低EMI降壓開關(guān)穩(wěn)壓器4.5V條件導通電阻與柵極電荷乘積
發(fā)布時間:2021/5/26 12:01:22 訪問次數(shù):718
用于汽車的S-19914/5系列低EMI降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。
新產(chǎn)品S-19914/5系列是一款低EMI降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，內(nèi)置擴頻時鐘生成電路(*1)，可減少集成電路(IC)產(chǎn)生的傳導噪音和輻射噪音。
產(chǎn)品可將傳導噪音降低到之前型號的1/3。S-19914/5系列采用業(yè)界最小的(*2) HSNT-8(2030)封裝（2.0×3.0×t0.5mm），有助于縮小攝像頭模塊的尺寸，并能滿足當前汽車設(shè)備的市場需求。
工作電壓為36V、輸出電流為1A的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
制造商:Cree, Inc. 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):SiC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-7 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導通電阻:90 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 18 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:30 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:113 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 產(chǎn)品:Power MOSFETs 類型:Silicon Carbide MOSFET 商標:Wolfspeed / Cree 正向跨導 - 最小值:11.6 S 下降時間:5 ns 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:6.5 ns 工廠包裝數(shù)量:50 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:7.2 ns 單位重量:1.600 g
多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。
Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。
4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
用于汽車的S-19914/5系列低EMI降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。
新產(chǎn)品S-19914/5系列是一款低EMI降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，內(nèi)置擴頻時鐘生成電路(*1)，可減少集成電路(IC)產(chǎn)生的傳導噪音和輻射噪音。
產(chǎn)品可將傳導噪音降低到之前型號的1/3。S-19914/5系列采用業(yè)界最小的(*2) HSNT-8(2030)封裝（2.0×3.0×t0.5mm），有助于縮小攝像頭模塊的尺寸，并能滿足當前汽車設(shè)備的市場需求。
工作電壓為36V、輸出電流為1A的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
制造商:Cree, Inc. 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):SiC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-7 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:35 A Rds On-漏源導通電阻:90 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 18 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:30 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:113 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 產(chǎn)品:Power MOSFETs 類型:Silicon Carbide MOSFET 商標:Wolfspeed / Cree 正向跨導 - 最小值:11.6 S 下降時間:5 ns 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:6.5 ns 工廠包裝數(shù)量:50 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:7.2 ns 單位重量:1.600 g
多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。
Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。
4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。
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