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4G牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來一片光明。發(fā)牌既標(biāo)志著4G新時(shí)代的開篇，也是我國(guó)在3G時(shí)代技術(shù)積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或?qū)⒃谛碌臅r(shí)間節(jié)點(diǎn)下完成新的“使命必達(dá)”。
邁向新制程
隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)。
全產(chǎn)業(yè)鏈的相對(duì)成熟是4G發(fā)牌時(shí)必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個(gè)顯見的事實(shí)是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。大唐電信集團(tuán)董事長(zhǎng)真才基就對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示，從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國(guó)際的28nm技術(shù)已經(jīng)成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國(guó)4G終端芯片能夠較長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展，因其產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)越長(zhǎng)，對(duì)提高終端供給能力越有好處。
在3G時(shí)代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導(dǎo)致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD—LTE時(shí)代的到來，隨著多模多頻基帶以及平臺(tái)芯片復(fù)雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓(xùn)的話，那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術(shù)。
聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強(qiáng)調(diào)，對(duì)于TD-LTE芯片市場(chǎng)來說，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應(yīng)用需求。隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)，以提供更佳的用戶體驗(yàn)。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預(yù)計(jì)年底推出，將采用28nm工藝。
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