離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)總輸出電壓精度1%
發(fā)布時(shí)間:2021/7/17 13:20:59 訪問次數(shù):268
NCP51820是高速柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)滿足驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求.
NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍−3.5 V到 +3.5 V.此外器件提供穩(wěn)定的dV/dt工作速率高達(dá)200 V/ns.
NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)視VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動(dòng)偏壓以及基于器件結(jié)溫的熱關(guān)斷.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:210 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:223 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:540 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 下降時(shí)間:5.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7.6 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.8 ns 單位重量:8 mg
采集模塊包含電流傳感器和分壓電路，電流傳感器可測(cè)得流過供電支路的電流值，分壓電路將供電支路的電壓值調(diào)整到主芯片ADC 采樣的范圍內(nèi)，二者均為模擬值。
具有業(yè)界最好的效率,FPWM模式工作,總輸出電壓精度1%,低IQ電流9-μA,工作環(huán)境溫度–40C 到105C.滿足CISPR22和CISPR32 B類發(fā)射要求,不需要外接回路補(bǔ)償元件.主要用在測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,工廠自動(dòng)化和控制,航空和國防,通用電源.采用SOC8-7封裝.主要用在家用電器,家庭自動(dòng)化,物聯(lián)網(wǎng)和傳感器,計(jì)量和工業(yè)控制以及偏置電源.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
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NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)視VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動(dòng)偏壓以及基于器件結(jié)溫的熱關(guān)斷.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:210 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:223 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:540 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 下降時(shí)間:5.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7.6 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.8 ns 單位重量:8 mg
采集模塊包含電流傳感器和分壓電路，電流傳感器可測(cè)得流過供電支路的電流值，分壓電路將供電支路的電壓值調(diào)整到主芯片ADC 采樣的范圍內(nèi)，二者均為模擬值。
具有業(yè)界最好的效率,FPWM模式工作,總輸出電壓精度1%,低IQ電流9-μA,工作環(huán)境溫度–40C 到105C.滿足CISPR22和CISPR32 B類發(fā)射要求,不需要外接回路補(bǔ)償元件.主要用在測(cè)試和測(cè)量設(shè)備,工廠自動(dòng)化和控制,航空和國防,通用電源.采用SOC8-7封裝.主要用在家用電器,家庭自動(dòng)化,物聯(lián)網(wǎng)和傳感器,計(jì)量和工業(yè)控制以及偏置電源.
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