十五年前，在集成電路領(lǐng)域有那么一句話，那就是“除了水和空氣，其他做芯片的東西都需要進(jìn)口”。誠然，中國大陸在集成電路領(lǐng)域落后于歐美日韓等先進(jìn)國家。

在CCTV2昨晚的《中國大陸財經(jīng)報道》中指出，全球有50%以上的彩電，70%以上的智能手機(jī)和平板都是由中國大陸制造的，但是應(yīng)用在這些電子產(chǎn)品的芯片，則90%以上依賴進(jìn)口。中國大陸每年進(jìn)口芯片總額超過2000億美元。因此對中國大陸來說，需要從集成電路領(lǐng)域進(jìn)行建設(shè)創(chuàng)新。

從2014年以來，中國大陸已經(jīng)在芯片制造、設(shè)計和封測等多個領(lǐng)域進(jìn)行投資建設(shè)，并取得了不錯的效果。但在材料和設(shè)備領(lǐng)域，由于受限于其他國家的出口限制，中國大陸在半導(dǎo)體材料和設(shè)備方面只能受制于人，有很多高端設(shè)備并不能獲取得到。但是在一些中國大陸企業(yè)家的努力下，中國大陸在設(shè)備和材料領(lǐng)域都有了新的突破。下面就為大家介紹三家在設(shè)備和材料領(lǐng)域打破了國外壟斷的中國大陸企業(yè)：

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集成電路的主要環(huán)節(jié)

安集微電子：CMP研磨液打破外國壟斷

在芯片生產(chǎn)過程中，有一道重要的工序叫做化學(xué)機(jī)械拋光（英語：Chemical-Mechanical Polishing），又稱化學(xué)機(jī)械平坦化（英語：Chemical-Mechanical Planarization，縮寫 CMP），而當(dāng)中要用到一種化學(xué)添加劑，也就是研磨液。

研磨液是平坦化工藝中研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，研磨材料主要是石英，二氧化鋁和氧化鈰，其中的化學(xué)添加劑則要根據(jù)實際情況加以選擇，這些化學(xué)添加劑和要被除去的材料進(jìn)行反應(yīng)，弱化其和硅分子聯(lián)結(jié)，這樣使得機(jī)械拋光更加容易。在應(yīng)用中的通常有氧化物磨料、金屬鎢磨料、金屬銅磨料以及一些特殊應(yīng)用磨料。

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安集微電子有限公司就是聚焦在這一塊研發(fā)的公司。該公司成立于2004年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，致力于高增長率和高功能集成電路材料的研發(fā)和生產(chǎn)，是目前國內(nèi)規(guī)模最大的專業(yè)從事高功能集成電路材料公司之一。擁有世界一流技術(shù)團(tuán)隊、研發(fā)中心和生產(chǎn)基地。目前，安集公司已與全球數(shù)十家客戶進(jìn)行了各階段合作，其中包括多家世界著名芯片企業(yè)。安集成功研發(fā)、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品已成功運(yùn)用于國內(nèi)外芯片制造行業(yè)。

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在2007年以前，研磨液這種材料全部依靠進(jìn)口。一桶200升的研磨液，價格可高達(dá)7000美元，相當(dāng)于當(dāng)時石油價格的60倍。

而安集微電子CEO王淑敏和其團(tuán)隊經(jīng)過13年努力下，終于在2017年成功研發(fā)出更高品質(zhì)的研磨液，不但給客戶帶來高達(dá)60%的成本降低，也讓中國大陸在研磨液這個領(lǐng)域打破了國外的壟斷，為中國大陸半導(dǎo)體的崛起奠定了基礎(chǔ)。

需要說明一下，到目前位置，全球也只有六七家公司能生產(chǎn)研磨液。所以安集微電子的這個突破是值得我們?yōu)橹濏灥摹?

