1.6Hz低功耗模式工作電流3V 0.67μAD類放大器和電源變換系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2021/7/31 14:01:20 訪問次數(shù):310
新汽車加速度計(jì)允許用戶選擇量程，滿量程為±2g、±4g、±8g和±16g，輸出數(shù)據(jù)速率(ODR) 可在1.6Hz-1.6kHz范圍內(nèi)設(shè)置，并內(nèi)置可配置數(shù)字低通/高通濾波器。
在高性能模式下，典型噪聲密度為90μg/√Hz，工作電流為3V 110μA；在1.6Hz低功耗模式下，工作電流為3V為0.67μA。該產(chǎn)品內(nèi)置32級(jí)FIFO和運(yùn)動(dòng)/活動(dòng)檢測(cè)功能，有助于嚴(yán)格控制系統(tǒng)級(jí)功耗。
AIS2IH通過了AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，現(xiàn)在開始提供工程樣片，芯片封裝是采用Wettable Flank結(jié)構(gòu)的2mm x 2mm LGA封裝。
制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:700 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:3.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:806 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:1.02 mm長(zhǎng)度:3.04 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal系列:晶體管類型:1 P-Channel寬度:1.4 mm商標(biāo):Diodes Incorporated正向跨導(dǎo) - 最小值:1.2 S下降時(shí)間:3.3 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:2.1 ns3000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:5.9 ns典型接通延遲時(shí)間:1.6 ns單位重量:8 mg
STi2GaN解決方案組合適用于車載充電器、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)(LiDAR)、雙向直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器、D類放大器和電源變換系統(tǒng)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
新汽車加速度計(jì)允許用戶選擇量程，滿量程為±2g、±4g、±8g和±16g，輸出數(shù)據(jù)速率(ODR) 可在1.6Hz-1.6kHz范圍內(nèi)設(shè)置，并內(nèi)置可配置數(shù)字低通/高通濾波器。
在高性能模式下，典型噪聲密度為90μg/√Hz，工作電流為3V 110μA；在1.6Hz低功耗模式下，工作電流為3V為0.67μA。該產(chǎn)品內(nèi)置32級(jí)FIFO和運(yùn)動(dòng)/活動(dòng)檢測(cè)功能，有助于嚴(yán)格控制系統(tǒng)級(jí)功耗。
AIS2IH通過了AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，現(xiàn)在開始提供工程樣片，芯片封裝是采用Wettable Flank結(jié)構(gòu)的2mm x 2mm LGA封裝。
制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:700 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:3.5 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:806 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:1.02 mm長(zhǎng)度:3.04 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal系列:晶體管類型:1 P-Channel寬度:1.4 mm商標(biāo):Diodes Incorporated正向跨導(dǎo) - 最小值:1.2 S下降時(shí)間:3.3 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:2.1 ns3000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:5.9 ns典型接通延遲時(shí)間:1.6 ns單位重量:8 mg
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