高功率SSPA中使用GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量
發(fā)布時(shí)間:2021/7/5 19:30:55 訪問次數(shù):868
EFR32MG21B是Gecko多協(xié)議無線SoC系列產(chǎn)品,組合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz無線電,而集成的安全庫提供高度安全能效的無線系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的連接應(yīng)用.
32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作頻率80MHz,有多達(dá)1024KB閃存和96KB RAM,12路外設(shè)反射系統(tǒng)使得MCU外設(shè)能自主互動(dòng),集成了2.4GHz 發(fā)送功率高達(dá)20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封裝中有強(qiáng)健的外設(shè)集合和多達(dá)20個(gè)GPIO.
制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-70-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:310 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:280 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.85 mm長(zhǎng)度:2.1 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:1.24 mm
隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復(fù)雜的調(diào)制方案,以及固態(tài)功率放大器(SSPA)功率不斷上升,射頻功率放大器設(shè)計(jì)人員面臨著困難的挑戰(zhàn),即在尋找更高的功率解決方案的同時(shí)降低重量和功耗。
與GaAs同類產(chǎn)品相比,高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量,這對(duì)衛(wèi)星OEM來說是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。
新產(chǎn)品體現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),滿足了原始設(shè)備制造商對(duì)尺寸、重量、功耗和成本的要求。
EFR32MG21B是Gecko多協(xié)議無線SoC系列產(chǎn)品,組合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz無線電,而集成的安全庫提供高度安全能效的無線系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的連接應(yīng)用.
32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作頻率80MHz,有多達(dá)1024KB閃存和96KB RAM,12路外設(shè)反射系統(tǒng)使得MCU外設(shè)能自主互動(dòng),集成了2.4GHz 發(fā)送功率高達(dá)20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封裝中有強(qiáng)健的外設(shè)集合和多達(dá)20個(gè)GPIO.
制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-70-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:310 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:280 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.85 mm長(zhǎng)度:2.1 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:1.24 mm
隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復(fù)雜的調(diào)制方案,以及固態(tài)功率放大器(SSPA)功率不斷上升,射頻功率放大器設(shè)計(jì)人員面臨著困難的挑戰(zhàn),即在尋找更高的功率解決方案的同時(shí)降低重量和功耗。
與GaAs同類產(chǎn)品相比,高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量,這對(duì)衛(wèi)星OEM來說是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。
新產(chǎn)品體現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),滿足了原始設(shè)備制造商對(duì)尺寸、重量、功耗和成本的要求。
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