數(shù)據(jù)列表 IRF520N(S,L)PbF
產(chǎn)品相片 TO-263
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源 IRF520NS Saber Model
IRF520NS Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝 800
類別 分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET®
包裝 帶卷 (TR)
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） 9.7A （Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 200 毫歐 @ 5.7A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 330pF @ 25V
功率 - 最大值 3.8W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