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安集微電子公司董事長兼首席執(zhí)行官王淑敏表示，在晶圓拋光過程中，除了需要快速、準(zhǔn)確地磨掉多余的部分，還需要在高速研磨過程中，精確地停下來，這是一個難點，也是研磨液所能解決的問題之一。另外她還表示，安集正在瞄準(zhǔn)國內(nèi)目前最先進(jìn)的14nm工藝研發(fā)產(chǎn)品，推出其配套的研磨液。

江豐電子：金屬靶材的破局者

在說靶材之前，先說一個概念，濺射。

濺射則屬于物理氣相沉積技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高動能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。

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一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜;由于高純度金屬普遍較軟，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺內(nèi)完成濺射過程，機(jī)臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，背板主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。

金屬靶材的金屬原子被一層層濺射到芯片上，再利用特殊的工藝把它們切割成金屬導(dǎo)線。芯片的信息傳輸全靠這些金屬導(dǎo)線。

和研磨液一樣，這在之前也是由國外壟斷的市場。11年前，這個市場國內(nèi)一片空白，也是依賴于進(jìn)口，但經(jīng)過江豐電子的多年努力后，中國大陸半導(dǎo)體也在這個領(lǐng)域取得了突破。而這樣一個靶材的價格也高達(dá)上萬美元。

而在江豐電子做出了超高純鈦金屬以后，國外的競爭者也尋求和姚立軍合作的機(jī)會，所以歸根到底中國大陸半導(dǎo)體建設(shè)，真的是打鐵還需自身硬。

中微半導(dǎo)體：中國大陸第一臺等離子刻蝕機(jī)的創(chuàng)造者

2015年到2020年，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資將達(dá)到680億美元，而芯片制造設(shè)備投資額也達(dá)到500億美元。但是我國的芯片制造設(shè)備95%依賴于進(jìn)口，核心設(shè)備被國外公司壟斷，如果國產(chǎn)的設(shè)備商沒有突破，錢都會讓外國公司掙走了。因此中國大陸亟需本土化的設(shè)備制造企業(yè)，中微半導(dǎo)體設(shè)備就是當(dāng)中的佼佼者。他們制造的等離子體蝕刻機(jī)正是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)不可或缺的設(shè)備。

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等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發(fā)展歷程，最早70年代引入用于去膠，80年代成為集成電路領(lǐng)域成熟的刻蝕技術(shù)�？涛g采用的等離子體源常見的有容性耦合等離子體(CCP-capacitively coupled plasma)、感應(yīng)耦合等離子體ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等離子體(microwave electron cyclotron resonance plasma) 等。

雖然等離子體刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于集成電路制造，但由于等離子體刻蝕過程中復(fù)雜的物理和化學(xué)過程到目前為止仍沒有一個有效的方法完全從理論上模擬和分析等離子體刻蝕過程。除刻蝕外，等離子體技術(shù)也成功的應(yīng)用于其他半導(dǎo)體制程，如濺射和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。當(dāng)然鑒于plasma豐富的活性粒子，plasma也廣泛應(yīng)用于其他非半導(dǎo)體領(lǐng)域，如空氣凈化，廢物處理等。

只有通過一層層的刻蝕，才能把芯片做出來。不用問，這又是國外壟斷的領(lǐng)域。

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中微半導(dǎo)體設(shè)備成立于2004年，是一家面向全球的微觀加工高端設(shè)備公司，為半導(dǎo)體行業(yè)及其他高科技領(lǐng)域服務(wù)。中微的設(shè)備用于創(chuàng)造世界上最為復(fù)雜、精密的技術(shù)：微小的納米器件為創(chuàng)新型產(chǎn)品提供智能和存儲功能，從而改善人類的生活、實現(xiàn)全球的可持續(xù)發(fā)展。

在去年年初，中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司取得了一系列成果：反應(yīng)臺交付量突破400臺；單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備已交付韓國領(lǐng)先的存儲器制造商；雙反應(yīng)臺介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)研制成功，這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個平臺上等等等�，F(xiàn)在，中微半導(dǎo)體正在進(jìn)行5nm的刻蝕設(shè)備研發(fā)。但中微的人表示，由于這個需要芯片上的均勻度需要達(dá)到0.5nm，對設(shè)備開發(fā)要求就很高。

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寧波江豐電子材料股份有限公司創(chuàng)建于2005年，是國家科技部、發(fā)改委及工信部重點扶植的一家高新技術(shù)企業(yè)，專門從事超大規(guī)模集成電路芯片制造用超高純度金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產(chǎn)，填補(bǔ)了國內(nèi)的技術(shù)空白，打破了美、日國際跨國公司的壟斷格局。據(jù)介紹，一般的金屬能達(dá)到99.8%的純度，而靶材則要求其純度能達(dá)到99.999%，這是人類能得到的最純的金屬。江豐電子董事長姚立軍表示。

