲電源以降低電磁干擾對治療效果的影響，TPS60111PWP恰好滿足這一需求，確保設(shè)備在高精度下運(yùn)行。
3. 通信設(shè)備：在無線通信系統(tǒng)中，TPS60111PWP的高效率和低噪聲可以有效提升系統(tǒng)的性能，減小信號失真，為數(shù)據(jù)傳輸提供更為可靠的電源支持。
4. 傳感器系統(tǒng)：在各種傳感器應(yīng)用中，特別是那些要求動態(tài)響應(yīng)的場合，TPS60111PWP能夠提供穩(wěn)定的電源，有效提高傳感器的靈敏度和響應(yīng)速度。
四、結(jié)語
對于TPS60111PWP這款低噪聲電荷泵而言，其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和卓越的性能使其在電源管理領(lǐng)域中占據(jù)了一席之地。隨著科技的不斷進(jìn)步，電源系統(tǒng)將面臨越來越多的挑戰(zhàn)，只有通過不斷的創(chuàng)新和優(yōu)化，才能滿足用戶日益增長的需求。因此，針對電荷泵技術(shù)的深入研究與開發(fā)，將是未來電子設(shè)備設(shè)計(jì)的重要方向之一。
TPS60111PWP
TI（德州儀器）
STM32F103RCT6
ST(意法)
TMS320F28335PGFA
TI(德州儀器)
STM32F405RGT6
ST(意法)
BTS50085-1TMA
Infineon(英飛凌)
STM32H743VIT6
ST(意法)
ULN2803ADWR
TI(德州儀器)
STM32F407VGT6
TI(德州儀器)
STM8S003F3P6TR
ST(意法)
STM8S003F3P6
ST(意法)
STM32F030C8T6
TI(德州儀器)
KSZ8999I
MIC(昌福)
STM32F407ZGT6
ST(意法)
AD9361BBCZ
ADI(亞德諾)
STM32F103VCT6
TI(德州儀器)
MCF5282CVM66
NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU
Microchip(微芯)
ADS1248IPWR
Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6
ST(意法)
LM3481QMM
TI(德州儀器)
LM3481MM
NS(國半)
STM32F407ZET6
TI(德州儀器)
W5500
WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU
Atmel(愛特梅爾)
VNH5180ATR-E
ST(意法)
ATMEGA128A-AU
Atmel(愛特梅爾)
TPS5430DDAR
TI(德州儀器)
STM32F103ZET6
ST(意法)
AD7606BSTZ
ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6
ST(意法)
STM32F103CBT6
TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星)
FT232RL
FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6
TI(德州儀器)
STM32F103RET6
ST(意法)
MBR0520LT1G
ON(安森美)
STM32H743ZIT6
ST(意法)
ULN2003ADR
TI(德州儀器)
STM32H750VBT6
ST(意法)
BSP75N
Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ
Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR
TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT
TI(德州儀器)
LM358DR
ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB
NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD
Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ
WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU
Atmel(愛特梅爾)
GD32F103C8T6
ST(意法)
XCF04SVOG20C
XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15
Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR
Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32H743IIT6
ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I
XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ
ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR
TI(德州儀器)
GD32F103RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
USBLC6-2SC6
ST(意法)
NRF52832-QFAA-R
NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU
Atmel(愛特梅爾)
AMS1117-3.3
AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR
smsc
XC7K325T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD
NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR
TI(德州儀器)
TXS0108EPWR
TI(德州儀器)
74HC595D
ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG
Broadcom(博通)
SN75176BDR
NXP(恩智浦)
N76E003AT20
Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6
ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT
NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18
Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6
ST(意法)
LM358DR2G
TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G
ON(安森美)
ADM2582EBRWZ
ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ
ADI(亞德諾)
MURS160T3G
ON(安森美)
STM8L052C6T6
ST(意法)
BSC030N08NS5
Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4
NXP(恩智浦)
TPS1H100BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E
ST(意法)
SN74HC595DR
TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1
TI(德州儀器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州儀器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
STM32F427ZGT6
ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
ADS1258IRTCR
ADI(亞德諾)
MBRA340T3G
ON(安森美)
TPS54331DR
TI(德州儀器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6
ST(意法)
MAX3232ESE
Maxim(美信)
VNH5019ATR-E
TI(德州儀器)
W25Q64JVSSIQ
WINBOND(華邦)
ADSP-21060LCW-160
ADI(亞德諾)
LPC1788FBD208
NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
NTD2955T4G
ON(安森美)
MC34063ADR2G
MOTOROLA(摩托羅拉)
MK70FX512VMJ15
NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R
NORDIC
STM32L151RET6
ST(意法)
ISO3082DWR
TI(德州儀器)
LIS2DH12TR
ST(意法)
STM32F429IIT6
ST(意法)
VND7012AYTR
ST(意法)
NCP1117ST33T3G
ON(安森美)
LM3481QMMX
TI(德州儀器)
AT24C02C-SSHM-T
TI(德州儀器)
MCIMX6D6AVT10AD
NXP(恩智浦)
FT232RL-REEL
FTDI(飛特帝亞)
STM8L052R8T6
ST(意法)
ATMEGA328P-PU
Atmel(愛特梅爾)
MCF52259CAG80
Freescale(飛思卡爾)
VNH3SP30TR-E
ST(意法)
XCF32PFSG48C
XILINX(賽靈思)
W25Q32JVSSIQ
WINBOND(華邦)
CKS32F030C8T6
EPCS16SI8N
ALTERA(阿爾特拉)
STM32F107VCT6
ST(意法)
ADXL355BEZ
ADI(亞德諾)
GD32F103CBT6
TI(德州儀器)
CY62167EV30LL-45ZXA
Cypress(賽普拉斯)
STM32F427VIT6
ST(意法)
LMZ31710RVQR
TI(德州儀器)
ATMEGA168PA-AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRS540T3G
ON(安森美)
MBRD835LT4G
ON(安森美)
MBRS340T3G
Freescale(飛思卡爾)
TPA3116D2DADR
TI(德州儀器)
BAV99
Diodes(美臺)
5CEFA9F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
74HC14D
XINBOLE(芯伯樂)
STM8S005K6T6C
ST(意法)
STM32G070RBT6
ST(意法)
STM32F429ZIT6
ST(意法)
NCP1654BD133R2G
ON(安森美)
MK60FN1M0VLQ12
Freescale(飛思卡爾)
MAX485ESA
Maxim(美信)
MURS120T3G
ON(安森美)
MAX13487EESA+T
Maxim(美信)
LM3481MM/NOPB
TI(德州儀器)
STM32F401RCT6
ST(意法)
TPS2HB16BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
LTM4644IY
LINEAR(凌特)
EPCS4SI8N
XILINX(賽靈思)
CP2102-GMR
SILICON LABS(芯科)
TL431AIDBZR
NXP(恩智浦)
TPS5450DDAR
TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107:P
micron(鎂光)
MBRS3200T3G
ON(安森美)
STM32F105RBT6
ST(意法)
STM32F105VCT6
ST(意法)
MC7805BDTRKG
ON(安森美)
S9KEAZ128AMLH
NXP(恩智浦)
