品牌：IR
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：-
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫歐 @ 7A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：-
功率 - 最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRF7805PBFTR
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
數(shù)量：18960
單價(jià)：面議
備注：深圳市勤思達(dá)科技有限公司主營(yíng)IR系列全新原裝正品，公司現(xiàn)貨供應(yīng) IRF7805TRPBF，全新IR原裝進(jìn)口
大量現(xiàn)貨供應(yīng)，歡迎廣大客戶朋友咨詢洽談。