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除了金屬靶材上面打破了美日的壟斷外，姚立軍的江豐電子還打破了他們在材料方面的壟斷。這與姚立軍打造完整靶材產(chǎn)業(yè)鏈的出發(fā)點密切相關(guān)。

根據(jù)介紹，在江豐電子做出超高純度鈦（制造鈦靶材的原材料）等原材料之前，中國大陸在這個領(lǐng)域幾乎是一窮二白。而世界上只是有兩個國家三個公司能制造這些產(chǎn)品：一個是美國的霍尼韋爾，另外兩個是來自日本的東邦鈦業(yè)和大阪鈦業(yè)。他們當(dāng)時都不肯向江豐電子出售相關(guān)原材料，從某個角度看，成為江豐電子打破他們壟斷，成為全球第四個能夠生產(chǎn)這種靶材原材料的公司。在這個過程中，他們還研發(fā)出了中國大陸第一臺超高純鈦制造設(shè)備，這主要是因為美日不出售，進(jìn)而簡介推動了中國大陸的進(jìn)步。這臺設(shè)備一天能夠熔五百公斤金屬鈦，制造等重的鈦碇。這已經(jīng)達(dá)到了美日相關(guān)競爭者的水平。

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姚立軍認(rèn)為，美日不把設(shè)備賣給中國大陸企業(yè)，等于簡介激發(fā)和推動中國大陸自主研發(fā)。把自己的材料、工藝、設(shè)備等抓緊做出來。來打敗對手。

另外，MOCVD設(shè)備，也是中微研發(fā)的方向。

這在以前是美國和德國等公司的自留地，中微進(jìn)入了這個領(lǐng)域，并研發(fā)出了不錯的產(chǎn)品，不但拉低了LED芯片的價格，還打破了美德的壟斷，增加了中國大陸的影響力和實力。這是中微達(dá)到國際領(lǐng)先水平，甚至超越世界先進(jìn)的設(shè)備。這種設(shè)備一年有100到150臺的量，其中的六七十臺是由中微提供的。在中微的二代MOCVD設(shè)備之前，大家都是用400多毫米的晶圓托盤，而新設(shè)備用的是700多毫米的晶圓托盤，在相同的投入和時間里，芯片產(chǎn)量翻了一番。

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尹志堯還提到，由于中微取得了突破，打破了美德的壟斷，美國商業(yè)部特意發(fā)了一個公告，由于認(rèn)識到中微在中國大陸可以做出在國際有同樣競爭力的等離子刻蝕機(jī)，決定把這個等離子刻蝕機(jī)從美國對中國大陸的單子上去掉。

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中微半導(dǎo)體設(shè)備公司董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯表示，由于工藝進(jìn)度推進(jìn)得很快，他們要加快新設(shè)備的開發(fā)，他還指出，設(shè)備的研發(fā)要比工藝的推進(jìn)快5年，因此按照他的觀點，5nm工藝將會在五年后到來。

坦白說，能生產(chǎn)10nm或者7nm的設(shè)備，已經(jīng)與世界先進(jìn)技術(shù)接軌了，何況中微現(xiàn)在已經(jīng)推進(jìn)到了5nm。

因為生產(chǎn)一個設(shè)備要涉及到方方面面，中微的團(tuán)隊有來自應(yīng)用材料、科林等企業(yè)的，擁有數(shù)十年經(jīng)驗的專家，且最少需要五十多個精通材料、機(jī)器等多方面的專家來支持，才能打造出現(xiàn)在的中微。尹志堯認(rèn)為其復(fù)雜程度不亞于兩彈一星。

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無疑，在現(xiàn)在的國際環(huán)境中，中國大陸需要在設(shè)備、材料、設(shè)計、制造等方面有了突破，才能達(dá)到可控。雖然現(xiàn)在有了些成績，但中國大陸廠商仍需要繼續(xù)努力。就像王淑敏舉的一個例子：裝載研磨液的桶國內(nèi)都做不了，還需要全部進(jìn)口，因此中國大陸半導(dǎo)體的崛起，還有很長的一段路要走，中國大陸廠商需要繼續(xù)努力。

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